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Mémoire (10402)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Fréquence d'Horloge	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page
MT28F400B3WG-8 BET	-	RFQ	8931	Micron Technology Inc.	-	En gros	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	MT28F400B3	Flash - ni	3V ~ 3,6 V	48-tsop i	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	1 000		Non volatile	4mbbitons	80 ns	Éclair	512k x 8, 256k x 16	Parallèle	80ns
EMF8132A3PF-DV-FR TR	-	RFQ	7499	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif				EMF8132				-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté			0000.00.0000	1 000
MT62F1536M32D4DS-026 AAT: B TR	47.8950	RFQ	6055	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif								-				557-MT62F1536M32D4DS-026AAT: BTR			2 000
MT53D1024M64D8NW-062 WT ES: D TR	-	RFQ	6189	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	432-VFBGA	MT53D1024	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V	432-VFBGA (15x15)	-		3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 000	1,6 GHz	Volatil	64gbit		Drachme	1g x 64	-	-
MT46V64M8BN-6: D	-	RFQ	9138	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	60-TFBGA	MT46V64M8	Sdram - ddr	2,3V ~ 2,7 V	60-FBGA (10x12.5)	-	Rohs3 conforme	5 (48 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	1 000	167 MHz	Volatil	512mbitons	700 PS	Drachme	64m x 8	Parallèle	15NS
MT46V16M16TG-75 IT: F	-	RFQ	6503	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	MT46V16M16	Sdram - ddr	2,3V ~ 2,7 V	66 TSOP	télécharger	Rohs non conforme	2 (1 AN)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	1 000	133 MHz	Volatil	256mbitons	750 PS	Drachme	16m x 16	Parallèle	15NS
MT47H32M16NF-187E: H TR	-	RFQ	5868	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	84-TFBGA	MT47H32M16	Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	84-fbga (8x12,5)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			OBSOLÈTE	0000.00.0000	2 000	533 MHz	Volatil	512mbitons	350 PS	Drachme	32m x 16	Parallèle	15NS
MT48LC16M16A2P-6A XIT: G	-	RFQ	6287	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)	MT48LC16M16A2	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 080	167 MHz	Volatil	256mbitons	5.4 ns	Drachme	16m x 16	Parallèle	12ns
MT47H32M8BP-5E: B	-	RFQ	2307	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	60-fbga	MT47H32M8B	Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	60-fbga (8x12)	télécharger	Rohs3 conforme	2 (1 AN)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	1 000	200 MHz	Volatil	256mbitons	600 PS	Drachme	32m x 8	Parallèle	15NS
MT41K512M16HA-107: A	-	RFQ	1214	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA	MT41K512M16	Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	96-FBGA (9x14)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 020	933 MHz	Volatil	8 Gbit	20 ns	Drachme	512m x 16	Parallèle	-
MT53E128M16D1DS-053 IT: A TR	-	RFQ	8662	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	200-WFBGA	MT53E128	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1 06 V ~ 1,17 V	200-WFBGA (10x14,5)	-		3 (168 Heures)		557-MT53E128M16D1DS-053IT: ATR	OBSOLÈTE		2 000	1 866 GHz	Volatil	2 gbit		Drachme	128m x 16	Parallèle	-
MT28F800B5SG-8 T	-	RFQ	6507	Micron Technology Inc.	-	Boîte	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	44-SOIC (0 496 ", 12,60 mm de grandeur)	MT28F800B5	Flash - ni	4,5 V ~ 5,5 V	44-so	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	500		Non volatile	8mbitons	80 ns	Éclair	1m x 8, 512k x 16	Parallèle	80ns
MT53D512M32D2NP-046 AAT ES: D	-	RFQ	6648	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)	Support de surface	200-WFBGA	MT53D512	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V	200-WFBGA (10x14,5)	-		1 (illimité)			OBSOLÈTE	0000.00.0000	1 360	2.133 GHz	Volatil	16 Gbit		Drachme	512m x 32	-	-
MT29F4G08ABBDAH4-IT: D TR	5.9300	RFQ	3	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	63-VFBGA	MT29F4G08	Flash - Nand	1,7 V ~ 1,95 V	63-VFBGA (9x11)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000		Non volatile	4 Gbit		Éclair	512m x 8	Parallèle	-
MT53B512M64D8HR-053 WT ES: B TR	-	RFQ	7482	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	-	-	MT53B512	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V	-	-		1 (illimité)			EAR99	8542.32.0036	2 000	1 866 GHz	Volatil	32 Gbit		Drachme	512m x 64	-	-
MT46H64M32LFCX-5 WT: B TR	-	RFQ	2448	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-25 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	90-VFBGA	MT46H64M32	SDRAM - LPDDR MOBILE	1,7 V ~ 1,95 V	90-VFBGA (9x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			EAR99	8542.32.0036	1 000	200 MHz	Volatil	2 gbit	5 ns	Drachme	64m x 32	Parallèle	15NS
MT48V4M32LFB5-10 IT: G	-	RFQ	2621	Micron Technology Inc.	-	Boîte	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	90-VFBGA	MT48V4M32	SDRAM - LPSDR MOBILE	2,3V ~ 2,7 V	90-VFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	2 (1 AN)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	1 000	100 MHz	Volatil	128mbitons	7 ns	Drachme	4m x 32	Parallèle	15NS
M25p32-vmp6g	-	RFQ	1631	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-VDFN	M25p32	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	8-VFQFPN (6x5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	2 940	75 MHz	Non volatile	32mbitons		Éclair	4m x 8	Pimenter	15 ms, 5 ms
Mt53d4d1arq-dc tr	-	RFQ	3792	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic				MT53D4				-			Atteindre non affecté			0000.00.0000	2 000
MT29F1G08ABAEAWP-AATX: E TR	3.7300	RFQ	1	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	MT29F1G08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	48-tsop i	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000		Non volatile	1 gbit		Éclair	128m x 8	Parallèle	-
MT48LC8M16LFB4-8 IT: G TR	-	RFQ	8094	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54-VFBGA	MT48LC8M16	SDRAM - LPSDR MOBILE	3V ~ 3,6 V	54-VFBGA (8x8)	télécharger	Rohs3 conforme	2 (1 AN)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	1 000	125 MHz	Volatil	128mbitons	7 ns	Drachme	8m x 16	Parallèle	15NS
MT58L256L36DS-6	8.5300	RFQ	24	Micron Technology Inc.	Syncburst ™	En gros	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP	MT58L256L36	Sram - synchrone	3.135V ~ 3,6 V	100-TQFP (14x20.1)	télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Vendeur indéfini		3A991B2A	8542.32.0041	1	166 MHz	Volatil	8mbitons	3,5 ns	Sram	256k x 36	Parallèle	-
MT29F256G08EBCAGJ4-5M: A TR	12.7800	RFQ	4908	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	132-VBGA	MT29F256G08	Flash - Nand (TLC)	2,7 V ~ 3,6 V	132-VBGA (12x18)	-		3 (168 Heures)	Atteindre non affecté			0000.00.0000	2 000	200 MHz	Non volatile	256 GBIT		Éclair	32g x 8	Parallèle	-
MT41J512M4HX-125: D	-	RFQ	4823	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	78-TFBGA	MT41J512M4	Sdram - ddr3	1 425V ~ 1 575 V	78-fbga (9x11,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 000	800 MHz	Volatil	2 gbit	13,75 ns	Drachme	512m x 4	Parallèle	-
Mt25ql256aba8esf-msit	-	RFQ	8515	Micron Technology Inc.	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur)	MT25QL256	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	16-SOP2	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1440	133 MHz	Non volatile	256mbitons		Éclair	32m x 8	Pimenter	8 ms, 2,8 ms
MT29F1G16ABBEAH4-AITX: E	-	RFQ	2223	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	63-VFBGA	MT29F1G16	Flash - Nand	1,7 V ~ 1,95 V	63-VFBGA (9x11)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 260		Non volatile	1 gbit		Éclair	64m x 16	Parallèle	-
Edfb164a1ma-jd-fr tr	-	RFQ	4046	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-30 ° C ~ 85 ° C (TA)			EDFB164	Sdram - mobile lpddr3	1,14 V ~ 1,95 V		-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			OBSOLÈTE	0000.00.0000	2 000	933 MHz	Volatil	32 Gbit		Drachme	512m x 64	Parallèle	-
MT46V128M4FN-5B: F Tr	-	RFQ	6762	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	60-TFBGA	MT46V128M4	Sdram - ddr	2,5 V ~ 2,7 V	60-FBGA (10x12.5)	télécharger	Rohs non conforme	5 (48 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	1 000	200 MHz	Volatil	512mbitons	700 PS	Drachme	128m x 4	Parallèle	15NS
Mtfc4gacaecn-1m wt	-	RFQ	6257	Micron Technology Inc.	E • MMC ™	En gros	Obsolète	-25 ° C ~ 85 ° C (TA)			Mtfc4	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V		-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			3A991B1A	8542.32.0071	1 000		Non volatile	32 Gbit		Éclair	4G x 8	MMC	-
M45PE40S-VMP6G	-	RFQ	9926	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-VDFN	M45PE40	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	8-VFQFPN (6x5)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			EAR99	8542.32.0071	490	75 MHz	Non volatile	4mbbitons		Éclair	512k x 8	Pimenter	15 ms, 3 ms

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
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Mémoire (10402)

2000+

30 000 000

2800+

15 000 m2

15 000 m²