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Mémoire (10402)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Fréquence d'Horloge	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page
MT28EW512ABA1HPC-0SIT TR	9.3300	RFQ	4363	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	64 LBGA	MT28EW512	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	64 LBGA (11x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	2 000		Non volatile	512mbitons	95 ns	Éclair	64m x 8, 32m x 16	Parallèle	60ns
MT29F4G01ABAFD12-AAT: F Tr	3.8498	RFQ	1574	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)	Support de surface	24 TBGA	MT29F4G01	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	24-T-PBGA (6x8)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	MT29F4G01ABAFD12-AAT: FTR		8542.32.0071	2 000		Non volatile	4 Gbit		Éclair	4G x 1	Pimenter	-
MT45W1MW16BDGB-708 à	-	RFQ	6316	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)	Support de surface	54-VFBGA	MT45W1MW16	Psram (pseudo sram)	1,7 V ~ 1,95 V	54-VFBGA (6x8)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0041	1 000		Volatil	16mbitons	70 ns	Psram	1m x 16	Parallèle	70ns
MT29F8T08EWLEEM5-QA: E	-	RFQ	7472	Micron Technology Inc.	-	Boîte	Obsolète								-				557-MT29F8T08EWLEEM5-QA: E	OBSOLÈTE		1
Edba232b2pd-1d-fr tr	-	RFQ	1397	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	-	-	EDBA232	Sdram - mobile lpddr2	1,14 V ~ 1,95 V	-	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			OBSOLÈTE	0000.00.0000	1 000	533 MHz	Volatil	16 Gbit		Drachme	512m x 32	Parallèle	-
MT48LC64M8A2P-75 IT: C	-	RFQ	9807	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)	MT48LC64M8A2	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	1 000	133 MHz	Volatil	512mbitons	5.4 ns	Drachme	64m x 8	Parallèle	15NS
MTC20C2085S1EC56BAZ	334.4700	RFQ	5253	Micron Technology Inc.	-	Boîte	Actif								-				557-MTC20C2085S1EC56BAZ			1
MT29F4G16ABAFAH4-AATES: F Tr	-	RFQ	8790	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)	Support de surface	63-VFBGA	MT29F4G16	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	63-VFBGA (9x11)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	2 000		Non volatile	4 Gbit		Éclair	256m x 16	Parallèle	-
MT29F1G08ABAEAWP-AATX: E	3.7300	RFQ	906	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	MT29F1G08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	48-tsop i	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	960		Non volatile	1 gbit		Éclair	128m x 8	Parallèle	-
MT46H16M16LFBF-6 IT: A TR	-	RFQ	9646	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	60-VFBGA	MT46H16M16	SDRAM - LPDDR MOBILE	1,7 V ~ 1,95 V	60-VFBGA (8x9)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	1 000	166 MHz	Volatil	256mbitons	5 ns	Drachme	16m x 16	Parallèle	12ns
MT41J256M16HA-125: E TR	-	RFQ	7041	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA	MT41J256M16	Sdram - ddr3	1 425V ~ 1 575 V	96-FBGA (9x14)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 000	800 MHz	Volatil	4 Gbit	13,75 ns	Drachme	256m x 16	Parallèle	-
MT47H32M16HR-25E AAT: G	-	RFQ	6168	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)	Support de surface	84-TFBGA	MT47H32M16	Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	84-fbga (8x12,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	1 000	400 MHz	Volatil	512mbitons	400 PS	Drachme	32m x 16	Parallèle	15NS
Mt53e4dadt-dc	22.5000	RFQ	1540	Micron Technology Inc.	-	En gros	Actif				MT53E4				-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	557-MT53E4DADT-DC			1 360
MT29E2T08CTCBBJ7-6: B Tr	-	RFQ	2726	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	152 LBGA	MT29E2T08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	152 LBGA (14x18)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			OBSOLÈTE	0000.00.0000	1 000	167 MHz	Non volatile	2 tbit		Éclair	256g x 8	Parallèle	-
MT40A512M16JY-062E: B	-	RFQ	5536	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA	MT40A512M16	Sdram - ddr4	1,14 V ~ 1,26 V	96-FBGA (8x14)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 368	1,6 GHz	Volatil	8 Gbit		Drachme	512m x 16	Parallèle	-
MT29F128G08CFAAAWP: A TR	-	RFQ	3979	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	MT29F128G08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	48-tsop i	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			3A991B1A	8542.32.0071	2 000		Non volatile	128 GBIT		Éclair	16g x 8	Parallèle	-
Mt53d4dany-dc tr	-	RFQ	7245	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		-	-	MT53D4	SDRAM - MOBILE LPDDR4		-	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		OBSOLÈTE	0000.00.0000	2 000		Volatil			Drachme
MT53B384M16D1NK-062 WT ES: B	-	RFQ	3629	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	-	-	MT53B384	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V	-	-		1 (illimité)			OBSOLÈTE	0000.00.0000	1 190	1,6 GHz	Volatil	6gbit		Drachme	384m x 16	-	-
MT49H64M9FM-25E: B Tr	-	RFQ	3964	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	144-TFBGA	MT49H64M9	Drachme	1,7 V ~ 1,9 V	144 µbga (18,5x11)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0028	1 000	400 MHz	Volatil	576mbit	15 ns	Drachme	64m x 9	Parallèle	-
M36W0R6050B4ZAQF TR	-	RFQ	3803	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète				M36W0R6050				-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			3A991B1A	8542.32.0071	2 500
MT29F4G01ABBFD12-AUT: F	4.2603	RFQ	6955	Micron Technology Inc.	-	Boîte	Actif								-				557-MT29F4G01ABBFD12-AUT: F			1
M50FW040NB5G	-	RFQ	7239	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-20 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	32-TFSOP (0 488 ", 12,40 mm de grand)	M50FW040	Flash - ni	3V ~ 3,6 V	32-tsop	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	208	33 MHz	Non volatile	4mbbitons	250 ns	Éclair	512k x 8	Parallèle	-
MT41K512M8RH-125 AIT: E TR	-	RFQ	3050	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	78-TFBGA	MT41K512M8	Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	78-fbga (9x10,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 000	800 MHz	Volatil	4 Gbit	13,75 ns	Drachme	512m x 8	Parallèle	-
MT29F256G08CBHBBJ4-3R: B	-	RFQ	9609	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	132-VBGA	MT29F256G08	Flash - Nand (MLC)	2,5 V ~ 3,6 V	132-VBGA (12x18)	-			Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 120	333 MHz	Non volatile	256 GBIT		Éclair	32g x 8	Parallèle	-
MT29TZZZ8D5JKEZB-107 W.95Q	-	RFQ	4014	Micron Technology Inc.	-	En gros	Obsolète	-25 ° C ~ 85 ° C	Support de surface	221-WFBGA	MT29TZZZ8	Flash - Nand, dram - lpddr3	1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V	221-WFBGA (13x11,5)	-		1 (illimité)	Atteindre non affecté		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1 520	933 MHz	Non volatile, volatile	64gbit (nand), 8gbit (LPDDR3)		Flash, Bélier	68g x 8 (NAND), 256m x 32 (LPDDR3)	MMC, LPDRAM	-
MT40A4G4FSE-083E: A TR	-	RFQ	3196	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	78-TFBGA	MT40A4G4	Sdram - ddr4	1,14 V ~ 1,26 V	78-fbga (9,5x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	2 000	1,2 GHz	Volatil	16 Gbit		Drachme	4G x 4	Parallèle	-
MT25QU128ABB8ESF-0UT	5.9500	RFQ	4	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Boîte	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur)	MT25QU128	Flash - ni	1,7 V ~ 2V	16-SOP2	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	-MT25QU128ABB8ESF-0UT	3A991B1A	8542.32.0051	1440	133 MHz	Non volatile	128mbitons		Éclair	16m x 8	Pimenter	8 ms, 2,8 ms
MT58L256L18D1T-6	6.7700	RFQ	17	Micron Technology Inc.	Syncburst ™	En gros	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP		SRAM - Standard	3.135V ~ 3,6 V	100-TQFP (14x20.1)	télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Vendeur indéfini		3A991B2A	8542.32.0041	1	166 MHz	Volatil	4mbbitons	3,5 ns	Sram	256k x 18	Parallèle	-
MT29F128G08CBCEBRT-37B: E TR	-	RFQ	5939	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	-	-	MT29F128G08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	-	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000	267 MHz	Non volatile	128 GBIT		Éclair	16g x 8	Parallèle	-
MT48LC32M8A2P-75 IT: D	-	RFQ	4244	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)	MT48LC32M8A2	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	2 (1 AN)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	1 000	133 MHz	Volatil	256mbitons	5.4 ns	Drachme	32m x 8	Parallèle	15NS

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Mémoire (10402)

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30 000 000

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