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Mémoire (10402)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Fréquence d'Horloge	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page
MT47H64M16B7-5E: A	-	RFQ	9907	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Abandonné à sic	0 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	92-TFBGA	MT47H64M16	Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	92-FBGA (11x19)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0032	1 000	200 MHz	Volatil	1 gbit	600 PS	Drachme	64m x 16	Parallèle	15NS
M29W128GL60ZA6E	-	RFQ	3961	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	64 TBGA	M29W128	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	64-TBGA (10x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			3A991B1A	8542.32.0071	136		Non volatile	128mbitons	60 ns	Éclair	16m x 8, 8m x 16	Parallèle	60ns
MT53D512M64D4NZ-046 WT ES: E TR	-	RFQ	1238	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	376-WFBGA	MT53D512	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V	376-WFBGA (14x14)	-		3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 000	2.133 GHz	Volatil	32 Gbit		Drachme	512m x 64	-	-
MT62F512M32D2DS-031 AAT: B	17.4150	RFQ	3538	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Boîte	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C	Support de surface	200-WFBGA		Sdram - mobile lpddr5	-	200-WFBGA (10x14,5)	-				557-MT62F512M32D2DS-031AAT: B			1	3,2 GHz	Volatil	16 Gbit		Drachme	512m x 32	Parallèle	-
MT29F16G08ABCCBH1-AAT: C TR	36.7600	RFQ	2	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	100 VBGA	MT29F16G08	Flash - Nand (SLC)	2,7 V ~ 3,6 V	100 VBGA (12x18)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	2 000		Non volatile	16 Gbit	20 ns	Éclair	2G x 8	Onfi	20ns
N25Q128A21BSF40F TR	-	RFQ	2032	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur)	N25Q128A21	Flash - ni	1,7 V ~ 2V	16-SOP2	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000	108 MHz	Non volatile	128mbitons		Éclair	16m x 8	Pimenter	8 ms, 5 ms
MT28F320J3RP-11 Met TR	-	RFQ	9617	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	56-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	MT28F320J3	Éclair	2,7 V ~ 3,6 V	56 TSOP	télécharger	Rohs3 conforme	2 (1 AN)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000		Non volatile	32mbitons	110 ns	Éclair	4m x 8, 2m x 16	Parallèle	-
MT41J128M16HA-15E: D TR	-	RFQ	8224	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA	MT41J128M16	Sdram - ddr3	1 425V ~ 1 575 V	96-FBGA (9x14)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 000	667 MHz	Volatil	2 gbit	13,5 ns	Drachme	128m x 16	Parallèle	-
MTFC32GJWEF-4M AIT Z	-	RFQ	3086	Micron Technology Inc.	E • MMC ™	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	169-TFBGA	Mtfc32g	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	169-TFBGA (14x18)	-			Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	980		Non volatile	256 GBIT		Éclair	32g x 8	MMC	-
MT29F2G08ABBFAH4-IT: F Tr	-	RFQ	9556	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	63-VFBGA	MT29F2G08	Flash - Nand	1,7 V ~ 1,95 V	63-VFBGA (9x11)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			OBSOLÈTE	0000.00.0000	1 000		Non volatile	2 gbit		Éclair	256m x 8	Parallèle	-
Mt48lc4m32b2f5-7: g tr	-	RFQ	8370	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	90-VFBGA	MT48LC4M32B2	Sdram	3V ~ 3,6 V	90-VFBGA (8x13)	télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	1 000	143 MHz	Volatil	128mbitons	5,5 ns	Drachme	4m x 32	Parallèle	14ns
JS28F512M29EWLB TR	-	RFQ	7766	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	56-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	JS28F512M29	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	56 TSOP	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 600		Non volatile	512mbitons	110 ns	Éclair	64m x 8, 32m x 16	Parallèle	110ns
MT29C4G96MAAGBACKD-5 WT TR	-	RFQ	5160	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-25 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	137-VFBGA	MT29C4G96	Flash - NAND, LPDRAM MOBILE	1,7 V ~ 1,95 V	137-VFBGA (13x10,5)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			3A991B1A	8542.32.0071	1 000	200 MHz	Non volatile, volatile	4gbit (nand), 4gbit (lpdram)		Flash, Bélier	256m x 16 (NAND), 128m x 32 (LPDRAM)	Parallèle	-
MT29F32G08CBADAWP: D	-	RFQ	5528	Micron Technology Inc.	-	En gros	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	MT29F32G08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	48-tsop i	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	960		Non volatile	32 Gbit		Éclair	4G x 8	Parallèle	-
MT46V32M4TG-75: D	-	RFQ	8843	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	MT46V32M4	Sdram - ddr	2,3V ~ 2,7 V	66 TSOP	télécharger	Rohs non conforme	2 (1 AN)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	1 000	133 MHz	Volatil	128mbitons	750 PS	Drachme	32m x 4	Parallèle	15NS
M29w064fb6aza6f tr	-	RFQ	5165	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFBGA	M29W064	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	48-TFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			3A991B1A	8542.32.0071	2 500		Non volatile	64mbitons	60 ns	Éclair	8m x 8, 4m x 16	Parallèle	60ns
MT42L384M32D3LP-18 WT: A	-	RFQ	3410	Micron Technology Inc.	-	En gros	Obsolète	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	-	-	MT42L384M32	Sdram - mobile lpddr2	1,14 V ~ 1,3 V	-	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			EAR99	8542.32.0036	1	533 MHz	Volatil	12gbit		Drachme	384m x 32	Parallèle	-
MT29F64G08CBHGBJ4-3RES: G TR	-	RFQ	3961	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	132-VBGA	MT29F64G08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	132-VBGA (12x18)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000	333 MHz	Non volatile	64gbit		Éclair	8g x 8	Parallèle	-
MT29F2T08EELCHD4-M: C	41.9550	RFQ	3409	Micron Technology Inc.	-	Boîte	Actif								-				557-MT29F2T08EELCHD4-M: C			1
MT48H8M32LFF5-10	-	RFQ	6588	Micron Technology Inc.	-	Boîte	Abandonné à sic	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	90-VFBGA	MT48H8M32	SDRAM - LPSDR MOBILE	1,7 V ~ 1,95 V	90-VFBGA (8x13)	télécharger	Rohs non conforme	2 (1 AN)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	1 000	100 MHz	Volatil	256mbitons	7 ns	Drachme	8m x 32	Parallèle	15NS
MT28F128J3BS-12 Met TR	-	RFQ	4215	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	64-fbga	MT28F128J3	Éclair	2,7 V ~ 3,6 V	64-fbga (10x13)	télécharger	Rohs3 conforme	4 (72 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000		Non volatile	128mbitons	120 ns	Éclair	16m x 8, 8m x 16	Parallèle	-
MT40A2G16SKL-062E: B	-	RFQ	1953	Micron Technology Inc.	Twindie ™	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA	MT40A2G16	Sdram - ddr4	1,14 V ~ 1,26 V	96-FBGA (10,5x13)	télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	557-MT40A2G16SKL-062E: B	OBSOLÈTE	8542.32.0071	190	1,6 GHz	Non volatile	32 Gbit	13,75 ns	Drachme	2G x 16	Parallèle	-
M50FW040K5TG TR	-	RFQ	8340	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-20 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	32 LCC (J-LEAD)	M50FW040	Flash - ni	3V ~ 3,6 V	32-PLCC (11.35x13.89)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	750	33 MHz	Non volatile	4mbbitons	250 ns	Éclair	512k x 8	Parallèle	-
Mt53d8dbwf-dc	-	RFQ	5450	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète		Support de surface	376-WFBGA	MT53D8	SDRAM - MOBILE LPDDR4		376-WFBGA (14x14)	-		1 (illimité)			OBSOLÈTE	0000.00.0000	1 190		Volatil			Drachme
MT48H4M16LFB4-75: H	-	RFQ	7536	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	54-VFBGA	MT48H4M16	SDRAM - LPSDR MOBILE	1,7 V ~ 1,9 V	54-VFBGA (8x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	1 000	133 MHz	Volatil	64mbitons	6 ns	Drachme	4m x 16	Parallèle	15NS
MT48LC16M16A2P-75 L: D TR	-	RFQ	8761	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)	MT48LC16M16A2	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	1 000	133 MHz	Volatil	256mbitons	5.4 ns	Drachme	16m x 16	Parallèle	15NS
MT29F4T08EULEEM4-T: E TR	85.8150	RFQ	2502	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	0 ° C ~ 70 ° C	Support de surface	132-BGA		Flash - Nand (TLC)	2,6V ~ 3,6 V	132 LBGA (12x18)	-				557-MT29F4T08EULEEM4-T: ETR			2 000		Non volatile	4 tbit		Éclair	512g x 8	Parallèle	-
MT53E4D1BSQ-DC TR	22.5000	RFQ	7747	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif				MT53E4				-			Atteindre non affecté	557-MT53E4D1BSQ-DCTR			2 000
MT29F1T08EEEEJ4-R: E TR	21.4500	RFQ	7294	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	0 ° C ~ 70 ° C	Support de surface	132-VBGA		Flash - Nand (TLC)	2,6V ~ 3,6 V	132-VBGA (12x18)	-				557-MT29F1T08EELEEJ4-R: ETR			2 000		Non volatile	1 tbit		Éclair	128g x 8	Parallèle	-
MT53D1024M64D8PM-053 WT: D TR	-	RFQ	4876	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	-	-	MT53D1024	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V	-	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 000	1 866 GHz	Volatil	64gbit		Drachme	1g x 64	-	-

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