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Mémoire (10402)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | M25p40-vmn6ypb | - |  | 2169 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tube | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | M25p40 | Flash - ni | 2,3V ~ 3,6 V | 8-so | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 280 | 75 MHz | Non volatile | 4mbbitons | Éclair | 512k x 8 | Pimenter | 15 ms, 5 ms | |||
 | MT53E2G32D4DT-046 AAT: A | 63.1350 | | 6496 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | MT53E2G32 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | MT53E2G32D4DT-046AAT: A | 0000.00.0000 | 1 360 | 2.133 GHz | Volatil | 64gbit | Drachme | 2G x 32 | - | - | ||||||
 | MT49H16M36BM-25: A | - | | 1236 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 144-TFBGA | MT49H16M36 | Drachme | 1,7 V ~ 1,9 V | 144 µbga (18,5x11) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | EAR99 | 8542.32.0032 | 1 000 | 400 MHz | Volatil | 576mbit | 20 ns | Drachme | 16m x 36 | Parallèle | - | |||
 | Mt29f4g01abbfdwb-ites: f tr | - | | 1091 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-UDFN | MT29F4G01 | Flash - Nand (SLC) | 1,7 V ~ 1,95 V | 8-updfn (8x6) (MLP8) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2 000 | 83 MHz | Non volatile | 4 Gbit | Éclair | 4G x 1 | Pimenter | - | |||
 | MT58L64L18FT-8.5TR | 9.1100 | | 2 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst ™ | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | SRAM - Standard | 3.135V ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x20.1) | télécharger | Non applicable | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 500 | 100 MHz | Volatil | 1mbit | 8,5 ns | Sram | 64k x 18 | Parallèle | - | |||
 | MT29F256G08APEDBJ6-12: D | - | | 7503 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 132 LBGA | MT29F256G08 | Flash - Nand (SLC) | 2,5 V ~ 3,6 V | 132 LBGA (12x18) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 83 MHz | Non volatile | 256 GBIT | Éclair | 32g x 8 | Parallèle | - | ||||
 | MT29F32G08CBCDBJ4-10: D | - | | 4004 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 132-VBGA | MT29F32G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 132-VBGA (12x18) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 100 MHz | Non volatile | 32 Gbit | Éclair | 4G x 8 | Parallèle | - | ||||
 | MT48H16M32LFB5-75 IT: C | - | | 4652 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 90-VFBGA | MT48H16M32 | SDRAM - LPSDR MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 90-VFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 000 | 133 MHz | Volatil | 512mbitons | 5.4 ns | Drachme | 16m x 32 | Parallèle | 15NS | ||
| MT47H64M16NF-25E AUT: M | - | | 6043 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Support de surface | 84-TFBGA | MT47H64M16 | Sdram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 84-fbga (8x12,5) | - | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0032 | 1 368 | 400 MHz | Volatil | 1 gbit | 400 PS | Drachme | 64m x 16 | Parallèle | 15NS | ||||
| MT29F4G01ABBFDWB-ITE: F | - | | 6822 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-UDFN | MT29F4G01 | Flash - Nand (SLC) | 1,7 V ~ 1,95 V | 8-updfn (8x6) (MLP8) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 920 | 83 MHz | Non volatile | 4 Gbit | Éclair | 4G x 1 | Pimenter | - | |||
 | MT29F4G08ABAFAWP-IT: F | 4.2200 | | 933 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | MT29F4G08 | Flash - Nand (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-tsop i | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | Non volatile | 4 Gbit | Éclair | 512m x 8 | Parallèle | - | ||||
| Mt29f2g01abagdwb-it: g tr | 2.8500 | | 712 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-UDFN | MT29F2G01 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-updfn (8x6) (MLP8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4 000 | Non volatile | 2 gbit | Éclair | 2G x 1 | Pimenter | - | ||||
| MT29F64G08CBCGBWP-10ES: G TR | - | | 9189 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | MT29F64G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-tsop i | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 100 MHz | Non volatile | 64gbit | Éclair | 8g x 8 | Parallèle | - | |||
| MT29C2G24MAAAAKAML-5 | - | | 7906 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 153-VFBGA | MT29C2G24 | Flash - NAND, LPDRAM MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 153-VFBGA | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 200 MHz | Non volatile, volatile | 2gbit (nand), 1gbit (lpdram) | Flash, Bélier | 256m x 8 (NAND), 32m x 32 (LPDRAM) | Parallèle | - | ||||
 | MT53E384M32D2DS-046 WT: E | - | | 8383 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 200-WFBGA | MT53E384 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | MT53E384M32D2DS-046WT: E | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 360 | 2.133 GHz | Volatil | 12gbit | Drachme | 384m x 32 | - | - | |||
| MT53E1536M32D4DE-046 WT: B TR | 36.0000 | | 4674 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -25 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 200-TFBGA | Sdram - mobile lpddr4x | 1 06 V ~ 1,17 V | 200-TFBGA (10x14,5) | - | 557-MT53E1536M32D4DE-046WT: BTR | 2 000 | 2.133 GHz | Volatil | 48gbit | 3,5 ns | Drachme | 1,5 GX 32 | Parallèle | 18n | |||||||
| MT53B256M32D1GZ-062 WT ES: B | - | | 2097 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 200-WFBGA | MT53B256 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | 200-WFBGA (11x14,5) | - | 1 (illimité) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 360 | 1,6 GHz | Volatil | 8 Gbit | Drachme | 256m x 32 | - | - | |||||
| MT53E256M32D2DS-046 AUT: B | 17.8200 | | 5236 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Plateau | Acheter la Dernière | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Support de surface | 200-WFBGA | MT53E256 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | MT53E256M32D2DS-046AUT: B | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 360 | 2.133 GHz | Volatil | 8 Gbit | Drachme | 256m x 32 | - | - | ||
 | MT47H64M16HR-3 IT: G TR | - | | 9031 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 84-TFBGA | MT47H64M16 | Sdram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 84-fbga (8x12,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0032 | 1 000 | 333 MHz | Volatil | 1 gbit | 450 PS | Drachme | 64m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
 | M29w320dt70n3f tr | - | | 9293 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | M29W320 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-tsop i | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 500 | Non volatile | 32mbitons | 70 ns | Éclair | 4m x 8, 2m x 16 | Parallèle | 70ns | |||
 | EDB5432BEBH-1DAUT-FD | - | | 6487 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Support de surface | 134-VFBGA | EDB5432 | Sdram - mobile lpddr2 | 1,14 V ~ 1,95 V | 134-VFBGA (10x11,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0028 | 1 680 | 533 MHz | Volatil | 512mbitons | Drachme | 16m x 32 | Parallèle | - | |||
 | MT28EW128ABA1HPC-0SIT | 7.7300 | | 2 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 64 LBGA | MT28EW128 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 64 LBGA (11x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 104 | Non volatile | 128mbitons | 95 ns | Éclair | 16m x 8, 8m x 16 | Parallèle | 60ns | |||
 | MT41K512M16HA-125: A TR | - | | 3887 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | MT41K512M16 | Sdram - ddr3l | 1 283V ~ 1 45 V | 96-FBGA (9x14) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | EAR99 | 8542.32.0036 | 2 000 | 800 MHz | Volatil | 8 Gbit | 13,5 ns | Drachme | 512m x 16 | Parallèle | - | |||
 | MT40A2G8FSE-083E: A TR | - | | 3596 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 78-TFBGA | MT40A2G8 | Sdram - ddr4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 78-fbga (9,5x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 2 000 | 1,2 GHz | Volatil | 16 Gbit | Drachme | 2G x 8 | Parallèle | - | |||
 | M29F800DT55N1 | - | | 9307 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | M29F800 | Flash - ni | 4,5 V ~ 5,5 V | 48 TSOP | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 96 | Non volatile | 8mbitons | 55 ns | Éclair | 1m x 8, 512k x 16 | Parallèle | 55ns | |||
 | MT41J64M16TW-093: J TR | - | | 1336 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | MT41J64M16 | Sdram - ddr3 | 1 425V ~ 1 575 V | 96-FBGA (8x14) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0032 | 2 000 | 1 066 GHz | Volatil | 1 gbit | Drachme | 64m x 16 | Parallèle | - | |||
 | N25q032a13esfh0f tr | - | | 1968 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | N25Q032A13 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 16-SOP2 | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 108 MHz | Non volatile | 32mbitons | Éclair | 8m x 4 | Pimenter | 8 ms, 5 ms | |||
 | JS28F128J3F75G | - | | 8587 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 56-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | JS28F128J3 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 56 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | Non volatile | 128mbitons | 75 ns | Éclair | 16m x 8, 8m x 16 | Parallèle | 75ns | |||
 | MT53D512M32D2NP-062 WT: D TR | - | | 6971 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 200-WFBGA | MT53D512 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 2 000 | 1,6 GHz | Volatil | 16 Gbit | Drachme | 512m x 32 | - | - | |||
 | MT53D1024M32D4DT-053 WT ES: D | - | | 9203 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 200-VFBGA | MT53D1024 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | 200-VFBGA (10x14,5) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 360 | 1 866 GHz | Volatil | 32 Gbit | Drachme | 1g x 32 | - | - |
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