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Mémoire (10402)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Fréquence d'Horloge	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page
MT29F64G08CBABBWP-12: B Tr	-	RFQ	5963	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	MT29F64G08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	48-tsop i	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000	83 MHz	Non volatile	64gbit		Éclair	8g x 8	Parallèle	-
MT53D512M32D2DS-046 AAT: D	-	RFQ	2423	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)	Support de surface	200-WFBGA	MT53D512	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V	200-WFBGA (10x14,5)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 360	2.133 GHz	Volatil	16 Gbit		Drachme	512m x 32	-	-
JR28F032M29EWBA	-	RFQ	4504	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	JR28F032M29	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	48-tsop i	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			3A991B1A	8542.32.0071	96		Non volatile	32mbitons	70 ns	Éclair	4m x 8, 2m x 16	Parallèle	70ns
MT29F256G08CMCABH2-12Z: A TR	-	RFQ	9450	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	100 TBGA	MT29F256G08	Flash - Nand (MLC)	2,7 V ~ 3,6 V	100-TBGA (12x18)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1 000	83 MHz	Non volatile	256 GBIT		Éclair	32g x 8	Parallèle	-
MT62F1G64D8EK-031 AAT: B TR	62.0700	RFQ	4623	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C	Support de surface	441-TFBGA		Sdram - mobile lpddr5	1,05 V	441-TFBGA (14x14)	-				557-MT62F1G64D8EK-031AAT: BTR			1 500	3,2 GHz	Volatil	64gbit		Drachme	1g x 64	Parallèle	-
MT29F64G08ABEBBH6-12: B Tr	-	RFQ	8892	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	152-VBGA	MT29F64G08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	152-VBGA (14x18)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000	83 MHz	Non volatile	64gbit		Éclair	8g x 8	Parallèle	-
MT40A512M8SA-062E AUT: F TR	19.1100	RFQ	8924	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C (TC)	Support de surface	78-TFBGA	MT40A512M8	Sdram - ddr4	1,14 V ~ 1,26 V	78-fbga (7,5x11)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	MT40A512M8SA-062EAUT: FTR	EAR99	8542.32.0036	2 000	1,6 GHz	Volatil	4 Gbit	19 ns	Drachme	512m x 8	Parallèle	15NS
MT44K64M18RB-083F: A	-	RFQ	2489	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	168 TBGA	MT44K64M18	Rldram 3	1,28 V ~ 1,42 V	168-BGA (13,5x13,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 190	1,2 GHz	Volatil	1 125 Gbit	6.67 ns	Drachme	64m x 18	Parallèle	-
MT53D384M32D2DS-053 WT: E	-	RFQ	7637	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Actif	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	200-WFBGA	MT53D384	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V	200-WFBGA (10x14,5)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 360	1 866 GHz	Volatil	12gbit		Drachme	384m x 32	-	-
M58LR256KB70ZC5Z	-	RFQ	9144	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-30 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	79-VFBGA	M58LR256	Flash - ni	1,7 V ~ 2V	79-VFBGA (9x11)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	-M58LR256KB70ZC5Z	3A991B1A	8542.32.0071	1 740	66 MHz	Non volatile	256mbitons	70 ns	Éclair	16m x 16	Parallèle	70ns
MT29F1G08ABAEAH4-IT: E	-	RFQ	5097	Micron Technology Inc.	-	En gros	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	63-VFBGA	MT29F1G08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	63-VFBGA (9x11)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 260		Non volatile	1 gbit		Éclair	128m x 8	Parallèle	-
MT29F2T08CTCBBJ7-6R: B Tr	-	RFQ	7502	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	152 LBGA	MT29F2T08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	152 LBGA (14x18)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			OBSOLÈTE	0000.00.0000	1 000	167 MHz	Non volatile	2 tbit		Éclair	256g x 8	Parallèle	-
MT29F1T08EBLCEJ4-ES: C	-	RFQ	6774	Micron Technology Inc.	-	Boîte	Actif								-				557-MT29F1T08EBLCEJ4-ES: C			1
MT53E2G32D4DE-046 WT: C	42.4500	RFQ	7309	Micron Technology Inc.	-	Boîte	Actif	-25 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	200-TFBGA		Sdram - mobile lpddr4x	1 06 V ~ 1,17 V	200-TFBGA (10x14,5)	télécharger				557-MT53E2G32D4DE-046WT: C			1	2.133 GHz	Volatil	64gbit	3,5 ns	Drachme	2G x 32	Parallèle	18n
MT53B512M32D2GZ-062 AIT: B	-	RFQ	1767	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	200-WFBGA	MT53B512	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V	200-WFBGA (11x14,5)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			OBSOLÈTE	0000.00.0000	1	1,6 GHz	Volatil	16 Gbit		Drachme	512m x 32	-	-
MT28EW512ABA1HPC-1SIT	-	RFQ	2614	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	64 LBGA	MT28EW512	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	64 LBGA (11x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	557-1788	3A991B1A	8542.32.0071	1 104		Non volatile	512mbitons	95 ns	Éclair	64m x 8, 32m x 16	Parallèle	60ns
MT29F1T08EEHAFJ4-3TES: A	-	RFQ	8138	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	132-VBGA	MT29F1T08	Flash - Nand	2,5 V ~ 3,6 V	132-VBGA (12x18)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 120	333 MHz	Non volatile	1 tbit		Éclair	128g x 8	Parallèle	-
MT28EW512ABA1HPC-0AAT TR	-	RFQ	2727	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	64 LBGA	MT28EW512	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	64 LBGA (11x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	2 000		Non volatile	512mbitons	105 ns	Éclair	64m x 8, 32m x 16	Parallèle	60ns
M29f200ft55n3f2 tr	-	RFQ	7685	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	M29F200	Flash - ni	4,5 V ~ 5,5 V	48-tsop i	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	1 500		Non volatile	2mbitons	55 ns	Éclair	256k x 8, 128k x 16	Parallèle	55ns
MT62F4G32D8DV-026 AIT: B TR	114.9600	RFQ	6187	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 95 ° C	-	-		Sdram - mobile lpddr5	-	-	-				557-mt62f4g32d8dv-026ait: btr			2 000	3,2 GHz	Volatil	128 GBIT		Drachme	4G x 32	Parallèle	-
MT29F2T08ELLCEG7-R: C	60 5400	RFQ	1551	Micron Technology Inc.	-	Boîte	Actif								-				557-MT29F2T08ELLCEG7-R: C			1
MTFC64GJVDN-4M	-	RFQ	4087	Micron Technology Inc.	E • MMC ™	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	169-LFBGA	Mtfc64	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	169-LFBGA (14x18)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			3A991B1A	8523.51.0000	1 000		Non volatile	512gbit		Éclair	64g x 8	MMC	-
MT55V512V32PT-7.5	17.3600	RFQ	551	Micron Technology Inc.	ZBT®	En gros	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP	MT55V512V	Sram - asynchrone, zbt	2,375V ~ 3 465 V	100-TQFP (14x20.1)	télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	Volatil	18mbitons	4.2 ns	Sram	512k x 32	Parallèle	-
Mtfc4gacajcn-4m it tr	-	RFQ	7863	Micron Technology Inc.	E • MMC ™	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	153-VFBGA	Mtfc4	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	153-VFBGA (11,5x13)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		MTFC4GACAJCN-4MITTR	OBSOLÈTE	8542.32.0071	1 000		Non volatile	32 Gbit		Éclair	4G x 8	MMC	-
M29W256GL70ZA6F TR	-	RFQ	3995	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	64 TBGA	M29W256	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	64-TBGA (10x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	2 500		Non volatile	256mbitons	70 ns	Éclair	32m x 8, 16m x 16	Parallèle	70ns
MT62F768M64D4EK-023 AIT: B TR	43.5300	RFQ	3305	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 95 ° C	Support de surface	441-TFBGA	MT62F768	Sdram - mobile lpddr5	-	441-TFBGA (14x14)	-				557-mt62f768m64d4ek-023ait: btr			1 500	3,2 GHz	Volatil	48gbit		Drachme	768m x 64	Parallèle	-
M28W640FCB70N6F TR	-	RFQ	9345	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	M28W640	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	48 TSOP	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 500		Non volatile	64mbitons	70 ns	Éclair	4m x 16	Parallèle	70ns
MT28GU256AAA2EGC-0SIT	-	RFQ	5204	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	64 TBGA	MT28GU256	Flash - ni	1,7 V ~ 2V	64-TBGA (10x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 800	133 MHz	Non volatile	256mbitons	96 ns	Éclair	32m x 8	Parallèle	-
MT53E512M64D2HJ-046 WT: B TR	26.1150	RFQ	4853	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-25 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	556-TFBGA	MT53E512	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1 06 V ~ 1,17 V	556-WFBGA (12.4x12.4)	télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	557-MT53E512M64D2HJ-046WT: BTR			2 000	2.133 GHz	Volatil	32 Gbit	3,5 ns	Drachme	512m x 64	Parallèle	18n
M25p80-vmc6g	-	RFQ	1124	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-UDFN	M25P80	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	8-UFDFPN (MLP8) (4x3)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	490	75 MHz	Non volatile	8mbitons		Éclair	1m x 8	Pimenter	15 ms, 5 ms

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