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Mémoire (364)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Fréquence d'Horloge	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page
Ndl16pfj-8kit tr	5.8400	RFQ	2816	INSignnis Technology Corporation	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-VFBGA	NDL16	Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	96-FBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0032	1 500	800 MHz	Volatil	1 gbit	20 ns	Drachme	64m x 16	Parallèle	15NS
NDS36PT5-16ET TR	3.6600	RFQ	3	INSignnis Technology Corporation	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)	NDS36PT5	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	1 000	166 MHz	Volatil	256mbitons		Drachme	16m x 16	Parallèle	12ns
NDS36PT5-20ET TR	3.6600	RFQ	5	INSignnis Technology Corporation	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)	NDS36PT5	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	1 000	200 MHz	Volatil	256mbitons	4,5 ns	Drachme	16m x 16	Parallèle	10ns
NDS73PT9-16ET TR	4.9200	RFQ	8002	INSignnis Technology Corporation	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	86-TFSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	NDS73PT9	Sdram	3V ~ 3,6 V	86-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	1 000	166 MHz	Volatil	128mbitons		Drachme	4m x 32	Parallèle	-
Nds96pt4-16it tr	1.8100	RFQ	2567	INSignnis Technology Corporation	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	50 TSOP (0 400 ", 10,16 mm de grandeur)	Nds96pt4	Sdram	3V ~ 3,6 V	50-TSOP II	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	1 000	166 MHz	Volatil	16mbitons		Drachme	1m x 16	Parallèle	-
NSEC00K008-IT	22.3000	RFQ	1	INSignnis Technology Corporation	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C	Support de surface	100 lbga	NSEC00	Flash - Nand (MLC)	3,3 V	100-BGA (14x18)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	1982-1026	3A991B1A	8542.32.0071	152	200 MHz	Non volatile	64gbit		Éclair	8g x 8	EMMC	-
NDL26PFJ-9MET TR	-	RFQ	8205	INSignnis Technology Corporation	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-VFBGA	NDL26	Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	96-FBGA (7,5x13)	-				1982-NDL26PFJ-9METTR	OBSOLÈTE		2 000	933 MHz	Volatil	2 gbit	20 ns	Drachme	128m x 16	Parallèle	15NS
Ndl26pfj-8kit tr	-	RFQ	8050	INSignnis Technology Corporation	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-VFBGA	NDL26	Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	96-FBGA (7,5x13)	-				1982-ndl26pfj-8kittr	OBSOLÈTE		2 000	800 MHz	Volatil	2 gbit	20 ns	Drachme	128m x 16	Parallèle	15NS
Ndl28pfr-8ket	-	RFQ	4372	INSignnis Technology Corporation	-	Plateau	Actif	0 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	78-VFBGA	NDL28	Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	78-FBGA (7,5x10,5)	-			Atteindre non affecté	1982-ndl28pfr-8ket	EAR99	8542.32.0036	210	800 MHz	Volatil	2 gbit	20 ns	Drachme	256m x 8	Parallèle	15NS
Ndl46pfp-8kit tr	9h0000	RFQ	7259	INSignnis Technology Corporation	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA		Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	96-FBGA (7,5x13,5)	-				1982-ndl46pfp-8kittr			2 500	800 MHz	Volatil	4 Gbit	20 ns	Drachme	256m x 16	Parallèle	15NS
Ndd58pt6-2aet	2.7102	RFQ	2079	INSignnis Technology Corporation	-	Plateau	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)		Sdram - ddr	2,3V ~ 2,7 V	66-TSOP II	-				1982-ndd58pt6-2aet			1 000	200 MHz	Volatil	512mbitons		Drachme	64m x 8	Sstl_2	-
NDL16PFJ-9MET	3.7465	RFQ	2207	INSignnis Technology Corporation	-	Plateau	Actif	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-VFBGA		Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	96-FBGA (8x13)	-				1982-NDL16PFJ-9MET			1 500	933 MHz	Volatil	1 gbit		Drachme	64m x 16	Parallèle	-
Ndq46pfi-7net tr	8.2500	RFQ	2352	INSignnis Technology Corporation	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA		Sdram - ddr4	1,14 V ~ 1,26 V	96-FBGA (7,5x13)	-				1982-NDQ46PFI-7NETTR			1 500	1 333 GHz	Volatil	4 Gbit	18 ns	Drachme	256m x 16	Coffre	15NS
NDS73PT9-20IT TR	3.5870	RFQ	4867	INSignnis Technology Corporation	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	86-TFSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)		Sdram	3V ~ 3,6 V	86-TSOP II	-				1982-NDS73PT9-20ITTR			1 000	200 MHz	Volatil	128mbitons	5 ns	Drachme	4m x 32	Lvttl	-
NDL48PFQ-9MET TR	8.1000	RFQ	4977	INSignnis Technology Corporation	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	78-TFBGA		Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	78-fbga (7.5x10.6)	-				1982-NDL48PFQ-9METTR			2 500	933 MHz	Volatil	4 Gbit		Drachme	512m x 8	Parallèle	-
NLQ46PFS-6NIT	12.3750	RFQ	9927	INSignnis Technology Corporation	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	200-WFBGA		SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V	200-FBGA (10x14,5)	-				1982-NLQ46PFS-6NIT			2 000	1,6 GHz	Volatil	4 Gbit	3,5 ns	Drachme	256m x 16	Lvstl	18n
NLQ83PFS-8NAT	21.6750	RFQ	6524	INSignnis Technology Corporation	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)	Support de surface	200-WFBGA		SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V	200-FBGA (10x14,5)	-				1982-NLQ83PFS-8NAT			2 000	1,2 GHz	Volatil	8 Gbit		Drachme	256m x 32	Lvstl	-
NLQ43PFS-6NIT	12.3750	RFQ	1354	INSignnis Technology Corporation	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	200-WFBGA		SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V	200-FBGA (10x14,5)	-				1982-NLQ43PFS-6NIT			2 000	1,6 GHz	Volatil	4 Gbit	3,5 ns	Drachme	128m x 32	Lvstl	18n
Ndl48pfq-9mit	9h0000	RFQ	4637	INSignnis Technology Corporation	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	78-TFBGA		Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	78-fbga (7.5x10.6)	-				1982-ndl48pfq-9mit			2 500	933 MHz	Volatil	4 Gbit	20 ns	Drachme	512m x 8	Parallèle	15NS
Ndq48pfq-7net	8.2500	RFQ	5871	INSignnis Technology Corporation	-	Plateau	Actif	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	78-TFBGA		Sdram - ddr4	1,14 V ~ 1,26 V	78-fbga (7.5x10.6)	-				1982-NDQ48PFQ-7NET			2 500	1 333 GHz	Volatil	4 Gbit	18 ns	Drachme	512m x 8	Coffre	15NS
Ndq46pfp-8net	-	RFQ	7506	INSignnis Technology Corporation	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	-	-		Sdram - ddr4	1,14 V ~ 1,26 V	-	-				1982-NDQ46PFP-8NET	OBSOLÈTE		2 500	1,2 GHz	Volatil	4 Gbit	18 ns	Drachme	256m x 16	Coffre	15NS
Ndq46pfi-6net tr	8.2500	RFQ	2890	INSignnis Technology Corporation	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA		Sdram - ddr4	1,14 V ~ 1,26 V	96-FBGA (7,5x13)	-				1982-NDQ46PFI-6NETTR			1 500	1,6 GHz	Volatil	4 Gbit	18 ns	Drachme	256m x 16	Coffre	15NS
NDB18PFB-4DET	3.7066	RFQ	4234	INSignnis Technology Corporation	NDB1L	Plateau	Actif	0 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	60-TFBGA		Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	60-fbga (8x10)	-				1982-NDB18PFB-4DET			2 000	400 MHz	Volatil	1 gbit		Drachme	128m x 8	Sstl_18	-
NLQ46PFS-8NIT	12.3750	RFQ	8817	INSignnis Technology Corporation	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	200-WFBGA		SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V	200-FBGA (10x14,5)	-				1982-NLQ46PFS-8NIT			2 000	1,2 GHz	Volatil	4 Gbit		Drachme	256m x 16	Lvstl	-
NDD56PT6-2AET TR	2.5508	RFQ	8531	INSignnis Technology Corporation	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)		Sdram - ddr	2,3V ~ 2,7 V	66-TSOP II	-				1982-ndd56pt6-2aettr			1 000	200 MHz	Volatil	512mbitons		Drachme	32m x 16	Sstl_2	-
NDD58PFD-2AET	3.5489	RFQ	5014	INSignnis Technology Corporation	-	Plateau	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	60-TFBGA		Sdram - ddr	2,3V ~ 2,7 V	60-fbga (8x13)	-				1982-ndd58pfd-2aet			2 500	200 MHz	Volatil	512mbitons		Drachme	64m x 8	Sstl_2	-
NDD36PT6-2AAT TR	3.7895	RFQ	7737	INSignnis Technology Corporation	NDD	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)		Sdram - ddr	2,3V ~ 2,7 V	66-TSOP II	-				1982-NDD36PT6-2AATTR			1 000	200 MHz	Volatil	256mbitons	700 PS	Drachme	16m x 16	Sstl_2	15NS
NDS36PBA-16ET	3.3912	RFQ	1066	INSignnis Technology Corporation	-	Plateau	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	54-TFBGA		Sdram	3V ~ 3,6 V	54-fbga (8x8)	-				1982-NDS36PBA-16ET			2 500	166 MHz	Volatil	256mbitons		Drachme	16m x 16	Lvttl	-
NDB16PFC-5EIT TR	3.8250	RFQ	5382	INSignnis Technology Corporation	NDB1L	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	84-TFBGA	NDB16	Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	84-fbga (8x12,5)	-				1982-NDB16PFC-5EITTR			2 500	533 MHz	Volatil	1 gbit	350 PS	Drachme	64m x 16	Sstl_18	15NS
NDS76PT5-20ET	2.0259	RFQ	6824	INSignnis Technology Corporation	-	Plateau	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)		Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TSOP II	-				1982-NDS76PT5-20ET			1 000	200 MHz	Volatil	128mbitons		Drachme	8m x 16	Lvttl	-

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Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
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Mémoire (364)

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2800+

15 000 m2

15 000 m²