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Mémoire (10402)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Fréquence d'Horloge	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page
MT62F1G64D4EK-023 FAAT: B	63.8550	RFQ	6443	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Boîte	Actif	-	Support de surface	441-TFBGA		Sdram - mobile lpddr5	1,05 V	441-TFBGA (14x14)	-				557-mt62f1g64d4ek-023faat: b			1	4.266 GHz	Volatil	64gbit		Drachme	1g x 64	Parallèle	-
MT41K512M4DA-107: K	-	RFQ	5167	Micron Technology Inc.	-	En gros	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	78-TFBGA	MT41K512M4	Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	78-fbga (8x10,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			EAR99	8542.32.0036	1 000	933 MHz	Volatil	2 gbit	20 ns	Drachme	512m x 4	Parallèle	-
MT29F64G08CBABBWPR: B	-	RFQ	4235	Micron Technology Inc.	-	Tube	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	MT29F64G08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	48-tsop i	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			3A991B1A	8542.32.0071	960		Non volatile	64gbit		Éclair	8g x 8	Parallèle	-
Rc28f256p30bfe	-	RFQ	3814	Micron Technology Inc.	Strataflash ™	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	64 TBGA	RC28F256	Flash - ni	1,7 V ~ 2V	64-Easybga (10x13)	télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1	52 MHz	Non volatile	256mbitons	100 ns	Éclair	16m x 16	Parallèle	100ns
PZ28F032M29EWBB TR	-	RFQ	6861	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-VFBGA	PZ28F032M29	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	48-BGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			3A991B1A	8542.32.0071	2 500		Non volatile	32mbitons	60 ns	Éclair	4m x 8, 2m x 16	Parallèle	60ns
MT46H32M32LFB5-48 IT: B	-	RFQ	6815	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	90-VFBGA	MT46H32M32	SDRAM - LPDDR MOBILE	1,7 V ~ 1,95 V	90-VFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			EAR99	8542.32.0036	1 000	208 MHz	Volatil	1 gbit	5 ns	Drachme	32m x 32	Parallèle	14.4NS
M28W320FCB70N6E	-	RFQ	6198	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	M28W320	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	48 TSOP	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	96		Non volatile	32mbitons	70 ns	Éclair	2m x 16	Parallèle	70ns
Mt29e6t08ethbbm5-3: b	-	RFQ	6375	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	-	-	MT29E6T08	Flash - Nand	2,5 V ~ 3,6 V	-	-			Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 120	333 MHz	Non volatile	6 tbit		Éclair	768g x 8	Parallèle	-
MT61M256M32JE-12 AAT: A	-	RFQ	3865	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 105 ° C	Support de surface	180-TFBGA	MT61M256	Sgram - gddr6	1,21V ~ 1,29 V	180-FBGA (12x14)	télécharger					EAR99	8542.32.0071	1 260	1,5 GHz	Volatil	8 Gbit		Bélier	256m x 32	Parallèle	-
MT53E1G16D1FW-046 AIT: A	14.5050	RFQ	6586	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Boîte	Actif	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	200-TFBGA		Sdram - mobile lpddr4x	1 06 V ~ 1,17 V	200-TFBGA (10x14,5)	télécharger				557-mt53e1g16d1fw-046ait: A			1	2.133 GHz	Volatil	16 Gbit	3,5 ns	Drachme	1g x 16	Parallèle	18n
N25Q128A13ESFH0E	-	RFQ	1685	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur)	N25Q128A13	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	16-SOP2	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	240	108 MHz	Non volatile	128mbitons		Éclair	32m x 4	Pimenter	8 ms, 5 ms
MT47H64M16NF-187E: M	-	RFQ	9635	Micron Technology Inc.	-	En gros	Obsolète	0 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	84-TFBGA	MT47H64M16	Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	84-fbga (8x12,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0032	1 368	533 MHz	Volatil	1 gbit	350 PS	Drachme	64m x 16	Parallèle	15NS
MT53E512M64D4NK-046 WT: D	-	RFQ	6171	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	366-WFBGA	MT53E512	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V	366-WFBGA (15x15)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	MT53E512M64D4NK-046WT: D	OBSOLÈTE	0000.00.0000	1 190	2.133 GHz	Volatil	32 Gbit		Drachme	512m x 64	-	-
MT29F64G08CFACAWP-Z: C	-	RFQ	7885	Micron Technology Inc.	-	Tube	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	MT29F64G08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	48-tsop i	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	960		Non volatile	64gbit		Éclair	8g x 8	Parallèle	-
MT44K32M18RB-107E: B Tr	46.0350	RFQ	4068	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	168 TBGA	MT44K32M18	Drachme	1,28 V ~ 1,42 V	168-BGA (13,5x13,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0032	1 000	933 MHz	Volatil	576mbit	8 ns	Drachme	32m x 18	Parallèle	-
MT29F512G08CEHBBJ4-3R: B	-	RFQ	5231	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	132-VBGA	MT29F512G08	Flash - Nand (MLC)	2,5 V ~ 3,6 V	132-VBGA (12x18)	-			Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 120	333 MHz	Non volatile	512gbit		Éclair	64g x 8	Parallèle	-
MT61M256M32JE-10 AAT: A TR	-	RFQ	4270	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C	Support de surface	180-TFBGA	MT61M256	Sgram - gddr6	1,21V ~ 1,29 V	180-FBGA (12x14)	télécharger		3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	2 000	1,25 GHz	Volatil	8 Gbit		Bélier	256m x 32	Parallèle	-
MT58L64L18FT-8.5TR	9.1100	RFQ	2	Micron Technology Inc.	Syncburst ™	En gros	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP		SRAM - Standard	3.135V ~ 3,6 V	100-TQFP (14x20.1)	télécharger	Non applicable	3 (168 Heures)	Vendeur indéfini		3A991B2B	8542.32.0041	500	100 MHz	Volatil	1mbit	8,5 ns	Sram	64k x 18	Parallèle	-
MT29F256G08APEDBJ6-12: D	-	RFQ	7503	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	132 LBGA	MT29F256G08	Flash - Nand (SLC)	2,5 V ~ 3,6 V	132 LBGA (12x18)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			3A991B1A	8542.32.0071	1	83 MHz	Non volatile	256 GBIT		Éclair	32g x 8	Parallèle	-
MT29F32G08CBCDBJ4-10: D	-	RFQ	4004	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	132-VBGA	MT29F32G08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	132-VBGA (12x18)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			3A991B1A	8542.32.0071	1 000	100 MHz	Non volatile	32 Gbit		Éclair	4G x 8	Parallèle	-
MTFC128GASAQJP-AAT TR	57.1950	RFQ	8045	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	153-VFBGA		Flash - Nand (SLC)	2,7 V ~ 3,6 V	153-VFBGA (11,5x13)	-				557-MTFC128GASAQJP-AATTR			2 000	200 MHz	Non volatile	1 tbit		Éclair	128g x 8	EMMC_5.1	-
MT29F16G08AJADAWP: D TR	-	RFQ	7397	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	MT29F16G08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	48-tsop i	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			3A991B1A	8542.32.0071	1 000		Non volatile	16 Gbit		Éclair	2G x 8	Parallèle	-
MT49H16M36BM-25: A	-	RFQ	1236	Micron Technology Inc.	-	En gros	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	144-TFBGA	MT49H16M36	Drachme	1,7 V ~ 1,9 V	144 µbga (18,5x11)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			EAR99	8542.32.0032	1 000	400 MHz	Volatil	576mbit	20 ns	Drachme	16m x 36	Parallèle	-
Mt55l256l32ft-12it	17.3600	RFQ	1	Micron Technology Inc.	ZBT®	En gros	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP		Sram - zbt	3.135V ~ 3 465V	100-TQFP (14x20.1)	télécharger	Non applicable	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	1	83 MHz	Volatil	8mbitons	9 ns	Sram	256k x 32	Parallèle	-
M25px16stvzm6tp tr	-	RFQ	8644	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	24 TBGA	M25px16	Flash - ni	2,3V ~ 3,6 V	24-TBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			EAR99	8542.32.0071	2 500	75 MHz	Non volatile	16mbitons		Éclair	2m x 8	Pimenter	15 ms, 5 ms
MT29F2G08ABBGAM79A3WC1L	2.6600	RFQ	6064	Micron Technology Inc.	-	En gros	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	Mourir	MT29F2G08	Flash - Nand	1,7 V ~ 1,95 V	Mourir	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	557-MT29F2G08ABBGAM79A3WC1L			1		Non volatile	2 gbit		Éclair	256m x 8	Parallèle	-
MT62F2G64D8EK-023 WT ES: C TR	90.4650	RFQ	6658	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-25 ° C ~ 85 ° C	Support de surface	441-TFBGA		Sdram - mobile lpddr5	1,05 V	441-TFBGA (14x14)	-				557-MT62F2G64D8EK-023WTES: CTR			2 000	4.266 GHz	Volatil	128 GBIT		Drachme	2G x 64	Parallèle	-
RC28F128P30TF65A	-	RFQ	5863	Micron Technology Inc.	Strataflash ™	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	64 TBGA	RC28F128	Flash - ni	1,7 V ~ 2V	64-Easybga (10x13)	télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	864	52 MHz	Non volatile	128mbitons	65 ns	Éclair	8m x 16	Parallèle	65ns
M29W320DB7AN6E	-	RFQ	1730	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	M29W320	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	48-tsop i	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	96		Non volatile	32mbitons	70 ns	Éclair	4m x 8, 2m x 16	Parallèle	70ns
PC28F128M29EWHF	-	RFQ	7948	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	64 LBGA	PC28F128	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	64-fbga (11x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 104		Non volatile	128mbitons	60 ns	Éclair	16m x 8, 8m x 16	Parallèle	60ns

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Unité de produit standard
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Mémoire (10402)

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