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Mémoire (10402)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | NAND256W3A2BNXE | - |  | 1063 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | NAND256 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-tsop i | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | Non volatile | 256mbitons | 50 ns | Éclair | 32m x 8 | Parallèle | 50ns | |||
 | N25Q256A73ESF40G | - | | 7630 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tube | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | N25Q256A73 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 16-SOP2 | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 557-1576-5 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 225 | 108 MHz | Non volatile | 256mbitons | Éclair | 64m x 4 | Pimenter | 8 ms, 5 ms | ||
 | MT29C2G24MAAAAHAMD-5 | - | | 8087 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 130-VFBGA | MT29C2G24 | Flash - NAND, LPDRAM MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 130-VFBGA (8x9) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 200 MHz | Non volatile, volatile | 2gbit (nand), 1gbit (lpdram) | Flash, Bélier | 256m x 8 (NAND), 64m x 16 (LPDRAM) | Parallèle | - | |||
 | MT29VZZZBC9FQOPR-053 W.G9G | - | | 1982 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Actif | MT29VZZZBC9 | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 0000.00.0000 | 1 140 | |||||||||||||||||
 | MTFC64GJDDN-4M | - | | 6226 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 169-LFBGA | Mtfc64 | Flash - Nand | 1,65 V ~ 3,6 V | 169-LFBGA (14x18) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8523.51.0000 | 980 | Non volatile | 512kbit | Éclair | 64k x 8 | MMC | - | ||||
| M29dw323db5an6f tr | - | | 6350 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | M29DW323 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-tsop i | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 500 | Non volatile | 256mbitons | 55 ns | Éclair | 16m x 16 | Parallèle | 55ns | |||
 | M25P40-VMC6GB | - | | 7097 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-UDFN | M25p40 | Flash - ni | 2,3V ~ 3,6 V | 8-UFDFPN (MLP8) (4x3) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | EAR99 | 8542.32.0071 | 490 | 75 MHz | Non volatile | 4mbbitons | Éclair | 512k x 8 | Pimenter | 15 ms, 5 ms | ||||
 | Mt29f4g08abbeah4: e tr | - | | 8016 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 63-VFBGA | MT29F4G08 | Flash - Nand | 1,7 V ~ 1,95 V | 63-VFBGA (9x11) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 4 Gbit | Éclair | 512m x 8 | Parallèle | - | ||||
| MT53E128M16D1Z19MWC1 | 10.3800 | | 7120 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | - | 557-MT53E128M16D1Z19MWC1 | 1 | |||||||||||||||||||||
 | PC28F256J3D95B TR | - | | 5305 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 64 TBGA | PC28F256 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 64-Easybga (10x13) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2 000 | Non volatile | 256mbitons | 95 ns | Éclair | 32m x 8, 16m x 16 | Parallèle | 95ns | |||
| M29w640ft70n6f tr | - | | 1839 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | M29W640 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-tsop i | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 500 | Non volatile | 64mbitons | 70 ns | Éclair | 8m x 8, 4m x 16 | Parallèle | 70ns | ||||
| MT29C2G24MAAAAHAMD-5 IT TR | - | | 8040 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 130-VFBGA | MT29C2G24 | Flash - NAND, LPDRAM MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 130-VFBGA (8x9) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 200 MHz | Non volatile, volatile | 2gbit (nand), 1gbit (lpdram) | Flash, Bélier | 256m x 8 (NAND), 64m x 16 (LPDRAM) | Parallèle | - | |||
| M58WR064KU70D16 | - | | 8921 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | - | - | M58WR064 | Flash - ni | 1,7 V ~ 2V | - | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 | 66 MHz | Non volatile | 64mbitons | 70 ns | Éclair | 4m x 16 | Parallèle | 70ns | |||
 | MT47H128M8JN-25E: H | - | | 9309 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 60-TFBGA | MT47H128M8 | Sdram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 60-fbga (8x10) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0032 | 1 000 | 400 MHz | Volatil | 1 gbit | 400 PS | Drachme | 128m x 8 | Parallèle | 15NS | ||
| EDF8164A3PK-JD-FD | - | | 1829 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 216-WFBGA | EDF8164 | Sdram - mobile lpddr3 | 1,14 V ~ 1,95 V | 216-FBGA (12x12) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 680 | 933 MHz | Volatil | 8 Gbit | Drachme | 128m x 64 | Parallèle | - | |||
| MT29F4G16ABCWC: C TR | - | | 5341 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | MT29F4G16 | Flash - Nand | 1,7 V ~ 1,95 V | 48-tsop i | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 4 Gbit | Éclair | 256m x 16 | Parallèle | - | ||||
 | Mt29f4g08abadawp-it: D tr | 6.6000 | | 202 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | MT29F4G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-tsop i | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 4 Gbit | Éclair | 512m x 8 | Parallèle | - | ||||
 | MT49H32M18CSJ-18: B | - | | 5486 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 144-TFBGA | MT49H32M18 | Drachme | 1,7 V ~ 1,9 V | 144-fbga (18,5x11) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0028 | 1 120 | 533 MHz | Volatil | 576mbit | 15 ns | Drachme | 32m x 18 | Parallèle | - | ||
 | MT45W4MW16PFA-70 WT TR | - | | 7008 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 48-VFBGA | MT45W4MW16 | Psram (pseudo sram) | 1,7 V ~ 1,95 V | 48-VFBGA (6x8) | télécharger | Rohs non conforme | 2 (1 AN) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2 000 | Volatil | 64mbitons | 70 ns | Psram | 4m x 16 | Parallèle | 70ns | |||
 | MT29E1HT08EMHBBJ4-3: B Tr | - | | 1499 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 132-VBGA | Mt29e1ht08 | Flash - Nand | 2,5 V ~ 3,6 V | 132-VBGA (12x18) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 1,5 tbit | Éclair | 192g x 8 | Parallèle | - | ||||
| MT41J64M16LA-187E: B Tr | - | | 6343 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-fbga | MT41J64M16 | Sdram - ddr3 | 1 425V ~ 1 575 V | 96-FBGA (9x15,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0032 | 1 000 | 533 MHz | Volatil | 1 gbit | Drachme | 64m x 16 | Parallèle | - | |||
 | Mt53b2dbnp-dc | - | | 3218 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | Support de surface | 200-WFBGA | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 200-WFBGA (10x14,5) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 360 | Volatil | Drachme | |||||||||||
| MT29TZZZ8D5JKETS-107 W.95Q | - | | 5161 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | -25 ° C ~ 85 ° C | Support de surface | 168-VFBGA | MT29TZZZ8 | Flash - Nand, dram - lpddr3 | 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 168-VFBGA (12x12) | - | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 008 | 933 MHz | Non volatile, volatile | 64gbit (nand), 8gbit (LPDDR3) | Flash, Bélier | 68g x 8 (NAND), 256m x 32 (LPDDR3) | MMC, LPDRAM | - | ||||
 | MT48LC16M16A2P-7E IT: G TR | - | | 2792 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur) | MT48LC16M16A2 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 000 | 133 MHz | Volatil | 256mbitons | 5.4 ns | Drachme | 16m x 16 | Parallèle | 14ns | ||
| MT29F1G08ABBFAM78A3WC1 | - | | 5535 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | Mourir | MT29F1G08 | Flash - Nand | 1,7 V ~ 1,95 V | Mourir | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | Non volatile | 1 gbit | Éclair | 128m x 8 | Parallèle | - | ||||
 | MT29F128G08AMCDBJ5-6IT: D | - | | 7696 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | - | MT29F128G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 132-TBGA (12x18) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 120 | 167 MHz | Non volatile | 128 GBIT | Éclair | 16g x 8 | Parallèle | - | |||
| MT46H64M32LFCX-5 AIT: B | - | | 8974 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | En gros | Obsolète | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 90-VFBGA | MT46H64M32 | SDRAM - LPDDR MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 90-VFBGA (9x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 000 | 200 MHz | Volatil | 2 gbit | 5 ns | Drachme | 64m x 32 | Parallèle | 15NS | |||
 | MT47H64M8B6-37E IT: D tr | - | | 6607 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 60-fbga | MT47H64M8 | Sdram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 60-fbga | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 000 | 267 MHz | Volatil | 512mbitons | 500 PS | Drachme | 64m x 8 | Parallèle | 15NS | ||
| MT29F64G08AECDBJ4-6ITR: D TR | - | | 8718 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 132-VBGA | MT29F64G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 132-VBGA (12x18) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2 000 | 166 MHz | Non volatile | 64gbit | Éclair | 8g x 8 | Parallèle | - | |||
| MT46H64M32LFCX-5 IT: B Tr | - | | 9265 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 90-VFBGA | MT46H64M32 | SDRAM - LPDDR MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 90-VFBGA (9x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 000 | 200 MHz | Volatil | 2 gbit | 5 ns | Drachme | 64m x 32 | Parallèle | 15NS |
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