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Mémoire (10402)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Fréquence d'Horloge	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page
PC28F064M29EWHX	-	RFQ	8220	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	64 LBGA	PC28F064	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	64-fbga (11x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	184		Non volatile	64mbitons	60 ns	Éclair	8m x 8, 4m x 16	Parallèle	60ns
Mtfc32gjted-3f wt	-	RFQ	3737	Micron Technology Inc.	E • MMC ™	Plateau	Obsolète	-25 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	169-VFBGA	Mtfc32g	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	169-VFBGA (14x18)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			3A991B1A	8542.32.0071	1 000		Non volatile	256 GBIT		Éclair	32g x 8	MMC	-
MT62F3G32D8DV-023 IT: B	74.6400	RFQ	2741	Micron Technology Inc.	-	Boîte	Actif	-40 ° C ~ 95 ° C	-	-		Sdram - mobile lpddr5	-	-	-				557-mt62f3g32d8dv-023it: b			1	4.266 GHz	Volatil	96 Gbit		Drachme	3G x 32	Parallèle	-
MT29F8G08ABACAH4-ITS: C	-	RFQ	6788	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	63-VFBGA	MT29F8G08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	63-VFBGA (9x11)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 260		Non volatile	8 Gbit		Éclair	1g x 8	Parallèle	-
N25Q016A11EF640E	-	RFQ	1000	Micron Technology Inc.	-	En gros	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-VDFN	N25Q016A11	Flash - ni	1,7 V ~ 2V	8-VDFPN (6x5) (MLP8)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			OBSOLÈTE	0000.00.0000	2 940	108 MHz	Non volatile	16mbitons		Éclair	2m x 8	Pimenter	8 ms, 1 ms
MT28F800B5SG-8 TET	-	RFQ	7660	Micron Technology Inc.	-	Boîte	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	44-SOIC (0 496 ", 12,60 mm de grandeur)	MT28F800B5	Flash - ni	4,5 V ~ 5,5 V	44-so	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	500		Non volatile	8mbitons	80 ns	Éclair	1m x 8, 512k x 16	Parallèle	80ns
Pf48f4000p0zbqe3	-	RFQ	4389	Micron Technology Inc.	AXCELL ™	Plateau	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	88-VFBGA, CSPBGA	48f4000p0	Flash - ni	1,7 V ~ 2V	88-SCSP (8x11)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	176	52 MHz	Non volatile	256mbitons	100 ns	Éclair	16m x 16	Parallèle	100ns
M29w256gl7an6f tr	-	RFQ	5676	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	56-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	M29W256	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	56 TSOP	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 200		Non volatile	256mbitons	70 ns	Éclair	32m x 8, 16m x 16	Parallèle	70ns
MT47H512M4THN-37E: E TR	-	RFQ	5142	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	63-TFBGA	MT47H512M4	Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	63-fbga (8x10)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0036	1 000	267 MHz	Volatil	2 gbit	500 PS	Drachme	512m x 4	Parallèle	15NS
MT29F128G08CECGBJ4-37R: G TR	-	RFQ	6497	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	132-VBGA	MT29F128G08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	132-VBGA (12x18)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		MT29F128G08CECGBJ4-37R: GTR	3A991B1A	8542.32.0071	1 000	267 MHz	Non volatile	128 GBIT		Éclair	16g x 8	Parallèle	-
JS28F640J3D75E	-	RFQ	6669	Micron Technology Inc.	Strataflash ™	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	56-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	JS28F640J3	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	56 TSOP	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	576		Non volatile	64mbitons	75 ns	Éclair	8m x 8, 4m x 16	Parallèle	75ns
MT48H4M16LFF4-10	-	RFQ	8337	Micron Technology Inc.	-	Boîte	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54-VFBGA	MT48H4M16	SDRAM - LPSDR MOBILE	1,7 V ~ 1,9 V	54-VFBGA (8x8)	télécharger	Rohs non conforme	2 (1 AN)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	1 000	104 MHz	Volatil	64mbitons	7 ns	Drachme	4m x 16	Parallèle	15NS
M29F800DB55N1	-	RFQ	3913	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	M29F800	Flash - ni	4,5 V ~ 5,5 V	48 TSOP	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	96		Non volatile	8mbitons	55 ns	Éclair	1m x 8, 512k x 16	Parallèle	55ns
MT46H32M32LFMA-6 IT: B	-	RFQ	3049	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	168-WFBGA	MT46H32M32	SDRAM - LPDDR MOBILE	1,7 V ~ 1,95 V	168-WFBGA (12x12)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 000	166 MHz	Volatil	1 gbit	5 ns	Drachme	32m x 32	Parallèle	15NS
Ph28F320W18BE60A	-	RFQ	1882	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	-	Ph28F320W18	Flash - ni	1,7 V ~ 1,95 V	56-VFBGA	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			3A991B1A	8542.32.0071	336	52 MHz	Non volatile	32mbitons	60 ns	Éclair	2m x 16	Parallèle	60ns
MT53D512M64D4CR-053 WT: D TR	-	RFQ	4139	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	-	-	MT53D512	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V	-	-		3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	2 000	1 866 GHz	Volatil	32 Gbit		Drachme	512m x 64	-	-
MT47H128M16RT-25E XIT: C TR	17.2000	RFQ	552	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	84-TFBGA	MT47H128M16	Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	84-FBGA (9x12,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 000	400 MHz	Volatil	2 gbit	400 PS	Drachme	128m x 16	Parallèle	15NS
MT29F1G16ABBDAH4-IT: D	-	RFQ	9857	Micron Technology Inc.	-	En gros	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	63-VFBGA	MT29F1G16	Flash - Nand	1,7 V ~ 1,95 V	63-VFBGA (9x11)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 260		Non volatile	1 gbit		Éclair	64m x 16	Parallèle	-
MT28EW256ABA1LPC-1SIT TR	-	RFQ	1201	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	64 LBGA	MT28EW256	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	64 LBGA (11x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			3A991B1A	8542.32.0071	1 600		Non volatile	256mbitons	75 ns	Éclair	32m x 8, 16m x 16	Parallèle	60ns
MT48LC16M8A2P-6A IT: L	-	RFQ	4167	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)	MT48LC16M8A2	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	1 000	167 MHz	Volatil	128mbitons	5.4 ns	Drachme	16m x 8	Parallèle	12ns
MT53D4G16D8AL-062 WT: E TR	-	RFQ	3057	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)			MT53D4G16	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V		-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		MT53D4G16D8AL-062WT: ETR	OBSOLÈTE		2 000	1,6 GHz	Volatil	64gbit		Drachme	4G x 16	-	-
MT29RZ4C2DZZHGSK-18 W.80E	-	RFQ	4430	Micron Technology Inc.	-	En gros	Obsolète				MT29RZ4				-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000
MT29F512G08CKCABH7-6R: A	-	RFQ	5438	Micron Technology Inc.	-	En gros	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	152-TBGA	MT29F512G08	Flash - Nand (MLC)	2,7 V ~ 3,6 V	152-TBGA (14x18)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			3A991B1A	8542.32.0071	1 000	166 MHz	Non volatile	512gbit		Éclair	64g x 8	Parallèle	-
MTC10C1084S1EC48BAZ	171.6000	RFQ	4467	Micron Technology Inc.	-	Boîte	Actif								-				557-MTC10C1084S1EC48BAZ			1
MT40A2G4SA-075: E	10.1850	RFQ	5764	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Actif	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	78-TFBGA	MT40A2G4	Sdram - ddr4	1,14 V ~ 1,26 V	78-fbga (7,5x11)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 260	1,33 GHz	Volatil	8 Gbit		Drachme	2G x 4	Parallèle	-
MT53E2G32D8QD-053 WT: E TR	-	RFQ	9965	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)			MT53E2G32	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V		-					OBSOLÈTE	0000.00.0000	2 000	1 866 GHz	Volatil	64gbit		Drachme	2G x 32	-	-
Mt29c1g12maajvakc-5 it tr	-	RFQ	6070	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète				MT29C1G12M				-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			OBSOLÈTE	0000.00.0000	1 000
M29f400ft55m3e2	-	RFQ	2597	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Support de surface	44-SOIC (0 496 ", 12,60 mm de grandeur)	M29F400	Flash - ni	4,5 V ~ 5,5 V	44-so	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	-M29f400ft55m3e2	EAR99	8542.32.0071	40		Non volatile	4mbbitons	55 ns	Éclair	512k x 8, 256k x 16	Parallèle	55ns
MT25TL256BBA8ESF-0AAT	12.1200	RFQ	1	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur)	MT25TL256	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	16-SOP2	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1440	133 MHz	Non volatile	256mbitons		Éclair	32m x 8	Pimenter	8 ms, 2,8 ms
MT29F2G08ABBEAH4-AITX: E	3.7059	RFQ	3848	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	63-VFBGA	MT29F2G08	Flash - Nand	1,7 V ~ 1,95 V	63-VFBGA (9x11)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 260		Non volatile	2 gbit		Éclair	256m x 8	Parallèle	-

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