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Mémoire (10402)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Fréquence d'Horloge	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page
MT29F4G08ABBDAHC-IT: D TR	5.9300	RFQ	5	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	63-VFBGA	MT29F4G08	Flash - Nand	1,7 V ~ 1,95 V	63-VFBGA (10.5x13)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000		Non volatile	4 Gbit		Éclair	512m x 8	Parallèle	-
EDFA364A3PM-GD-FD	-	RFQ	3112	Micron Technology Inc.	-	En gros	Obsolète	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)			EDFA364	Sdram - mobile lpddr3	1,14 V ~ 1,95 V		-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 190	800 MHz	Volatil	16 Gbit		Drachme	256m x 64	Parallèle	-
MT54W1MH18BF-5	34.7800	RFQ	4	Micron Technology Inc.	QDR ™	En gros	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	165-TBGA	MT54W1MH	Sram - Port Quad, synchrone	1,7 V ~ 1,9 V	165-fbga (13x15)	télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	1 000	200 MHz	Volatil	18mbitons		Sram	1m x 18	Parallèle	-
RC28F256M29EWHA	-	RFQ	1768	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	64 LBGA	RC28F256	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	64-fbga (11x13)	télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0051	1 104		Non volatile	256mbitons	100 ns	Éclair	32m x 8, 16m x 16	Parallèle	100ns
Mt29f2g08abagawp-ite: g tr	2.8500	RFQ	5	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	MT29F2G08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	48-tsop i	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000		Non volatile	2 gbit		Éclair	256m x 8	Parallèle	-
Mt48v4m32lfb5-10: g tr	-	RFQ	3698	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	90-VFBGA	MT48V4M32	SDRAM - LPSDR MOBILE	2,3V ~ 2,7 V	90-VFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	2 (1 AN)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	1 000	100 MHz	Volatil	128mbitons	7 ns	Drachme	4m x 32	Parallèle	15NS
MT41K256M16TW-107 AIT: P	8.1700	RFQ	12	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA	MT41K256M16	Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	96-FBGA (8x14)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1	933 MHz	Volatil	4 Gbit	20 ns	Drachme	256m x 16	Parallèle	-
MT62F1G64D8EK-031 WT: B	46.6200	RFQ	7497	Micron Technology Inc.	-	Boîte	Actif	-25 ° C ~ 85 ° C	Support de surface	441-TFBGA		Sdram - mobile lpddr5	1,05 V	441-TFBGA (14x14)	-				557-MT62F1G64D8EK-031WT: B			1	3,2 GHz	Volatil	64gbit		Drachme	1g x 64	Parallèle	-
MT29F512G08CKCBBH7-6C: B	-	RFQ	1597	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	152-TBGA	MT29F512G08	Flash - Nand (MLC)	2,7 V ~ 3,6 V	152-TBGA (14x18)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			3A991B1A	8542.32.0071	1	166 MHz	Non volatile	512gbit		Éclair	64g x 8	Parallèle	-
M29F040B90K6	-	RFQ	4571	Micron Technology Inc.	-	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	32 LCC (J-LEAD)	M29F040	Flash - ni	4,5 V ~ 5,5 V	32-PLCC (11.35x13.89)	-	Rohs non conforme	Non applicable	Atteindre non affecté	497-1705-5	EAR99	8542.32.0071	32		Non volatile	4mbbitons	90 ns	Éclair	512k x 8	Parallèle	90ns
MT41J512M8THU-15E: A	-	RFQ	9862	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	82-fbga	MT41J512M8	Sdram - ddr3	1 425V ~ 1 575 V	-	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 000	667 MHz	Volatil	4 Gbit	13,5 ns	Drachme	512m x 8	Parallèle	-
MT41K1G4THD-15E: D	-	RFQ	2797	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	78-TFBGA	MT41K1G4	Sdram - ddr3	1 283V ~ 1 45 V	78-fbga (9x11,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 000	667 MHz	Volatil	4 Gbit	13,5 ns	Drachme	1g x 4	Parallèle	-
MT29C4G48MAZBAAKS-5 E WT	-	RFQ	3121	Micron Technology Inc.	-	En gros	Obsolète	-25 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	137-VFBGA	MT29C4G48	Flash - NAND, LPDRAM MOBILE	1,7 V ~ 1,95 V	137-VFBGA (13x10,5)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			3A991B1A	8542.32.0071	1 000	200 MHz	Non volatile, volatile	4gbit (nand), 2gbit (lpdram)		Flash, Bélier	256m x 16 (NAND), 128m x 16 (LPDRAM)	Parallèle	-
MT25QU01GB8E12-0AAT	21.4400	RFQ	1	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	En gros	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	24 TBGA	Mt25qu01	Flash - ni	1,7 V ~ 2V	24-T-PBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 122	133 MHz	Non volatile	1 gbit		Éclair	128m x 8	Pimenter	8 ms, 2,8 ms
Nand128w3aabn6e	-	RFQ	5256	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	NAND128	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	48-tsop i	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			3A991B1A	8542.32.0071	1 000		Non volatile	128mbitons	50 ns	Éclair	16m x 8	Parallèle	50ns
EDF8164A3PK-GD-FD	-	RFQ	1522	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	216-WFBGA	EDF8164	Sdram - mobile lpddr3	1,14 V ~ 1,95 V	216-FBGA (12x12)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			OBSOLÈTE	0000.00.0000	1 680	800 MHz	Volatil	8 Gbit		Drachme	128m x 64	Parallèle	-
MT62F1G32D2DS-023 IT: B Tr	25.1400	RFQ	3922	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 95 ° C	Support de surface	200-WFBGA		Sdram - mobile lpddr5	1,05 V	200-WFBGA (10x14,5)	-				557-MT62F1G32D2DS-023IT: BTR			2 000	3,2 GHz	Volatil	32 Gbit		Drachme	1g x 32	Parallèle	-
Mt53b2danl-dc	-	RFQ	6571	Micron Technology Inc.	-	En gros	Obsolète		-	-		SDRAM - MOBILE LPDDR4		-	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		OBSOLÈTE	0000.00.0000	960		Volatil			Drachme
MT52L512M64D4PQ-107 WT: B TR	-	RFQ	3618	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	253-VFBGA	MT52L512	Sdram - mobile lpddr3	1,2 V	253-VFBGA (11x11,5)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 000	933 MHz	Volatil	32 Gbit		Drachme	512m x 64	-	-
Mt29f64g08cbabbwp-12it: b	-	RFQ	9923	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	MT29F64G08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	48-tsop i	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	960	83 MHz	Non volatile	64gbit		Éclair	8g x 8	Parallèle	-
PC28F512M29AWLB TR	-	RFQ	2604	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	64 LBGA	PC28F512	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	64-fbga (11x13)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			3A991B1A	8542.32.0071	2 000		Non volatile	512mbitons	100 ns	Éclair	32m x 16	Parallèle	100ns
MT29C4G96MAYBACJG-5 WT	-	RFQ	6113	Micron Technology Inc.	-	En gros	Obsolète	-25 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	168-VFBGA	MT29C4G96	Flash - NAND, LPDRAM MOBILE	1,7 V ~ 1,95 V	168-VFBGA (12x12)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			3A991B1A	8542.32.0071	1 000	200 MHz	Non volatile, volatile	4gbit (nand), 4gbit (lpdram)		Flash, Bélier	512m x 8 (NAND), 128m x 32 (LPDRAM)	Parallèle	-
M58BW016FB7T3T TR	-	RFQ	9122	Micron Technology Inc.	-	Ruban de Coupé (CT)	Obsolète	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Support de surface	80-BQFP	M58BW016	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	80 PQFP (14x20)	télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0051	500		Non volatile	16mbitons	70 ns	Éclair	512k x 32	Parallèle	-
MT29C1G12MAADAFAKD-6 E IT TR	-	RFQ	5274	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	137-TFBGA	MT29C1G12	Flash - NAND, LPDRAM MOBILE	1,7 V ~ 1,95 V	137-TFBGA (10.5x13)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000	166 MHz	Non volatile, volatile	1gbit (nand), 1gbit (lpdram)		Flash, Bélier	128m x 8 (nand), 32m x 32 (lpdram)	Parallèle	-
MT41K256M8DA-125 AUT: K TR	6.5550	RFQ	8679	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Ruban Adhésif (tr)	Acheter la Dernière	-40 ° C ~ 125 ° C (TC)	Support de surface	78-TFBGA	MT41K256M8	Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	78-fbga (8x10,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	2 000	800 MHz	Volatil	2 gbit	13,75 ns	Drachme	256m x 8	Parallèle	-
MT29F64G08CBHGBJ4-3RES: G TR	-	RFQ	3961	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	132-VBGA	MT29F64G08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	132-VBGA (12x18)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000	333 MHz	Non volatile	64gbit		Éclair	8g x 8	Parallèle	-
M29F400FB55M3T2 TR	-	RFQ	6437	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Support de surface	44-SOIC (0 496 ", 12,60 mm de grandeur)	M29F400	Flash - ni	4,5 V ~ 5,5 V	44-so	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			OBSOLÈTE	0000.00.0000	500		Non volatile	4mbbitons	55 ns	Éclair	512k x 8, 256k x 16	Parallèle	55ns
MT29F128G08AMCDBJ5-6ITR: D TR	-	RFQ	9576	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	-	MT29F128G08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	132-TBGA (12x18)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	2 000	167 MHz	Non volatile	128 GBIT		Éclair	16g x 8	Parallèle	-
N25Q256A13ESF40G	-	RFQ	1954	Micron Technology Inc.	-	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur)	N25Q256A13	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	16-SOP2	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	557-1575-5	3A991B1A	8542.32.0071	1 225	108 MHz	Non volatile	256mbitons		Éclair	64m x 4	Pimenter	8 ms, 5 ms
MT44K16M36RB-093: A TR	-	RFQ	1077	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	168 TBGA	MT44K16M36	Drachme	1,28 V ~ 1,42 V	168-BGA (13,5x13,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			EAR99	8542.32.0024	1 000	1 066 GHz	Volatil	576mbit	10 ns	Drachme	16m x 36	Parallèle	-

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Volume de RFQ moyen quotidien
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Unité de produit standard
2800+
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Mémoire (10402)

2000+

30 000 000

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15 000 m2

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