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Mémoire (10402)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Fréquence d'Horloge	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page
Mtfc8glwdq-3l Aiti z	-	RFQ	4915	Micron Technology Inc.	E • MMC ™	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	100 lbga	Mtfc8	Flash - Nand (SLC)	2,7 V ~ 3,6 V	100 lbga (14x18)	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)		MTFC8GLWDQ-3LAITIZ	OBSOLÈTE	0000.00.0000	980		Non volatile	64gbit		Éclair	8g x 8	MMC	-
Mt53e4d1aba-dc tr	22.5000	RFQ	4923	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif				MT53E4				-			Atteindre non affecté	557-MT53E4D1ABA-DCTR			2 000
M58LT128KST7ZA6F TR	-	RFQ	2698	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	64 TBGA	M58LT128	Flash - ni	1,7 V ~ 2V	64-TBGA (10x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			3A991B1A	8542.32.0071	2 500	52 MHz	Non volatile	128mbitons	70 ns	Éclair	8m x 16	Parallèle	70ns
Mtfc8gamalbh-ait tr	10.1550	RFQ	3894	Micron Technology Inc.	E • MMC ™	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	153-TFBGA	Mtfc8	Flash - Nand	-	153-TFBGA (11,5x13)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000		Non volatile	64gbit		Éclair	8g x 8	MMC	-
MT46H64M32LFBQ-48 IT: C TR	9.6750	RFQ	5878	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	90-VFBGA	MT46H64M32	SDRAM - LPDDR MOBILE	1,7 V ~ 1,95 V	90-VFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 000	208 MHz	Volatil	2 gbit	5 ns	Drachme	64m x 32	Parallèle	14.4NS
N25w128a11ef740f tr	-	RFQ	4635	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-25 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-VDFN	N25W128	Flash - ni	1,7 V ~ 2V	8-VDFPN (6x5) (MLP8)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			3A991B1A	8542.32.0071	4 000	108 MHz	Non volatile	128mbitons		Éclair	32m x 4	Pimenter	-
Mt28f400b3wg-8 t	-	RFQ	9883	Micron Technology Inc.	-	En gros	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	MT28F400B3	Flash - ni	3V ~ 3,6 V	48-tsop i	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	1 000		Non volatile	4mbbitons	80 ns	Éclair	512k x 8, 256k x 16	Parallèle	80ns
MT29F4G01ABAFD12-AUT: F	4.2603	RFQ	2937	Micron Technology Inc.	-	Boîte	Actif								-				557-MT29F4G01ABAFD12-AUT: F			1
MT29F64G08CBABAWP-IT: B	-	RFQ	2823	Micron Technology Inc.	-	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	MT29F64G08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	48-tsop i	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	960		Non volatile	64gbit		Éclair	8g x 8	Parallèle	-
PC28F128P30B85D TR	-	RFQ	6959	Micron Technology Inc.	Strataflash ™	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	64 TBGA	PC28F128	Flash - ni	1,7 V ~ 2V	64-Easybga (10x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	2 000	52 MHz	Non volatile	128mbitons	85 ns	Éclair	8m x 16	Parallèle	85ns
MT29RZ4B2DZZHHTB-18W.80F	-	RFQ	2413	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-25 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	162-VFBGA	MT29RZ4B2	Flash - Nand, dram - lpddr2	1,8 V	162-VFBGA (10.5x8)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000	533 MHz	Non volatile, volatile	4Gbit (nand), 2Gbit (LPDDR2)		Flash, Bélier	128m x 32 (NAND), 64m x 32 (LPDDR2)	Parallèle	-
M25p10-avmn3p / y	-	RFQ	3931	Micron Technology Inc.	-	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	M25P10	Flash - ni	2,3V ~ 3,6 V	8-so	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			EAR99	8542.32.0071	2 000	50 MHz	Non volatile	1mbit		Éclair	128k x 8	Pimenter	15 ms, 5 ms
MT62F1536M64D8EK-023 FAAT: B	94.8300	RFQ	3945	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Boîte	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C	Support de surface	441-TFBGA		Sdram - mobile lpddr5	-	441-TFBGA (14x14)	-				557-MT62F1536M64D8EK-023FAAT: B			1	4.266 GHz	Volatil	96 Gbit		Drachme	1,5 GX 64	Parallèle	-
Mt29f256g08cjabawp-it: b tr	-	RFQ	9831	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	MT29F256G08	Flash - Nand (MLC)	2,7 V ~ 3,6 V	48-tsop i	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			3A991B1A	8542.32.0071	1 000		Non volatile	256 GBIT		Éclair	32g x 8	Parallèle	-
MT41K512M4HX-187E: D	-	RFQ	7371	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Abandonné à sic	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	78-TFBGA	MT41K512M4	Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	78-fbga (9x11,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 000	533 MHz	Volatil	2 gbit	13.125 ns	Drachme	512m x 4	Parallèle	-
MT29E3T08EUHBBM4-3: B Tr	-	RFQ	5411	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	-	-	MT29E3T08	Flash - Nand	2,5 V ~ 3,6 V	-	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000	333 MHz	Non volatile	3 tbit		Éclair	384g x 8	Parallèle	-
MT29F2G01ABAGD12-AUT: G	3.2005	RFQ	6152	Micron Technology Inc.	-	Boîte	Actif								-				557-MT29F2G01ABAGD12-AUT: G			1
MT58L256L36FS-10TR	13.7700	RFQ	1	Micron Technology Inc.	Syncburst ™	En gros	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP		SRAM - Standard	3.135V ~ 3,6 V	100-TQFP (14x20.1)	télécharger	Non applicable	3 (168 Heures)	Vendeur indéfini		3A991B2A	8542.32.0041	500	66 MHz	Volatil	8mbitons	10 ns	Sram	256k x 36	Parallèle	-
MT48LC8M32LFB5-10 IT TR	-	RFQ	3814	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	90-VFBGA	MT48LC8M32	SDRAM - LPSDR MOBILE	3V ~ 3,6 V	90-VFBGA (8x13)	-	Rohs3 conforme	2 (1 AN)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	1 000	100 MHz	Volatil	256mbitons	7 ns	Drachme	8m x 32	Parallèle	15NS
MT29F256G08EBHAFJ4-3RES: A TR	-	RFQ	5715	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	132-VBGA	MT29F256G08	Flash - Nand (TLC)	2,5 V ~ 3,6 V	132-VBGA (12x18)	-		3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	2 000	333 MHz	Non volatile	256 GBIT		Éclair	32g x 8	Parallèle	-
MT46V64M8P-75 IT: D	-	RFQ	3004	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	MT46V64M8	Sdram - ddr	2,3V ~ 2,7 V	66 TSOP	-	Rohs3 conforme	4 (72 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	1 000	133 MHz	Volatil	512mbitons	750 PS	Drachme	64m x 8	Parallèle	15NS
MT58L512L18FF-7.5	16.5800	RFQ	96	Micron Technology Inc.	Syncburst ™	En gros	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	165-TBGA		SRAM - Standard	3.135V ~ 3,6 V	165-fbga (13x15)	télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Vendeur indéfini		3A991B2A	8542.32.0041	1	113 MHz	Volatil	8mbitons	7,5 ns	Sram	512k x 18	Parallèle	-
MT53D768M64D4SQ-053 WT ES: A	-	RFQ	8675	Micron Technology Inc.	-	Boîte	Obsolète	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)			MT53D768	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V		-		1 (illimité)			OBSOLÈTE	0000.00.0000	1 360	1 866 GHz	Volatil	48gbit		Drachme	768m x 64	-	-
MT44K32M18RB-107: A TR	-	RFQ	9681	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	168 TBGA	MT44K32M18	Drachme	1,28 V ~ 1,42 V	168-BGA (13,5x13,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			EAR99	8542.32.0024	1 000	933 MHz	Volatil	576mbit	10 ns	Drachme	32m x 18	Parallèle	-
N25Q128A11EF840F TR	-	RFQ	3325	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-VDFN	N25Q128A11	Flash - ni	1,7 V ~ 2V	8-VDFPN (MLP8) (8x6)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	4 000	108 MHz	Non volatile	128mbitons		Éclair	32m x 4	Pimenter	8 ms, 5 ms
MT47H32M16CC-5E IT: B Tr	-	RFQ	8151	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	84-TFBGA	MT47H32M16	Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	84-FBGA (12x12,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	1 000	200 MHz	Volatil	512mbitons	600 PS	Drachme	32m x 16	Parallèle	15NS
MT41K256M8DA-125 IT: K TR	4.4332	RFQ	4174	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	78-TFBGA	MT41K256M8	Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	78-fbga (8x10,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	2 000	800 MHz	Volatil	2 gbit	13,75 ns	Drachme	256m x 8	Parallèle	-
M28W160CB100N6T TR	-	RFQ	4747	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	M28W160	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	48 TSOP	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	1 500		Non volatile	16mbitons	100 ns	Éclair	1m x 16	Parallèle	100ns
N25Q128A13TF840F TR	-	RFQ	6085	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-VDFN	N25Q128A13	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	8-VDFPN (MLP8) (8x6)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	4 000	108 MHz	Non volatile	128mbitons		Éclair	16m x 8	Pimenter	8 ms, 5 ms
MT29C4G48MAZBAAKS-5 WT TR	-	RFQ	5923	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-25 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	137-VFBGA	MT29C4G48	Flash - NAND, LPDRAM MOBILE	1,7 V ~ 1,95 V	137-VFBGA (13x10,5)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			3A991B1A	8542.32.0071	1 000	200 MHz	Non volatile, volatile	4gbit (nand), 2gbit (lpdram)		Flash, Bélier	256m x 16 (NAND), 128m x 16 (LPDRAM)	Parallèle	-

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
15 000 m²
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Mémoire (10402)

2000+

30 000 000

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15 000 m2

15 000 m²