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Mémoire (10402)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Fréquence d'Horloge	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page
MT29F4G16ABBDAM60A3WC1	-	RFQ	9813	Micron Technology Inc.	-	En gros	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	Mourir	MT29F4G16	Flash - Nand	1,7 V ~ 1,95 V	Mourir	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1		Non volatile	4 Gbit		Éclair	256m x 16	Parallèle	-
MT53D384M32D2DS-046 AUT: E	-	RFQ	8433	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C (TC)	Support de surface	200-WFBGA	MT53D384	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V	200-WFBGA (10x14,5)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 360	2.133 GHz	Volatil	12gbit		Drachme	384m x 32	-	-
MT29RZ4C4DZZHGPL-18 W.80U TR	-	RFQ	6543	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète				MT29RZ4				-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000
Mt28f800b5wg-8 t	-	RFQ	9359	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	MT28F800B5	Flash - ni	4,5 V ~ 5,5 V	48-tsop i	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	1 000		Non volatile	8mbitons	80 ns	Éclair	1m x 8, 512k x 16	Parallèle	80ns
MT49H8M36BM-25E: B	-	RFQ	4794	Micron Technology Inc.	-	En gros	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	144-TFBGA	MT49H8M36	Drachme	1,7 V ~ 1,9 V	144 µbga (18,5x11)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	1 000	400 MHz	Volatil	288mbitons	15 ns	Drachme	8m x 36	Parallèle	-
MT41K256M8DA-107: K TR	4.0302	RFQ	6361	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	78-TFBGA	MT41K256M8	Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	78-fbga (8x10,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	2 000	933 MHz	Volatil	2 gbit	20 ns	Drachme	256m x 8	Parallèle	-
EDFM432A1PH-GD-FD	-	RFQ	4341	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-30 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	-	EDFM432	Sdram - mobile lpddr3	1,14 V ~ 1,95 V	168-fbga (12x12)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 680	800 MHz	Volatil	12gbit		Drachme	384m x 32	Parallèle	-
PC28F256P33B85E	-	RFQ	4413	Micron Technology Inc.	Strataflash ™	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	64 TBGA	PC28F256	Flash - ni	2,3V ~ 3,6 V	64-Easybga (8x10)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	144	52 MHz	Non volatile	256mbitons	85 ns	Éclair	16m x 16	Parallèle	85ns
MT25QU128ABA8E14-1SIT	-	RFQ	9033	Micron Technology Inc.	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	24 TBGA	MT25QU128	Flash - ni	1,7 V ~ 2V	24-T-PBGA (6x8)	télécharger		3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 122	133 MHz	Non volatile	128mbitons		Éclair	16m x 8	Pimenter	8 ms, 2,8 ms
MT53B512M64D4NH-062 WT: C TR	-	RFQ	4630	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	272-WFBGA	MT53B512	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V	272-WFBGA (15x15)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 000	1,6 GHz	Volatil	32 Gbit		Drachme	512m x 64	-	-
M29W010B70N6F TR	-	RFQ	5277	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	32-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	M29W010	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	32-tsop	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	1 500		Non volatile	1mbit	70 ns	Éclair	128k x 8	Parallèle	70ns
NAND512R3A2SN6E	-	RFQ	1676	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	NAND512	Flash - Nand	1,7 V ~ 1,95 V	48-tsop i	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			3A991B1A	8542.32.0071	1 000		Non volatile	512mbitons	50 ns	Éclair	64m x 8	Parallèle	50ns
MT46H16M32LFBQ-5 AIT: C TR	-	RFQ	5520	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	90-VFBGA	MT46H16M32	SDRAM - LPDDR MOBILE	1,7 V ~ 1,95 V	90-VFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 000	200 MHz	Volatil	512mbitons	5 ns	Drachme	16m x 32	Parallèle	15NS
MT29F512G08CFCBBWP-10: B	-	RFQ	3908	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	MT29F512G08	Flash - Nand (MLC)	2,7 V ~ 3,6 V	48-tsop i	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			OBSOLÈTE	0000.00.0000	960	100 MHz	Non volatile	512gbit		Éclair	64g x 8	Parallèle	-
Edba164b2pf-1d-fr tr	-	RFQ	3694	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	-	EDBA164	Sdram - mobile lpddr2	1,14 V ~ 1,95 V	-	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 000	533 MHz	Volatil	16 Gbit		Drachme	256m x 64	Parallèle	-
MT46V32M16P-6T L IT: F	-	RFQ	6334	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	MT46V32M16	Sdram - ddr	2,3V ~ 2,7 V	66 TSOP	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	1 000	167 MHz	Volatil	512mbitons	700 PS	Drachme	32m x 16	Parallèle	15NS
MT45W1MW16BDGB-701 WT TR	-	RFQ	2749	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	54-VFBGA	MT45W1MW16	Psram (pseudo sram)	1,7 V ~ 1,95 V	54-VFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0041	1 000		Volatil	16mbitons	70 ns	Psram	1m x 16	Parallèle	70ns
MT46H64M16LFCK-5 L IT: A TR	-	RFQ	5221	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	60-VFBGA	MT46H64M16	SDRAM - LPDDR MOBILE	1,7 V ~ 1,95 V	60-VFBGA (10x11,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0032	1 000	200 MHz	Volatil	1 gbit	5 ns	Drachme	64m x 16	Parallèle	15NS
M29f200ft55m3e2	-	RFQ	7759	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Support de surface	44-SOIC (0 496 ", 12,60 mm de grandeur)	M29F200	Flash - ni	4,5 V ~ 5,5 V	44-so	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	40		Non volatile	2mbitons	55 ns	Éclair	256k x 8, 128k x 16	Parallèle	55ns
MT29F2T08ELLEEG7-QB: E	52.9800	RFQ	3030	Micron Technology Inc.	-	Boîte	Actif								-				557-MT29F2T08ELLEEG7-QB: E			1
MT35XU01GBBA1G12-0AAT	-	RFQ	7795	Micron Technology Inc.	XCCELA ™ - MT35X	En gros	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C	Support de surface	24 TBGA	MT35XU01	Flash - ni	1,7 V ~ 2V	24-T-PBGA (6x8)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 122	200 MHz	Non volatile	1 gbit		Éclair	128m x 8	Bus xccela	-
MT47H256M4HQ-3: E TR	-	RFQ	4767	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	60-fbga	MT47H256M4	Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	60-fbga (8x11,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0032	1 000	333 MHz	Volatil	1 gbit	450 PS	Drachme	256m x 4	Parallèle	15NS
MT41K512M8DA-125: P	-	RFQ	6238	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	78-TFBGA	MT41K512M8	Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	78-fbga (8x10,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1440	800 MHz	Volatil	4 Gbit	13,5 ns	Drachme	512m x 8	Parallèle	-
Mt46v64m8bn-6 it: f	-	RFQ	7427	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	60-TFBGA	MT46V64M8	Sdram - ddr	2,3V ~ 2,7 V	60-FBGA (10x12.5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	1 000	167 MHz	Volatil	512mbitons	700 PS	Drachme	64m x 8	Parallèle	15NS
Mt48v4m32lff5-8: g	-	RFQ	1387	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	90-VFBGA	MT48V4M32	SDRAM - LPSDR MOBILE	2,3V ~ 2,7 V	90-VFBGA (8x13)	télécharger	Rohs non conforme	2 (1 AN)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	1 000	125 MHz	Volatil	128mbitons	7 ns	Drachme	4m x 32	Parallèle	15NS
MT41K1G4RG-107: N TR	-	RFQ	9553	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	78-TFBGA	MT41K1G4	Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	78-fbga (7.5x10.6)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	2 000	933 MHz	Volatil	4 Gbit	20 ns	Drachme	1g x 4	Parallèle	-
Mtfc64gaxaqea-wt tr	7.5600	RFQ	1846	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif								-				557-mtfc64gaxaqea-wttr			2 000
MT41K256M8DA-125 IT: K	-	RFQ	2580	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	78-TFBGA	MT41K256M8	Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	78-fbga (8x10,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1440	800 MHz	Volatil	2 gbit	13,75 ns	Drachme	256m x 8	Parallèle	-
MT29F128G08CBCEBRT-37B: E	-	RFQ	6470	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	-	-	MT29F128G08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	-	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 520	267 MHz	Non volatile	128 GBIT		Éclair	16g x 8	Parallèle	-
EMFM432A1PH-DV-FD	-	RFQ	2187	Micron Technology Inc.	-	En gros	Actif				EMFM432				-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté			0000.00.0000	1 680

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