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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page |
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![]() | M29f200ft55n3f2 tr | - | ![]() | 7685 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | M29F200 | Flash - ni | 4,5 V ~ 5,5 V | 48-tsop i | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 500 | Non volatile | 2mbitons | 55 ns | Éclair | 256k x 8, 128k x 16 | Parallèle | 55ns | |||
![]() | MT29F1T08EHAFJ4-3TES: A | - | ![]() | 8138 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 132-VBGA | MT29F1T08 | Flash - Nand | 2,5 V ~ 3,6 V | 132-VBGA (12x18) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 120 | 333 MHz | Non volatile | 1 tbit | Éclair | 128g x 8 | Parallèle | - | |||
![]() | MT53B512M32D2GZ-062 AIT: B | - | ![]() | 1767 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 200-WFBGA | MT53B512 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | 200-WFBGA (11x14,5) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 | 1,6 GHz | Volatil | 16 Gbit | Drachme | 512m x 32 | - | - | ||||
MT41K256M16RE-15E IT: D | - | ![]() | 3674 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | MT41K256M16 | Sdram - ddr3l | 1 283V ~ 1 45 V | 96-FBGA (10x14) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 000 | 667 MHz | Volatil | 4 Gbit | 13,5 ns | Drachme | 256m x 16 | Parallèle | - | ||||
MT29F1G08ABAEAWP-IT: E TR | 3.2000 | ![]() | 23 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | MT29F1G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-tsop i | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 1 gbit | Éclair | 128m x 8 | Parallèle | - | |||||
MT47H64M16HR-25 IT: H | - | ![]() | 6348 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 84-TFBGA | MT47H64M16 | Sdram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 84-fbga (8x12,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0032 | 1 000 | 400 MHz | Volatil | 1 gbit | 400 PS | Drachme | 64m x 16 | Parallèle | 15NS | |||
![]() | MT29F8T08EWLCEM5-QJ: C | 242.1750 | ![]() | 9688 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | - | 557-MT29F8T08EWLCEM5-QJ: C | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | MT28GU256AAA2EGC-0SIT | - | ![]() | 5204 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 64 TBGA | MT28GU256 | Flash - ni | 1,7 V ~ 2V | 64-TBGA (10x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 800 | 133 MHz | Non volatile | 256mbitons | 96 ns | Éclair | 32m x 8 | Parallèle | - | ||
![]() | MT62F768M64D4EK-023 AIT: B TR | 43.5300 | ![]() | 3305 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C | Support de surface | 441-TFBGA | MT62F768 | Sdram - mobile lpddr5 | - | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-mt62f768m64d4ek-023ait: btr | 1 500 | 3,2 GHz | Volatil | 48gbit | Drachme | 768m x 64 | Parallèle | - | |||||||
MT53E512M64D2HJ-046 WT: B TR | 26.1150 | ![]() | 4853 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -25 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 556-TFBGA | MT53E512 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1 06 V ~ 1,17 V | 556-WFBGA (12.4x12.4) | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 557-MT53E512M64D2HJ-046WT: BTR | 2 000 | 2.133 GHz | Volatil | 32 Gbit | 3,5 ns | Drachme | 512m x 64 | Parallèle | 18n | |||||
![]() | JS28F256J3D95B TR | - | ![]() | 2356 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 56-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | JS28F256J3 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 56 TSOP | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 600 | Non volatile | 256mbitons | 95 ns | Éclair | 32m x 8, 16m x 16 | Parallèle | 95ns | |||
![]() | MT47H256M4CF-3: H TR | - | ![]() | 9708 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 60-TFBGA | MT47H256M4 | Sdram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 60-fbga (8x10) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | EAR99 | 8542.32.0032 | 1 000 | 333 MHz | Volatil | 1 gbit | 450 PS | Drachme | 256m x 4 | Parallèle | 15NS | |||
![]() | NP8P128AE3T1760E | - | ![]() | 5927 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Omneo ™ | Tube | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 64 TBGA | NP8P128A | PCM (Pram) | 2,7 V ~ 3,6 V | 64-Easybga (8x10) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 800 | Non volatile | 128mbitons | 135 ns | PCM (Pram) | 16m x 8 | Parallèle, spi | 135ns | ||||
![]() | MT28EW128ABA1HPC-0SIT | 7.7300 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 64 LBGA | MT28EW128 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 64 LBGA (11x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 104 | Non volatile | 128mbitons | 95 ns | Éclair | 16m x 8, 8m x 16 | Parallèle | 60ns | |||
![]() | N25Q512A13GSF40F TR | - | ![]() | 7606 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | N25Q512A13 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 16-SO | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 108 MHz | Non volatile | 512mbitons | Éclair | 128m x 4 | Pimenter | 8 ms, 5 ms | |||
![]() | MT41K512M16HA-125: A TR | - | ![]() | 3887 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | MT41K512M16 | Sdram - ddr3l | 1 283V ~ 1 45 V | 96-FBGA (9x14) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | EAR99 | 8542.32.0036 | 2 000 | 800 MHz | Volatil | 8 Gbit | 13,5 ns | Drachme | 512m x 16 | Parallèle | - | |||
![]() | Js28f00ap30fa | - | ![]() | 5564 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | AXCELL ™ | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 56-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | JS28F00AP30 | Flash - ni | 1,7 V ~ 2V | 56 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | 40 MHz | Non volatile | 1 gbit | 110 ns | Éclair | 64m x 16 | Parallèle | 110ns | ||
![]() | M29F800DT55N1 | - | ![]() | 9307 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | M29F800 | Flash - ni | 4,5 V ~ 5,5 V | 48 TSOP | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 96 | Non volatile | 8mbitons | 55 ns | Éclair | 1m x 8, 512k x 16 | Parallèle | 55ns | |||
MT40A2G8FSE-083E: A TR | - | ![]() | 3596 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 78-TFBGA | MT40A2G8 | Sdram - ddr4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 78-fbga (9,5x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 2 000 | 1,2 GHz | Volatil | 16 Gbit | Drachme | 2G x 8 | Parallèle | - | ||||
MT41J64M16TW-093: J TR | - | ![]() | 1336 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | MT41J64M16 | Sdram - ddr3 | 1 425V ~ 1 575 V | 96-FBGA (8x14) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0032 | 2 000 | 1 066 GHz | Volatil | 1 gbit | Drachme | 64m x 16 | Parallèle | - | ||||
![]() | N25q032a13esfh0f tr | - | ![]() | 1968 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | N25Q032A13 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 16-SOP2 | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 108 MHz | Non volatile | 32mbitons | Éclair | 8m x 4 | Pimenter | 8 ms, 5 ms | |||
![]() | N25Q064A13ESE40E | - | ![]() | 9138 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tube | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur) | N25Q064A13 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-So W | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 800 | 108 MHz | Non volatile | 64mbitons | Éclair | 16m x 4 | Pimenter | 8 ms, 5 ms | |||
![]() | M25p16-vmp6tg tr | - | ![]() | 1911 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-VDFN | M25P16 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-VDFPN (6x5) (MLP8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 4 000 | 75 MHz | Non volatile | 16mbitons | Éclair | 2m x 8 | Pimenter | 15 ms, 5 ms | |||
![]() | MT62F2G64D8EK-023 WT ES: B TR | 90.4650 | ![]() | 9393 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -25 ° C ~ 85 ° C | Support de surface | 441-TFBGA | Sdram - mobile lpddr5 | 1,05 V | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-MT62F2G64D8EK-023WTES: BTR | 2 000 | 4.266 GHz | Volatil | 128 GBIT | Drachme | 2G x 64 | Parallèle | - | ||||||||
![]() | MT55V512V36PF-6 | 17.3600 | ![]() | 284 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | ZBT® | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 165-TBGA | MT55V512V | Sram - asynchrone, zbt | 2,375V ~ 3 465 V | 165-fbga (13x15) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 166 MHz | Volatil | 18mbitons | 3,5 ns | Sram | 512k x 36 | Parallèle | - | ||
![]() | MT55L256L18P1F-10 | 5.5100 | ![]() | 149 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | ZBT® | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 165-TBGA | Sram - zbt | 3.135V ~ 3 465V | 165-fbga (13x15) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | Volatil | 4mbbitons | 5 ns | Sram | 256k x 18 | Parallèle | - | |||
![]() | MT52L256M64D2PP-107 WT: B | - | ![]() | 6177 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 253-VFBGA | MT52L256 | Sdram - mobile lpddr3 | 1,2 V | 253-VFBGA (11x11,5) | - | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 890 | 933 MHz | Volatil | 16 Gbit | Drachme | 256m x 64 | - | - | |||||
![]() | MT53E4G32D8GS-046 WT: C TR | 127.0200 | ![]() | 4837 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -25 ° C ~ 85 ° C | - | - | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | - | - | - | 557-MT53E4G32D8GS-046WT: CTR | 2 000 | 2.133 GHz | Volatil | 128 GBIT | Drachme | 4G x 32 | Parallèle | - | ||||||||
![]() | MT29F4G16AACWC: C TR | - | ![]() | 3704 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | MT29F4G16 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-tsop i | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 4 Gbit | Éclair | 256m x 16 | Parallèle | - | ||||
![]() | MT46V32M16P-5B L: J | - | ![]() | 5448 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | MT46V32M16 | Sdram - ddr | 2,5 V ~ 2,7 V | 66 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 000 | 200 MHz | Volatil | 512mbitons | 700 PS | Drachme | 32m x 16 | Parallèle | 15NS |
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