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Mémoire (364)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Noms Autres	ECCN	Norme de package	Fréquence d'Horloge	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page
NLQ46PFS-8NIT	12.3750	RFQ	8817	INSignnis Technology Corporation	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	200-WFBGA		SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V	200-FBGA (10x14,5)	-			1982-NLQ46PFS-8NIT		2 000	1,2 GHz	Volatil	4 Gbit		Drachme	256m x 16	Lvstl	-
NDD56PT6-2AET TR	2.5508	RFQ	8531	INSignnis Technology Corporation	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)		Sdram - ddr	2,3V ~ 2,7 V	66-TSOP II	-			1982-ndd56pt6-2aettr		1 000	200 MHz	Volatil	512mbitons		Drachme	32m x 16	Sstl_2	-
NDD58PFD-2AET	3.5489	RFQ	5014	INSignnis Technology Corporation	-	Plateau	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	60-TFBGA		Sdram - ddr	2,3V ~ 2,7 V	60-fbga (8x13)	-			1982-ndd58pfd-2aet		2 500	200 MHz	Volatil	512mbitons		Drachme	64m x 8	Sstl_2	-
NDD36PT6-2AAT TR	3.7895	RFQ	7737	INSignnis Technology Corporation	NDD	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)		Sdram - ddr	2,3V ~ 2,7 V	66-TSOP II	-			1982-NDD36PT6-2AATTR		1 000	200 MHz	Volatil	256mbitons	700 PS	Drachme	16m x 16	Sstl_2	15NS
NDS36PBA-16ET	3.3912	RFQ	1066	INSignnis Technology Corporation	-	Plateau	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	54-TFBGA		Sdram	3V ~ 3,6 V	54-fbga (8x8)	-			1982-NDS36PBA-16ET		2 500	166 MHz	Volatil	256mbitons		Drachme	16m x 16	Lvttl	-
NDB16PFC-5EIT TR	3.8250	RFQ	5382	INSignnis Technology Corporation	NDB1L	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	84-TFBGA	NDB16	Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	84-fbga (8x12,5)	-			1982-NDB16PFC-5EITTR		2 500	533 MHz	Volatil	1 gbit	350 PS	Drachme	64m x 16	Sstl_18	15NS
NDS76PT5-20ET	2.0259	RFQ	6824	INSignnis Technology Corporation	-	Plateau	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)		Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TSOP II	-			1982-NDS76PT5-20ET		1 000	200 MHz	Volatil	128mbitons		Drachme	8m x 16	Lvttl	-
Ndl18pfh-8kit	3 9750	RFQ	7320	INSignnis Technology Corporation	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	78-VFBGA		Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	78-fbga (8x10,5)	-			1982-ndl18pfh-8kit		2 500	800 MHz	Volatil	1 gbit	20 ns	Drachme	128m x 8	Parallèle	15NS
NDB56PFC-4DET TR	2.3117	RFQ	2006	INSignnis Technology Corporation	NDB5	Ruban Adhésif (tr)	Actif	0 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	84-TFBGA		Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	84-fbga (8x12,5)	-			1982-NDB56PFC-4DETTR		2 500	400 MHz	Volatil	512mbitons	400 PS	Drachme	32m x 16	Sstl_18	15NS
Nds36pt5-20it tr	2.7899	RFQ	2612	INSignnis Technology Corporation	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)		Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TSOP II	-			1982-nds36pt5-20ittr		1 000	200 MHz	Volatil	256mbitons	4,5 ns	Drachme	16m x 16	Lvttl	10ns
Ndl86pfe-8ket tr	-	RFQ	3860	INSignnis Technology Corporation	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	-	-		Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	-	-			1982-ndl86pfe-8kettr	OBSOLÈTE	2 000	800 MHz	Volatil	8 Gbit	20 ns	Drachme	512m x 16	Parallèle	15NS
NDB18PFB-4DET TR	3.7066	RFQ	4506	INSignnis Technology Corporation	NDB1L	Ruban Adhésif (tr)	Actif	0 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	60-TFBGA		Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	60-fbga (8x10)	-			1982-NDB18PFB-4DETTR		2 000	400 MHz	Volatil	1 gbit		Drachme	128m x 8	Sstl_18	-
NLQ26PFS-8NIT	8.3250	RFQ	3542	INSignnis Technology Corporation	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	200-WFBGA		SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V	200-FBGA (10x14,5)	-			1982-NLQ26PFS-8NIT		2 000	1,2 GHz	Volatil	2 gbit		Drachme	128m x 16	Lvstl	-
NSEC53T128-IT	105.0000	RFQ	5720	INSignnis Technology Corporation	NSEC	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C	Support de surface	153-VFBGA		Flash - Nand (TLC)	2,7 V ~ 3,6 V	153-fbga (11,5x13)	-			1982-NSEC53T128-IT		1 520	200 MHz	Non volatile	1 tbit		Éclair	128g x 8	EMMC_5.1	-
Ndq46pfi-7nit tr	9h0000	RFQ	7286	INSignnis Technology Corporation	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA		Sdram - ddr4	1,14 V ~ 1,26 V	96-FBGA (7,5x13)	-			1982-ndq46pfi-7nittr		1 500	1 333 GHz	Volatil	4 Gbit	18 ns	Drachme	256m x 16	Coffre	15NS
NDQ46PFI-6NIT	9h0000	RFQ	8725	INSignnis Technology Corporation	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA		Sdram - ddr4	1,14 V ~ 1,26 V	96-FBGA (7,5x13)	-			1982-NDQ46PFI-6NIT		1 500	1,6 GHz	Volatil	4 Gbit	18 ns	Drachme	256m x 16	Coffre	15NS
NDQ46PFP-8NIT	-	RFQ	2170	INSignnis Technology Corporation	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	-	-		Sdram - ddr4	1,14 V ~ 1,26 V	-	-			1982-NDQ46PFP-8NIT	OBSOLÈTE	2 500	1,2 GHz	Volatil	4 Gbit	18 ns	Drachme	256m x 16	Coffre	15NS
NSEC53T016-ITJ	-	RFQ	7621	INSignnis Technology Corporation	NSEC	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	153-VFBGA		Flash - Nand (PSLC)	2,7 V ~ 3,6 V	153-fbga (11,5x13)	-			1982-NSEC53T016-ITJ	OBSOLÈTE	1 520	200 MHz	Non volatile	128 GBIT		Éclair	16g x 8	EMMC_5.1	-
NDL46PFP-9MET TR	8.1000	RFQ	7850	INSignnis Technology Corporation	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA		Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	96-FBGA (7,5x13,5)	-			1982-NDL46PFP-9METTR		2 500	933 MHz	Volatil	4 Gbit		Drachme	256m x 16	Parallèle	-
NDS73PT9-20ET	3.4276	RFQ	7786	INSignnis Technology Corporation	-	Plateau	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	86-TFSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)		Sdram	3V ~ 3,6 V	86-TSOP II	-			1982-NDS73PT9-20ET		1 000	200 MHz	Volatil	128mbitons		Drachme	4m x 32	Lvttl	-
Ndq46pfp-7xet tr	-	RFQ	3418	INSignnis Technology Corporation	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	-	-		Sdram - ddr4	1,14 V ~ 1,26 V	-	-			1982-NDQ46PFP-7XETTR	OBSOLÈTE	2 500	1 333 GHz	Volatil	4 Gbit	18 ns	Drachme	256m x 16	Coffre	15NS
Ndl48pfq-8kit tr	9h0000	RFQ	6147	INSignnis Technology Corporation	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	78-TFBGA		Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	78-fbga (7.5x10.6)	-			1982-ndl48pfq-8kittr		2 500	800 MHz	Volatil	4 Gbit	20 ns	Drachme	512m x 8	Parallèle	15NS
NDB56PFC-4dit	2.4448	RFQ	6083	INSignnis Technology Corporation	NDB5	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	84-TFBGA		Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	84-fbga (8x12,5)	-			1982-ndb56pfc-4dit		2 500	400 MHz	Volatil	512mbitons	400 PS	Drachme	32m x 16	Sstl_18	15NS
Ndl86pfe-8ket	-	RFQ	6125	INSignnis Technology Corporation	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	-	-		Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	-	-			1982-ndl86pfe-8ket	OBSOLÈTE	2 000	800 MHz	Volatil	8 Gbit	20 ns	Drachme	512m x 16	Parallèle	15NS
Ndl18pfh-8ket tr	3.7066	RFQ	4715	INSignnis Technology Corporation	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	78-VFBGA		Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	78-fbga (8x10,5)	-			1982-ndl18pfh-8kettr		2 500	800 MHz	Volatil	1 gbit		Drachme	128m x 8	Parallèle	-
NDB16PFC-4DET TR	3.7066	RFQ	4966	INSignnis Technology Corporation	NDB1L	Ruban Adhésif (tr)	Actif	0 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	84-TFBGA	NDB16	Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	84-fbga (8x12,5)	-			1982-NDB16PFC-4DETTR		2 500	400 MHz	Volatil	1 gbit		Drachme	64m x 16	Sstl_18	-
NDS36PBA-16IT	3.5489	RFQ	3180	INSignnis Technology Corporation	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54-TFBGA		Sdram	3V ~ 3,6 V	54-fbga (8x8)	-			1982-NDS36PBA-16IT		2 500	166 MHz	Volatil	256mbitons	5 ns	Drachme	16m x 16	Lvttl	12ns
Ndl48pfq-8ket	8.1000	RFQ	4912	INSignnis Technology Corporation	-	Plateau	Actif	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	78-TFBGA		Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	78-fbga (7.5x10.6)	-			1982-ndl48pfq-8ket		2 500	800 MHz	Volatil	4 Gbit		Drachme	512m x 8	Parallèle	-
Ndl86pfe-9mit tr	-	RFQ	3179	INSignnis Technology Corporation	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	-	-		Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	-	-			1982-NDL86PFE-9MITTR	OBSOLÈTE	2 000	933 MHz	Volatil	8 Gbit		Drachme	512m x 16	Parallèle	-
Nds76pt5-20it	2.2048	RFQ	5692	INSignnis Technology Corporation	NDS76P	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)		Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	1982-NDS76PT5-20IT		108	200 MHz	Volatil	128mbitons	4,5 ns	Drachme	8m x 16	Lvttl	10ns

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Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
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Mémoire (364)

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30 000 000

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