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Mémoire (10402)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT25QU512ABB8E12-0UT TR | 10.5450 |  | 6418 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | 24 TBGA | Mt25qu512 | Flash - ni | 1,7 V ~ 2V | 24-T-PBGA (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2 500 | 133 MHz | Non volatile | 512mbitons | Éclair | 64m x 8 | Pimenter | 8 ms, 2,8 ms | |||
 | MT53E512M32D2NP-053 RS WT: E | - | | 9875 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | Support de surface | 200-WFBGA | MT53E512 | 200-WFBGA (10x14,5) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | OBSOLÈTE | 1 360 | |||||||||||||||
 | MT29C1G12MAADYAKD-5 IT TR | - | | 5019 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 137-TFBGA | MT29C1G12 | Flash - NAND, LPDRAM MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 137-TFBGA (10.5x13) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 200 MHz | Non volatile, volatile | 1gbit (nand), 512mbit (lpdram) | Flash, Bélier | 64m x 16 (NAND), 16m x 32 (LPDRAM) | Parallèle | - | ||||
 | MT29F4G08AACHC: C | - | | 7224 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 63-VFBGA | MT29F4G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 63-VFBGA (10.5x13) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 4 Gbit | Éclair | 512m x 8 | Parallèle | - | ||||
 | N25q064a13esec0e | - | | 7574 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tube | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur) | N25Q064A13 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-So W | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 800 | 108 MHz | Non volatile | 64mbitons | Éclair | 16m x 4 | Pimenter | 8 ms, 5 ms | |||
 | MT47H64M16HR-25E AAT: H | - | | 3093 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Support de surface | 84-TFBGA | MT47H64M16 | Sdram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 84-fbga (8x12,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0032 | 1 000 | 400 MHz | Volatil | 1 gbit | 400 PS | Drachme | 64m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
| MT53E2G64D8TN-046 AAT: A TR | 122.8500 | | 1909 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Support de surface | 556-LFBGA | Sdram - mobile lpddr4x | 1 06 V ~ 1,17 V | 556-LFBGA (12.4x12.4) | - | 557-MT53E2G64D8TN-046AAT: ATR | 2 000 | 2.133 GHz | Volatil | 128 GBIT | 3,5 ns | Drachme | 2G x 64 | Parallèle | 18n | |||||||
| MT52L256M32D1V01MWC2 | 18.3600 | | 4830 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | * | En gros | Actif | MT52L256 | - | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||
 | MT29F128G08CBABH6-6: A | - | | 4066 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 152-VBGA | MT29F128G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 152-VBGA (14x18) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 166 MHz | Non volatile | 128 GBIT | Éclair | 16g x 8 | Parallèle | - | |||
| Mtfc16gapalgt-s1 | 17.6400 | | 6046 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Boîte | Actif | - | Support de surface | 153-TFBGA | Flash - Nand (SLC) | - | 153-TFBGA (11,5x13) | - | 557-mtfc16gapalgt-s1it | 1 | Non volatile | 128 GBIT | Éclair | 16g x 8 | EMMC_5.1 | - | |||||||||
 | M25p128-vme6tg tr | - | | 1844 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | FORÉ ™ | Ruban de Coupé (CT) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-VDFN | M25P128 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-VDFPN (MLP8) (8x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4 000 | 50 MHz | Non volatile | 128mbitons | Éclair | 16m x 8 | Pimenter | 15 ms, 7 ms | |||
| MT52L256M64D2QA-125 XT ES: B | - | | 3592 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | - | - | - | MT52L256 | Sdram - mobile lpddr3 | 1,2 V | - | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 190 | 800 MHz | Volatil | 16 Gbit | Drachme | 256m x 64 | - | - | |||
 | MT55L128L36F1T-11 | 6.5800 | | 4 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | ZBT® | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | Sram - zbt | 3.135V ~ 3 465V | 100-TQFP (14x20.1) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 90 MHz | Volatil | 4mbbitons | 8,5 ns | Sram | 128k x 36 | Parallèle | - | |||
| MT29F4G16ABBDAHC-IT: D TR | - | | 7337 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 63-VFBGA | MT29F4G16 | Flash - Nand | 1,7 V ~ 1,95 V | 63-VFBGA (10.5x13) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 4 Gbit | Éclair | 256m x 16 | Parallèle | - | ||||
 | MT29F256G08AUCDBJ6-6IT: D | - | | 7154 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 132 LBGA | MT29F256G08 | Flash - Nand (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 132 LBGA (12x18) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 120 | 167 MHz | Non volatile | 256 GBIT | Éclair | 32g x 8 | Parallèle | - | |||
 | MT29F256G08AUAAAC5-ITZ: A TR | - | | 3942 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 52-VLGA | MT29F256G08 | Flash - Nand (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 52-VLGA (18x14) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 256 GBIT | Éclair | 32g x 8 | Parallèle | - | ||||
 | JS28F256M29EBHB TR | - | | 3106 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 56-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | JS28F256M29 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 56 TSOP | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 000 | Non volatile | 256mbitons | 110 ns | Éclair | 32m x 8, 16m x 16 | Parallèle | 110ns | |||
| MT62F1G32D2DS-023 AUT: B TR | 36.7350 | | 8387 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C | Support de surface | 200-WFBGA | Sdram - mobile lpddr5 | 1,05 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | 557-MT62F1G32D2DS-023AUT: BTR | 2 000 | 3,2 GHz | Volatil | 32 Gbit | Drachme | 1g x 32 | Parallèle | - | ||||||||
| M29W128GSH70N6E | - | | 8387 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 56-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | M29W128 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 56 TSOP | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | Non volatile | 128mbitons | 70 ns | Éclair | 16m x 8, 8m x 16 | Parallèle | 70ns | |||
| Mtfc64gapalgt-aat | - | | 2879 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Acheter la Dernière | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Mtfc64 | Flash - Nand | - | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 557-mtfc64gapalgt-aat | 8542.32.0071 | 1 520 | Non volatile | 512gbit | Éclair | 64g x 8 | MMC | - | |||||||
| M29w640gsl70zs6f tr | - | | 8643 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 64 LBGA | M29W640 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 64-fbga (11x13) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 800 | Non volatile | 64mbitons | 70 ns | Éclair | 8m x 8, 4m x 16 | Parallèle | 70ns | ||||
| MT29F64G08CBEDBL84C3WC1-M | - | | 1075 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | Mourir | MT29F64G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | Mourir | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | Non volatile | 64gbit | Éclair | 8g x 8 | Parallèle | - | |||||
 | MT29F256G08CECEBJ4-37ITR: E | 22.0500 | | 7064 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 132-VBGA | MT29F256G08 | Flash - Nand (MLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 132-VBGA (12x18) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 8542.32.0071 | 1 120 | 267 MHz | Non volatile | 256 GBIT | Éclair | 32g x 8 | Parallèle | - | ||||
| MT53E768M64D4SQ-046 AAT: A | - | | 7367 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | MT53E768 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | MT53E768M64D4SQ-046AAT: A | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 360 | 2.133 GHz | Volatil | 48gbit | Drachme | 768m x 64 | - | - | ||||||
 | Mt29f512g08ebhbfj4-t: b tr | - | | 5259 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 132-VBGA | MT29F512G08 | Flash - Nand (TLC) | 2,5 V ~ 3,6 V | 132-VBGA (12x18) | - | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 557-MT29F512G08EBHBFJ4-T: BTR | OBSOLÈTE | 8542.32.0071 | 2 000 | Non volatile | 512gbit | Éclair | 64g x 8 | Parallèle | - | ||||
 | MT29F4G16Abadawp: D | - | | 5083 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tube | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | MT29F4G16 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-tsop i | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | Non volatile | 4 Gbit | Éclair | 256m x 16 | Parallèle | - | ||||
| MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80D | - | | 9010 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | - | - | MT29RZ4C8 | Flash - Nand, dram - lpddr2 | 1,8 V | - | - | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 533 MHz | Non volatile, volatile | 4Gbit (NAND), 4GBit (LPDDR2) | Flash, Bélier | 256m x 16 (NAND), 128m x 32 (LPDDR2) | Parallèle | - | |||||
| MT29F512G08EBLCEJ4-R: C TR | - | | 4651 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 132-VBGA | MT29F512G08 | Flash - Nand (TLC) | 2,6V ~ 3,6 V | 132-VBGA (12x18) | - | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 557-MT29F512G08EBLCEJ4-R: CTR | OBSOLÈTE | 8542.32.0071 | 2 000 | Non volatile | 512gbit | Éclair | 64g x 8 | Parallèle | - | ||||
| MT29F256G08CJABBWP-12: B | - | | 2026 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | MT29F256G08 | Flash - Nand (MLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-tsop i | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | 83 MHz | Non volatile | 256 GBIT | Éclair | 32g x 8 | Parallèle | - | |||
| MT29F32G08ABAAAWP-ITZ: A TR | 38.7300 | | 9683 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | MT29F32G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-tsop i | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 32 Gbit | Éclair | 4G x 8 | Parallèle | - |
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