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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page |
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![]() | MT41J256M16HA-125: E TR | - | ![]() | 7041 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | MT41J256M16 | Sdram - ddr3 | 1 425V ~ 1 575 V | 96-FBGA (9x14) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 000 | 800 MHz | Volatil | 4 Gbit | 13,75 ns | Drachme | 256m x 16 | Parallèle | - | ||
MT47H32M16HR-25E AAT: G | - | ![]() | 6168 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Support de surface | 84-TFBGA | MT47H32M16 | Sdram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 84-fbga (8x12,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0028 | 1 000 | 400 MHz | Volatil | 512mbitons | 400 PS | Drachme | 32m x 16 | Parallèle | 15NS | |||
![]() | Mt53e4dadt-dc | 22.5000 | ![]() | 1540 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Actif | MT53E4 | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 557-MT53E4DADT-DC | 1 360 | ||||||||||||||||||
![]() | MT29E2T08CTCBBJ7-6: B Tr | - | ![]() | 2726 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 152 LBGA | MT29E2T08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 152 LBGA (14x18) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 000 | 167 MHz | Non volatile | 2 tbit | Éclair | 256g x 8 | Parallèle | - | ||||
MT40A512M16JY-062E: B | - | ![]() | 5536 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | MT40A512M16 | Sdram - ddr4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 96-FBGA (8x14) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 368 | 1,6 GHz | Volatil | 8 Gbit | Drachme | 512m x 16 | Parallèle | - | ||||
MT29F128G08CFAAAWP: A TR | - | ![]() | 3979 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | MT29F128G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-tsop i | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2 000 | Non volatile | 128 GBIT | Éclair | 16g x 8 | Parallèle | - | ||||||
![]() | Mt53d4dany-dc tr | - | ![]() | 7245 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | - | - | MT53D4 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | - | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 2 000 | Volatil | Drachme | ||||||||||
![]() | MT53B384M16D1NK-062 WT ES: B | - | ![]() | 3629 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | MT53B384 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | - | - | 1 (illimité) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 190 | 1,6 GHz | Volatil | 6gbit | Drachme | 384m x 16 | - | - | |||||
![]() | MT49H64M9FM-25E: B Tr | - | ![]() | 3964 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 144-TFBGA | MT49H64M9 | Drachme | 1,7 V ~ 1,9 V | 144 µbga (18,5x11) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0028 | 1 000 | 400 MHz | Volatil | 576mbit | 15 ns | Drachme | 64m x 9 | Parallèle | - | ||
![]() | M36W0R6050B4ZAQF TR | - | ![]() | 3803 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | M36W0R6050 | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2 500 | |||||||||||||||||
![]() | MT29F4G01ABBFD12-AUT: F | 4.2603 | ![]() | 6955 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | - | 557-MT29F4G01ABBFD12-AUT: F | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | MT41K512M8RH-125 AIT: E TR | - | ![]() | 3050 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 78-TFBGA | MT41K512M8 | Sdram - ddr3l | 1 283V ~ 1 45 V | 78-fbga (9x10,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 000 | 800 MHz | Volatil | 4 Gbit | 13,75 ns | Drachme | 512m x 8 | Parallèle | - | ||
![]() | MT29TZZZ8D5JKEZB-107 W.95Q | - | ![]() | 4014 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | -25 ° C ~ 85 ° C | Support de surface | 221-WFBGA | MT29TZZZ8 | Flash - Nand, dram - lpddr3 | 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 221-WFBGA (13x11,5) | - | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 520 | 933 MHz | Non volatile, volatile | 64gbit (nand), 8gbit (LPDDR3) | Flash, Bélier | 68g x 8 (NAND), 256m x 32 (LPDDR3) | MMC, LPDRAM | - | ||||
MT40A4G4FSE-083E: A TR | - | ![]() | 3196 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 78-TFBGA | MT40A4G4 | Sdram - ddr4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 78-fbga (9,5x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 2 000 | 1,2 GHz | Volatil | 16 Gbit | Drachme | 4G x 4 | Parallèle | - | ||||
![]() | MT25QU128ABB8ESF-0UT | 5.9500 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Boîte | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | MT25QU128 | Flash - ni | 1,7 V ~ 2V | 16-SOP2 | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | -MT25QU128ABB8ESF-0UT | 3A991B1A | 8542.32.0051 | 1440 | 133 MHz | Non volatile | 128mbitons | Éclair | 16m x 8 | Pimenter | 8 ms, 2,8 ms | ||
![]() | MT58L256L18D1T-6 | 6.7700 | ![]() | 17 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst ™ | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | SRAM - Standard | 3.135V ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x20.1) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 166 MHz | Volatil | 4mbbitons | 3,5 ns | Sram | 256k x 18 | Parallèle | - | |||
![]() | MT48LC32M8A2P-75 IT: D | - | ![]() | 4244 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur) | MT48LC32M8A2 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 2 (1 AN) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 000 | 133 MHz | Volatil | 256mbitons | 5.4 ns | Drachme | 32m x 8 | Parallèle | 15NS | ||
![]() | MT28F008B5VG-8 B TR | - | ![]() | 7280 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 40-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | MT28F008B5 | Flash - ni | 4,5 V ~ 5,5 V | 40 TSOP I | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 8mbitons | 80 ns | Éclair | 1m x 8 | Parallèle | 80ns | |||
![]() | Mt53b4dapv-dc tr | - | ![]() | 8620 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | - | - | MT53B4 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | - | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 000 | Volatil | Drachme | |||||||||||
![]() | MT53E768M64D4HJ-046 AAT: B TR | 47.8950 | ![]() | 6241 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Support de surface | 556-TFBGA | Sdram - mobile lpddr4x | 1 06 V ~ 1,17 V | 556-WFBGA (12.4x12.4) | - | 557-MT53E768M64D4HJ-046AAT: BTR | 2 000 | 2.133 GHz | Volatil | 48gbit | 3,5 ns | Drachme | 768m x 64 | Parallèle | 18n | |||||||
![]() | N25Q032A13ESEA0F TR | - | ![]() | 7534 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | N25Q032A13 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-SOP2 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 500 | 108 MHz | Non volatile | 32mbitons | Éclair | 8m x 4 | Pimenter | 8 ms, 5 ms | |||
![]() | MT46H16M32LFCM-5 IT: B | - | ![]() | 5861 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 90-VFBGA | MT46H16M32 | SDRAM - LPDDR MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 90-VFBGA (10x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 000 | 200 MHz | Volatil | 512mbitons | 5 ns | Drachme | 16m x 32 | Parallèle | 15NS | ||
![]() | MT29F2G08ABAEAH4-ITE: E | - | ![]() | 1690 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 63-VFBGA | MT29F2G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 63-VFBGA (9x11) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 2 gbit | Éclair | 256m x 8 | Parallèle | - | |||||
![]() | MT53D512M32D2NP-046 WT: D TR | - | ![]() | 4028 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 200-WFBGA | MT53D512 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 2 000 | 2.133 GHz | Volatil | 16 Gbit | Drachme | 512m x 32 | - | - | ||||
![]() | MTFC16GAKAECN-AIT | - | ![]() | 1987 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 153-VFBGA | Mtfc16 | Flash - Nand | 1,7 V ~ 1,9 V | 153-VFBGA (11,5x13) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 520 | Non volatile | 128 GBIT | Éclair | 16g x 8 | MMC | - | |||||
![]() | MT29F1HT08EMCBBJ4-37ES: B Tr | - | ![]() | 5844 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 132-VBGA | MT29F1HT08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 132-VBGA (12x18) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 267 MHz | Non volatile | 1,5 tbit | Éclair | 192g x 8 | Parallèle | - | |||
![]() | MT46H64M32LFCX-48 WT: B | - | ![]() | 7049 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 90-VFBGA | MT46H64M32 | SDRAM - LPDDR MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 90-VFBGA (9x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 000 | 208 MHz | Volatil | 2 gbit | 5 ns | Drachme | 64m x 32 | Parallèle | 14.4NS | |||
![]() | MT53D2G32D8QD-062 WT: D | - | ![]() | 9049 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | MT53D2G32 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | - | 1 (illimité) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 360 | 1,6 GHz | Volatil | 64gbit | Drachme | 2G x 32 | - | - | ||||||||
![]() | MT53B512M64D4NW-062 WT: C TR | - | ![]() | 5975 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | MT53B512 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | - | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 000 | 1,6 GHz | Volatil | 32 Gbit | Drachme | 512m x 64 | - | - | |||
![]() | RC28F640P30TF65A | - | ![]() | 8205 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 64 TBGA | RC28F640 | Flash - ni | 1,7 V ~ 2V | 64-Easybga (10x13) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 864 | 52 MHz | Non volatile | 64mbitons | 65 ns | Éclair | 4m x 16 | Parallèle | 65ns |
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