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Mémoire (10402)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Fréquence d'Horloge	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page
MT29F64G08CBAABWP-12Z: A TR	-	RFQ	2049	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	MT29F64G08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	48-tsop i	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000	83 MHz	Non volatile	64gbit		Éclair	8g x 8	Parallèle	-
MT47H512M4THN-25E: M	-	RFQ	1672	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	63-TFBGA	MT47H512M4	Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	63-fbga (8x10)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 518	400 MHz	Volatil	2 gbit	400 PS	Drachme	512m x 4	Parallèle	15NS
MT28F320J3FS-11 GMET TR	-	RFQ	4341	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	64-fbga	MT28F320J3	Éclair	2,7 V ~ 3,6 V	64-fbga (10x13)	télécharger	Rohs non conforme	2 (1 AN)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000		Non volatile	32mbitons	110 ns	Éclair	4m x 8, 2m x 16	Parallèle	-
MT53D512M64D4RQ-053 WT: E TR	49.0500	RFQ	3306	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	556-WFBGA	MT53D512	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V	556-WFBGA (12.4x12.4)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	2 000	1 866 GHz	Volatil	32 Gbit		Drachme	512m x 64	-	-
MT29C4G96MAYBACJG-5 WT	-	RFQ	6113	Micron Technology Inc.	-	En gros	Obsolète	-25 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	168-VFBGA	MT29C4G96	Flash - NAND, LPDRAM MOBILE	1,7 V ~ 1,95 V	168-VFBGA (12x12)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			3A991B1A	8542.32.0071	1 000	200 MHz	Non volatile, volatile	4gbit (nand), 4gbit (lpdram)		Flash, Bélier	512m x 8 (NAND), 128m x 32 (LPDRAM)	Parallèle	-
MT41J512M8THU-15E: A	-	RFQ	9862	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	82-fbga	MT41J512M8	Sdram - ddr3	1 425V ~ 1 575 V	-	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 000	667 MHz	Volatil	4 Gbit	13,5 ns	Drachme	512m x 8	Parallèle	-
EDFA364A3PM-GD-FD	-	RFQ	3112	Micron Technology Inc.	-	En gros	Obsolète	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)			EDFA364	Sdram - mobile lpddr3	1,14 V ~ 1,95 V		-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 190	800 MHz	Volatil	16 Gbit		Drachme	256m x 64	Parallèle	-
NAND256W3A0BZA6E	-	RFQ	8126	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	55-TFBGA	NAND256	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	55-VFBGA (8x10)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 518		Non volatile	256mbitons	50 ns	Éclair	32m x 8	Parallèle	50ns
MT53D1024M32D4BD-053 WT ES: D	-	RFQ	1883	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	-	-	MT53D1024	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V	-	-		1 (illimité)			EAR99	8542.32.0036	1 360	1 866 GHz	Volatil	32 Gbit		Drachme	1g x 32	-	-
MT29F256G08AMCBBH7-6IT: B	-	RFQ	4611	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	152-TBGA	MT29F256G08	Flash - Nand (SLC)	2,7 V ~ 3,6 V	152-TBGA (14x18)	-		1 (illimité)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	980	167 MHz	Non volatile	256 GBIT		Éclair	32g x 8	Parallèle	-
MT57W512H36JF-5	28.0100	RFQ	262	Micron Technology Inc.	-	En gros	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	165-TBGA	MT57W512H	Sram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	165-fbga (13x15)	télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	1	200 MHz	Volatil	18mbitons	5 ns	Sram	512k x 36	Parallèle	-
MT53D1024M32D4DT-053 AIT ES: D TR	-	RFQ	2539	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	200-VFBGA	MT53D1024	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V	200-VFBGA (10x14,5)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	2 000	1 866 GHz	Volatil	32 Gbit		Drachme	1g x 32	-	-
Mtfc128gajaece-aat	-	RFQ	7374	Micron Technology Inc.	E • MMC ™	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	169-LFBGA	MTFC128	Flash - Nand	-	169-LFBGA (14x18)	-		1 (illimité)			3A991B1A	8542.32.0071	980		Non volatile	1 tbit		Éclair	128g x 8	MMC	-
MT53B4DBDT-DC TR	-	RFQ	2276	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète				MT53B4	SDRAM - MOBILE LPDDR4			-					OBSOLÈTE		2 000		Volatil			Drachme
MT29F256G08CMCABK3-10Z: A	-	RFQ	6676	Micron Technology Inc.	-	En gros	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	-	MT29F256G08	Flash - Nand (MLC)	2,7 V ~ 3,6 V	-	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000	100 MHz	Non volatile	256 GBIT		Éclair	32g x 8	Parallèle	-
EDFA232A2PD-GD-FD	-	RFQ	6334	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	-	-	EDFA232	Sdram - mobile lpddr3	1,14 V ~ 1,95 V	-	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			OBSOLÈTE	0000.00.0000	1 680	800 MHz	Volatil	16 Gbit		Drachme	512m x 32	Parallèle	-
MT35XU01GBBA4G12-0SIT TR	-	RFQ	9496	Micron Technology Inc.	XCCELA ™ - MT35X	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C	Support de surface	24 TBGA	MT35XU01	Flash - ni	1,7 V ~ 2V	24-T-PBGA (6x8)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	2 500	200 MHz	Non volatile	1 gbit		Éclair	128m x 8	Bus xccela	-
M29F400FB55M3T2 TR	-	RFQ	6437	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Support de surface	44-SOIC (0 496 ", 12,60 mm de grandeur)	M29F400	Flash - ni	4,5 V ~ 5,5 V	44-so	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			OBSOLÈTE	0000.00.0000	500		Non volatile	4mbbitons	55 ns	Éclair	512k x 8, 256k x 16	Parallèle	55ns
MT53D256M64D4NY-046 XT: B TR	-	RFQ	9175	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-30 ° C ~ 105 ° C (TC)	-	-	MT53D256	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V	-	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	2 000	2.133 GHz	Volatil	16 Gbit		Drachme	256m x 64	-	-
M25px32-vzm6fba tr	-	RFQ	5671	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	24 TBGA	M25px32	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	24-T-PBGA (6x8)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	2 500	75 MHz	Non volatile	32mbitons		Éclair	4m x 8	Pimenter	15 ms, 5 ms
MT28F400B5WP-8 B TR	-	RFQ	1798	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	MT28F400B5	Flash - ni	4,5 V ~ 5,5 V	48-tsop i	télécharger	Rohs3 conforme	2 (1 AN)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	1 000		Non volatile	4mbbitons	80 ns	Éclair	512k x 8, 256k x 16	Parallèle	80ns
MT29F128G08AKCABH2-10ITZ: A TR	-	RFQ	2990	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	100 TBGA	MT29F128G08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	100-TBGA (12x18)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000	100 MHz	Non volatile	128 GBIT		Éclair	16g x 8	Parallèle	-
MTFC4GMWDQ-3M AIT TR	-	RFQ	8064	Micron Technology Inc.	E • MMC ™	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	100 lbga	Mtfc4	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	100 lbga (14x18)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000		Non volatile	32 Gbit		Éclair	4G x 8	MMC	-
PC28F512P30BF0	-	RFQ	8004	Micron Technology Inc.	AXCELL ™	Plateau	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	64 TBGA	PC28F512	Flash - ni	1,7 V ~ 2V	64-Easybga (8x10)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	184	52 MHz	Non volatile	512mbitons	100 ns	Éclair	32m x 16	Parallèle	100ns
MT48LC16M16A2B4-7E: G TR	-	RFQ	6643	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	54-VFBGA	MT48LC16M16A2	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-VFBGA (8x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	1 000	133 MHz	Volatil	256mbitons	5.4 ns	Drachme	16m x 16	Parallèle	14ns
MT62F512M32D2DS-031 AAT: B	17.4150	RFQ	3538	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Boîte	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C	Support de surface	200-WFBGA		Sdram - mobile lpddr5	-	200-WFBGA (10x14,5)	-				557-MT62F512M32D2DS-031AAT: B			1	3,2 GHz	Volatil	16 Gbit		Drachme	512m x 32	Parallèle	-
MT25QL128ABA8E12-0AAT	-	RFQ	4826	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	En gros	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	24 TBGA	MT25QL128	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	24-T-PBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 122	133 MHz	Non volatile	128mbitons		Éclair	16m x 8	Pimenter	8 ms, 2,8 ms
MT48LC8M16A2P-7E IT: L	-	RFQ	7224	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)	MT48LC8M16A2	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	1 080	133 MHz	Volatil	128mbitons	5.4 ns	Drachme	8m x 16	Parallèle	14ns
MT29F8T08EWLGEM5-ITF: G	304.1700	RFQ	3163	Micron Technology Inc.	-	Boîte	Actif								-				557-MT29F8T08EWLGEM5-ITF: G			1
MT62F1G64D4EK-023 AIT: C	86.2500	RFQ	9865	Micron Technology Inc.	-	Boîte	Actif								-				557-mt62f1g64d4ek-023ait: c			1

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Unité de produit standard
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Mémoire (10402)

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