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Mémoire (10402)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Fréquence d'Horloge	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page
MT45W1MW16BDGB-701 WT TR	-	RFQ	2749	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	54-VFBGA	MT45W1MW16	Psram (pseudo sram)	1,7 V ~ 1,95 V	54-VFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0041	1 000		Volatil	16mbitons	70 ns	Psram	1m x 16	Parallèle	70ns
M29f200ft55m3e2	-	RFQ	7759	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Support de surface	44-SOIC (0 496 ", 12,60 mm de grandeur)	M29F200	Flash - ni	4,5 V ~ 5,5 V	44-so	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	40		Non volatile	2mbitons	55 ns	Éclair	256k x 8, 128k x 16	Parallèle	55ns
MT29F2T08ELLEEG7-QB: E	52.9800	RFQ	3030	Micron Technology Inc.	-	Boîte	Actif								-				557-MT29F2T08ELLEEG7-QB: E			1
Mtfc64gaxaqea-wt tr	7.5600	RFQ	1846	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif								-				557-mtfc64gaxaqea-wttr			2 000
MT47H64M16HR-3 L: H TR	-	RFQ	9120	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	84-TFBGA	MT47H64M16	Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	84-fbga (8x12,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			EAR99	8542.32.0032	1 000	333 MHz	Volatil	1 gbit	450 PS	Drachme	64m x 16	Parallèle	15NS
M25p80-vmn6tp tr	-	RFQ	6444	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	M25P80	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	8-so	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	2 500	75 MHz	Non volatile	8mbitons		Éclair	1m x 8	Pimenter	15 ms, 5 ms
MT53B256M64D2TP-062 L XT: C	-	RFQ	4087	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-30 ° C ~ 105 ° C (TC)	-	-	MT53B256	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V	-	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 120	1,6 GHz	Volatil	16 Gbit		Drachme	256m x 64	-	-
MT41K128M16JT-125 AAT: K	-	RFQ	4302	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA	MT41K128M16	Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	96-FBGA (8x14)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1	800 MHz	Volatil	2 gbit	13,75 ns	Drachme	128m x 16	Parallèle	-
MT29VZZZ7C7DQKWL-062 W ES.97Y	-	RFQ	2589	Micron Technology Inc.	-	En gros	Obsolète				MT29VZZZ7				-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1 520
MT53B256M64D2NK-062 WT ES: C TR	-	RFQ	8462	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	-	-	MT53B256	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V	-	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			OBSOLÈTE	0000.00.0000	1 000	1,6 GHz	Volatil	16 Gbit		Drachme	256m x 64	-	-
MT29F128G08AMCABH2-10Z: A	-	RFQ	1542	Micron Technology Inc.	-	Tube	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	100 TBGA	MT29F128G08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	100-TBGA (12x18)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 120	100 MHz	Non volatile	128 GBIT		Éclair	16g x 8	Parallèle	-
MT46V16M16FG-75: F Tr	-	RFQ	5482	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	60-fbga	MT46V16M16	Sdram - ddr	2,3V ~ 2,7 V	60-fbga (8x14)	télécharger	Rohs non conforme	2 (1 AN)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	1 000	133 MHz	Volatil	256mbitons	750 PS	Drachme	16m x 16	Parallèle	15NS
MT29F64G08AECABH1-10: A	-	RFQ	6654	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	100 VBGA	MT29F64G08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	100 VBGA (12x18)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			3A991B1A	8542.32.0071	1 000	100 MHz	Non volatile	64gbit		Éclair	8g x 8	Parallèle	-
MT48H16M32L2F5-8	-	RFQ	4924	Micron Technology Inc.	-	Boîte	Abandonné à sic	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	90-VFBGA	MT48H16M32	SDRAM - LPSDR MOBILE	1,7 V ~ 1,9 V	90-VFBGA (8x13)	télécharger	Rohs non conforme	2 (1 AN)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	1 000	125 MHz	Volatil	512mbitons	7,5 ns	Drachme	16m x 32	Parallèle	-
MT49H8M36SJ-25: B Tr	30.0900	RFQ	1567	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	144-TFBGA	MT49H8M36	Drachme	1,7 V ~ 1,9 V	144-fbga (18,5x11)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0028	1 000	400 MHz	Volatil	288mbitons	20 ns	Drachme	8m x 36	Parallèle	-
MT29F16G08ABABAWP: B TR	-	RFQ	4285	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	MT29F16G08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	48-tsop i	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			3A991B1A	8542.32.0071	1 000		Non volatile	16 Gbit		Éclair	2G x 8	Parallèle	-
MT46V32M8TG-75 L: G	-	RFQ	4880	Micron Technology Inc.	-	Boîte	Abandonné à sic	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	MT46V32M8	Sdram - ddr	2,3V ~ 2,7 V	66 TSOP	télécharger	Rohs non conforme	2 (1 AN)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	1 000	133 MHz	Volatil	256mbitons	750 PS	Drachme	32m x 8	Parallèle	15NS
MT40A2G8NRE-083E: b	-	RFQ	5313	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	78-TFBGA	MT40A2G8	Sdram - ddr4	1,14 V ~ 1,26 V	78-fbga (8x12)	-		3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 140	1,2 GHz	Volatil	16 Gbit		Drachme	2G x 8	Parallèle	-
Mt48lc8m16lff4-75 It: g tr	-	RFQ	1769	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54-VFBGA	MT48LC8M16	SDRAM - LPSDR MOBILE	3V ~ 3,6 V	54-VFBGA (8x8)	télécharger	Rohs non conforme	2 (1 AN)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	1 000	133 MHz	Volatil	128mbitons	5.4 ns	Drachme	8m x 16	Parallèle	15NS
M25p10-avmn6p	-	RFQ	4553	Micron Technology Inc.	-	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	M25P10	Flash - ni	2,3V ~ 3,6 V	8-so	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	2 000	50 MHz	Non volatile	1mbit		Éclair	128k x 8	Pimenter	15 ms, 5 ms
MT41K256M8DA-15E: M	-	RFQ	1744	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	78-TFBGA	MT41K256M8	Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	78-fbga (8x10,5)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			EAR99	8542.32.0036	1 000	667 MHz	Volatil	2 gbit	13,5 ns	Drachme	256m x 8	Parallèle	-
MT53D512M64D8HR-053 WT ES: B TR	-	RFQ	4285	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	366-WFBGA	MT53D512	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V	366-WFBGA (12x12.7)	-		3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	2 000	1 866 GHz	Volatil	32 Gbit		Drachme	512m x 64	-	-
MT44K32M18RB-125: A TR	-	RFQ	2596	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	168 TBGA	MT44K32M18	Drachme	1,28 V ~ 1,42 V	168-BGA (13,5x13,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	1 000	800 MHz	Volatil	576mbit	12 ns	Drachme	32m x 18	Parallèle	-
MT46V16M16P-5B IT: M TR	-	RFQ	1570	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	MT46V16M16	Sdram - ddr	2,5 V ~ 2,7 V	66 TSOP	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 000	200 MHz	Volatil	256mbitons	700 PS	Drachme	16m x 16	Parallèle	15NS
Mt52l8dbqc-dc	-	RFQ	8387	Micron Technology Inc.	*	En gros	Actif				MT52L8				-		3 (168 Heures)	Atteindre non affecté			0000.00.0000	1
MT53B128M32D1DS-062 AIT: A	-	RFQ	2591	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	200-WFBGA	MT53B128	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V	200-WFBGA (10x14,5)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 360	1,6 GHz	Volatil	4 Gbit		Drachme	128m x 32	-	-
MT25TL512BBA8ESF-0AAT	14.4100	RFQ	4	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Tube	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur)	MT25TL512	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	16-SOP2	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0051	1440	133 MHz	Non volatile	512mbitons		Éclair	64m x 8	Pimenter	8 ms, 2,8 ms
PC28F640J3D75E	-	RFQ	7689	Micron Technology Inc.	Strataflash ™	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	64 TBGA	PC28F640	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	64-Easybga (10x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	864		Non volatile	64mbitons	75 ns	Éclair	8m x 8, 4m x 16	Parallèle	75ns
MT42L128M32D1LF-25 WT: A TR	-	RFQ	8471	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	168-WFBGA	MT42L128M32	Sdram - mobile lpddr2	1,14 V ~ 1,3 V	168-fbga (12x12)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 000	400 MHz	Volatil	4 Gbit		Drachme	128m x 32	Parallèle	-
EDB2432BCPA-8D-FD	-	RFQ	4547	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	168-WFBGA	EDB2432	Sdram - mobile lpddr2	1,14 V ~ 1,95 V	168-WFBGA (12x12)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			EAR99	8542.32.0036	1 260	400 MHz	Volatil	2 gbit		Drachme	64m x 32	Parallèle	-

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