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Mémoire (10402)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Fréquence d'Horloge	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page
MT47H64M16HR-25E AAT: H	-	RFQ	3093	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)	Support de surface	84-TFBGA	MT47H64M16	Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	84-fbga (8x12,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0032	1 000	400 MHz	Volatil	1 gbit	400 PS	Drachme	64m x 16	Parallèle	15NS
MT29VZZZCDA1SKPR-046 W.181 TR	63.1200	RFQ	1764	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif								-				557-MT29VZZZCDA1SKPR-046W.181TR			2 000
MT29E64G08CBCDBJ4-6: D	-	RFQ	4421	Micron Technology Inc.	-	Tube	Obsolète								-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			OBSOLÈTE	0000.00.0000	960
MT62F1536M64D8CL-026 WT: B	55.3050	RFQ	6706	Micron Technology Inc.	-	Boîte	Actif	-	-	-		Sdram - mobile lpddr5	-	-	-				557-MT62F1536M64D8CL-026WT: B			1	3,2 GHz	Volatil	96 Gbit		Drachme	1,5 GX 64	Parallèle	-
MT29VZZZAD81SFSL-046 W.22C TR	25.0350	RFQ	9834	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif								-	Rohs3 conforme			557-MT29VZZZAD81SFSL-046W.22CTR			1
MT53B384M64D4NK-053 WT ES: A	-	RFQ	9425	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	366-WFBGA	MT53B384	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V	366-WFBGA (15x15)	-		1 (illimité)			OBSOLÈTE	0000.00.0000	1 190	1 866 GHz	Volatil	24gbit		Drachme	384m x 64	-	-
MT53E256M32D2DS-046 IT: B	16.2000	RFQ	1	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	200-WFBGA	MT53E256	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V	200-WFBGA (10x14,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	MT53E256M32D2DS-046IT: B	EAR99	8542.32.0036	1 360	2.133 GHz	Volatil	8 Gbit		Drachme	256m x 32	-	-
MT29F4G16ABAFAH4-AATES: F	-	RFQ	8708	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)	Support de surface	63-VFBGA	MT29F4G16	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	63-VFBGA (9x11)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 620		Non volatile	4 Gbit		Éclair	256m x 16	Parallèle	-
MT47H64M8B6-37E: D TR	-	RFQ	9448	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	60-fbga	MT47H64M8	Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	60-fbga	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	1 000	267 MHz	Volatil	512mbitons	500 PS	Drachme	64m x 8	Parallèle	15NS
MT46H64M32LFBQ-48 AIT: C	9.8850	RFQ	3730	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	En gros	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	90-VFBGA	MT46H64M32	SDRAM - LPDDR MOBILE	1,7 V ~ 1,95 V	90-VFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1440	208 MHz	Volatil	2 gbit	5 ns	Drachme	64m x 32	Parallèle	14.4NS
MT46V16M16TG-6T IT: F Tr	-	RFQ	5940	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	MT46V16M16	Sdram - ddr	2,3V ~ 2,7 V	66 TSOP	télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	1 000	167 MHz	Volatil	256mbitons	700 PS	Drachme	16m x 16	Parallèle	15NS
MT29C1G12MAACAFAKD-6	-	RFQ	1733	Micron Technology Inc.	-	En gros	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	137-TFBGA	MT29C1G12	Flash - NAND, LPDRAM MOBILE	1,7 V ~ 1,95 V	137-TFBGA (10.5x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000	166 MHz	Non volatile, volatile	1gbit (nand), 512mbit (lpdram)		Flash, Bélier	128m x 8 (NAND), 16m x 32 (lpdram)	Parallèle	-
MT46H4M32LFB5-6 IT: K	-	RFQ	6664	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	90-VFBGA	MT46H4M32	SDRAM - LPDDR MOBILE	1,7 V ~ 1,95 V	90-VFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	1 000	166 MHz	Volatil	128mbitons	5 ns	Drachme	4m x 32	Parallèle	15NS
MT29C4G96MAAHBACKD-5 WT	-	RFQ	1975	Micron Technology Inc.	-	En gros	Obsolète	-25 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	137-VFBGA	MT29C4G96	Flash - NAND, LPDRAM MOBILE	1,7 V ~ 1,95 V	137-VFBGA (13x10,5)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			3A991B1A	8542.32.0071	1 000	200 MHz	Non volatile, volatile	4gbit (nand), 4gbit (lpdram)		Flash, Bélier	256m x 16 (NAND), 128m x 32 (LPDRAM)	Parallèle	-
Mtfc256gaoamam-wt	71.0400	RFQ	9036	Micron Technology Inc.	E • MMC ™	Plateau	Actif	-25 ° C ~ 85 ° C (TA)	-	-	MTFC256	Flash - Nand	-	-	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 520		Non volatile	2 tbit		Éclair	256g x 8	MMC	-
MT46V64M8FN-75: D TR	-	RFQ	3203	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	60-TFBGA	MT46V64M8	Sdram - ddr	2,3V ~ 2,7 V	60-FBGA (10x12.5)	-	Rohs non conforme	5 (48 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	1 000	133 MHz	Volatil	512mbitons	750 PS	Drachme	64m x 8	Parallèle	15NS
M25PX16-VMW6G	-	RFQ	9803	Micron Technology Inc.	-	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur)	M25px16	Flash - ni	2,3V ~ 3,6 V	8-So W	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	1 800	75 MHz	Non volatile	16mbitons		Éclair	2m x 8	Pimenter	15 ms, 5 ms
MT29F16G08CBECBL72A3WC1P	-	RFQ	7681	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	Mourir	MT29F16G08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	Mourir	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			3A991B1A	8542.32.0071	1		Non volatile	16 Gbit		Éclair	2G x 8	Parallèle	-
MT29F2G08ABAGAH4-AIT: G TR	2.4998	RFQ	7622	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	63-VFBGA	MT29F2G08	Flash - Nand (SLC)	2,7 V ~ 3,6 V	63-VFBGA (9x11)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	557-MT29F2G08ABAGAH4-AIT: GTR			2 000		Non volatile	2 gbit		Éclair	256m x 8	Parallèle	-
MT41K128M16JT-107 IT: K	4.5806	RFQ	1667	Micron Technology Inc.	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA	MT41K128M16	Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	96-FBGA (8x14)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 368	933 MHz	Volatil	2 gbit	20 ns	Drachme	128m x 16	Parallèle	-
M25P128-VME6GB	-	RFQ	6983	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-VDFN	M25P128	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	8-VDFPN (MLP8) (8x6)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	320	54 MHz	Non volatile	128mbitons		Éclair	16m x 8	Pimenter	15 ms, 5 ms
MT47H64M16HR-3 IT: H TR	-	RFQ	1213	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	84-TFBGA	MT47H64M16	Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	84-fbga (8x12,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0032	1 000	333 MHz	Volatil	1 gbit	450 PS	Drachme	64m x 16	Parallèle	15NS
MT49H16M18CBM-25: B TR	-	RFQ	9843	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	144-TFBGA	MT49H16M18	Drachme	1,7 V ~ 1,9 V	144 µbga (18,5x11)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	1 000	400 MHz	Volatil	288mbitons	20 ns	Drachme	16m x 18	Parallèle	-
BK58F0095HVX010A	-	RFQ	9927	Micron Technology Inc.	-	En gros	Obsolète		-	-				-	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			OBSOLÈTE	0000.00.0000	270
MT53D512M16D1Z11MWC2	14.9600	RFQ	5629	Micron Technology Inc.	*	En gros	Actif				MT53D512				-			Atteindre non affecté			0000.00.0000	1
MT29F32G08AECBBH1-12IT: B TR	-	RFQ	7767	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	100 VBGA	MT29F32G08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	100 VBGA (12x18)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			3A991B1A	8542.32.0071	1 000	83 MHz	Non volatile	32 Gbit		Éclair	4G x 8	Parallèle	-
RC28F256J3D95A	-	RFQ	4600	Micron Technology Inc.	Strataflash ™	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	64 TBGA	RC28F256	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	64-Easybga (10x13)	télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	144		Non volatile	256mbitons	95 ns	Éclair	32m x 8, 16m x 16	Parallèle	95ns
MT41K128M16HA-15E: D	-	RFQ	4380	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA	MT41K128M16	Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	96-FBGA (9x14)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 000	667 MHz	Volatil	2 gbit	13,5 ns	Drachme	128m x 16	Parallèle	-
MT29F512G08CMCEBJ4-37ITR: E	45.0150	RFQ	4770	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	132-VBGA	MT29F512G08	Flash - Nand (MLC)	2,7 V ~ 3,6 V	132-VBGA (12x18)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté			8542.32.0071	1 120	267 MHz	Non volatile	512gbit		Éclair	64g x 8	Parallèle	-
MT29F2G08ABBGAM79A3WC1	-	RFQ	1216	Micron Technology Inc.	-	En gros	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	Mourir	MT29F2G08	Flash - Nand	1,7 V ~ 1,95 V	Mourir	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1		Non volatile	2 gbit		Éclair	256m x 8	Parallèle	-

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