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Mémoire (10402)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Fréquence d'Horloge	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page
EDB4432BBJ-1DAIT-FD	-	RFQ	4607	Micron Technology Inc.	-	En gros	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	134-WFBGA	EDB4432	Sdram - mobile lpddr2	1,14 V ~ 1,95 V	134-fbga (10x11,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 520	533 MHz	Volatil	4 Gbit		Drachme	128m x 32	Parallèle	-
MT55L256L36FT-11	14.4200	RFQ	4432	Micron Technology Inc.	ZBT®	En gros	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP	MT55L256L	Sram - synchrone, zbt	3.135V ~ 3 465V	100-TQFP (14x20.1)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	1	90 MHz	Volatil	8mbitons	8,5 ns	Sram	256k x 36	Parallèle	-
MT29F2G08ABAGAH4-AIT: G	2.5267	RFQ	2047	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	En gros	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	63-VFBGA	MT29F2G08	Flash - Nand (SLC)	2,7 V ~ 3,6 V	63-VFBGA (9x11)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	557-MT29F2G08ABAGAH4-AIT: G			1 260		Non volatile	2 gbit		Éclair	256m x 8	Parallèle	-
MT62F1G32D2DS-026 WT: B TR	22.8450	RFQ	1853	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-25 ° C ~ 85 ° C	Support de surface	200-WFBGA		Sdram - mobile lpddr5	1,05 V	200-WFBGA (10x14,5)	-				557-MT62F1G32D2DS-026WT: BTR			2 000	3,2 GHz	Volatil	32 Gbit		Drachme	1g x 32	Parallèle	-
MT58L128L32D1F-6	8.2200	RFQ	1583	Micron Technology Inc.	Syncburst ™	En gros	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	165-TBGA	MT58L128L32	Sram	3.135V ~ 3,6 V	165-fbga (13x15)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	1	166 MHz	Volatil	4mbbitons	3,5 ns	Sram	128k x 32	Parallèle	-
EDFP112A3PB-JD-FD	-	RFQ	1479	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-30 ° C ~ 85 ° C (TA)	-	-	EDFP112	Sdram - mobile lpddr3	1,14 V ~ 1,95 V	-	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			OBSOLÈTE	0000.00.0000	1	933 MHz	Volatil	24gbit		Drachme	192m x 128	Parallèle	-
MT28F320J3FS-11 Met	-	RFQ	8071	Micron Technology Inc.	-	En gros	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	64-fbga	MT28F320J3	Éclair	2,7 V ~ 3,6 V	64-fbga (10x13)	télécharger	Rohs non conforme	2 (1 AN)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000		Non volatile	32mbitons	110 ns	Éclair	4m x 8, 2m x 16	Parallèle	-
EDF4432ACPE-GD-FD	-	RFQ	1010	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	-	-	EDF4432	Sdram - mobile lpddr3	1,14 V ~ 1,95 V	-	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			OBSOLÈTE	0000.00.0000	1 520	800 MHz	Volatil	4 Gbit		Drachme	128m x 32	Parallèle	-
MT25QL128ABA8E14-0SIT	-	RFQ	9650	Micron Technology Inc.	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	24 TBGA	MT25QL128	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	24-T-PBGA (6x8)	-		3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 122	133 MHz	Non volatile	128mbitons		Éclair	16m x 8	Pimenter	8 ms, 2,8 ms
MT46H64M32LFCM-6 IT: A TR	-	RFQ	6052	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	90-VFBGA	MT46H64M32	SDRAM - LPDDR MOBILE	1,7 V ~ 1,95 V	90-VFBGA (10x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 000	166 MHz	Volatil	2 gbit	5 ns	Drachme	64m x 32	Parallèle	15NS
MT35XL512ABA2G12-0SIT TR	-	RFQ	4539	Micron Technology Inc.	XCCELA ™ - MT35X	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C	Support de surface	24 TBGA	MT35XL512	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	24-T-PBGA (6x8)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	MT35XL512ABA2G12-0SITTR	3A991B1A	8542.32.0071	2 500	133 MHz	Non volatile	512mbitons		Éclair	64m x 8	Bus xccela	-
MTFC8GAMALNA-AIT ES	-	RFQ	2333	Micron Technology Inc.	E • MMC ™	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	100 TBGA	Mtfc8	Flash - Nand	-	100-TBGA (14x18)	-		1 (illimité)			3A991B1A	8542.32.0071	1 000		Non volatile	64gbit		Éclair	8g x 8	MMC	-
MT47H32M16BN-25E IT: D tr	-	RFQ	1907	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	84-TFBGA	MT47H32M16	Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	84-FBGA (10x12,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	1 000	400 MHz	Volatil	512mbitons	400 PS	Drachme	32m x 16	Parallèle	15NS
MT48H8M32LFB5-75: H	-	RFQ	5289	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	90-VFBGA	MT48H8M32	SDRAM - LPSDR MOBILE	1,7 V ~ 1,95 V	90-VFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	1 000	133 MHz	Volatil	256mbitons	5.4 ns	Drachme	8m x 32	Parallèle	15NS
MT57W512H36JF-7.5	26.4100	RFQ	153	Micron Technology Inc.	-	En gros	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	165-TBGA		Sram - Synchrones, DDR II	1,7 V ~ 1,9 V	165-fbga (13x15)	télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	Volatil	18mbitons	500 PS	Sram	512k x 36	Hstl	-
MT62F1G32D4DS-031 AAT: B TR	32.5650	RFQ	3030	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C	Support de surface	200-WFBGA		Sdram - mobile lpddr5	1,05 V	200-WFBGA (10x14,5)	-				557-MT62F1G32D4DS-031AAT: BTR			2 000	3,2 GHz	Volatil	32 Gbit		Drachme	1g x 32	Parallèle	-
MT53E1G16D1FW-046 WT: A	11.9850	RFQ	4309	Micron Technology Inc.	-	Boîte	Actif	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	200-TFBGA		Sdram - mobile lpddr4x	1 06 V ~ 1,17 V	200-TFBGA (10x14,5)	-				557-MT53E1G16D1FW-046WT: A			1	2.133 GHz	Volatil	16 Gbit	3,5 ns	Drachme	1g x 16	Parallèle	18n
MT53B512M32D2GZ-062 AIT: B TR	-	RFQ	8792	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	200-WFBGA	MT53B512	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V	200-WFBGA (11x14,5)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			EAR99	8542.32.0036	1 000	1,6 GHz	Volatil	16 Gbit		Drachme	512m x 32	-	-
M25p128-vmf6tpb tr	-	RFQ	8356	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur)	M25P128	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	16-SOP2	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000	54 MHz	Non volatile	128mbitons		Éclair	16m x 8	Pimenter	15 ms, 5 ms
MT28F400B5SG-8 BET TR	-	RFQ	3868	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	44-SOIC (0 496 ", 12,60 mm de grandeur)	MT28F400B5	Flash - ni	4,5 V ~ 5,5 V	44-so	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	500		Non volatile	4mbbitons	80 ns	Éclair	512k x 8, 256k x 16	Parallèle	80ns
MT46V128M4TG-6T: D TR	15.9900	RFQ	13	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	MT46V128M4	Sdram - ddr	2,3V ~ 2,7 V	66 TSOP	télécharger	Rohs non conforme	4 (72 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	1 000	167 MHz	Volatil	512mbitons	700 PS	Drachme	128m x 4	Parallèle	15NS
M29W640GSH70ZF6E	-	RFQ	5974	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	64 TBGA	M29W640	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	64-TBGA (10x13)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			3A991B1A	8542.32.0071	136		Non volatile	64mbitons	70 ns	Éclair	8m x 8, 4m x 16	Parallèle	70ns
N25Q064A13E12D1E	-	RFQ	2973	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	24 TBGA	N25Q064A13	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	24-T-PBGA (6x8)	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)			OBSOLÈTE	0000.00.0000	1 122	108 MHz	Non volatile	64mbitons		Éclair	16m x 4	Pimenter	8 ms, 5 ms
MT57W2MH8CF-6	28.3700	RFQ	5	Micron Technology Inc.	-	En gros	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	165-TBGA	MT57W2MH	Sram - synchrone	1,7 V ~ 1,9 V	165-fbga (13x15)	télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	1	167 MHz	Volatil	18mbitons		Sram	2m x 8	Parallèle	-
EDB4432BBPA-1D-FR TR	-	RFQ	1185	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	168-WFBGA	EDB4432	Sdram - mobile lpddr2	1,14 V ~ 1,95 V	168-fbga (12x12)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 000	533 MHz	Volatil	4 Gbit		Drachme	128m x 32	Parallèle	-
MT49H16M18SJ-25 IT: B Tr	-	RFQ	7500	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	144-TFBGA	MT49H16M18	Drachme	1,7 V ~ 1,9 V	144-fbga (18,5x11)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0028	1 000	400 MHz	Volatil	288mbitons	20 ns	Drachme	16m x 18	Parallèle	-
MT51J256M32HF-60: A TR	-	RFQ	1880	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	170-TFBGA	MT51J256	Sgram - gddr5	1,31V ~ 1,39 V, 1,46 V ~ 1,55 V	170-FBGA (12x14)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	2 000	1,5 GHz	Volatil	8 Gbit		Bélier	256m x 32	Parallèle	-
MT29F64G08CBCGBSX-37BES: G TR	-	RFQ	4067	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	-	-	MT29F64G08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	-	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	2 000	267 MHz	Non volatile	64gbit		Éclair	8g x 8	Parallèle	-
MT49H32M9BM-33: B Tr	-	RFQ	7474	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	144-TFBGA	MT49H32M9	Drachme	1,7 V ~ 1,9 V	144 µbga (18,5x11)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	1 000	300 MHz	Volatil	288mbitons	20 ns	Drachme	32m x 9	Parallèle	-
Mt53b4danw-dc	-	RFQ	3964	Micron Technology Inc.	-	En gros	Obsolète		-	-	MT53B4	SDRAM - MOBILE LPDDR4		-	-		1 (illimité)			OBSOLÈTE	0000.00.0000	960		Volatil			Drachme

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