RFQ
Nager
Contactez-nous

Tél: + 86-0755-83501315

E-mail:sales@sic-components.com

Se connecter

Français

Mémoire (10402)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Fréquence d'Horloge	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page
NAND256W3A2BN6E	-	RFQ	7549	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	NAND256	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	48 TSOP	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	576		Non volatile	256mbitons	50 ns	Éclair	32m x 8	Parallèle	50ns
MT29RZ4C2DZZHGSK-18 W.80E TR	-	RFQ	1758	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète				MT29RZ4				-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000
MTFC128GAPALBH-AAT	105.4600	RFQ	1	Micron Technology Inc.	-	En gros	Acheter la Dernière	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)			MTFC128	Flash - Nand	-		-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	557-MTFC128GAPALBH-AAT	3A991B1A	8542.32.0071	1 520		Non volatile	1 tbit		Éclair	128g x 8	MMC	-
MT48LC8M16A2B4-6A: L	-	RFQ	6451	Micron Technology Inc.	-	En gros	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	54-VFBGA	MT48LC8M16A2	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-VFBGA (8x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	1 560	167 MHz	Volatil	128mbitons	5.4 ns	Drachme	8m x 16	Parallèle	12ns
M25PX32-VMW6E	-	RFQ	6549	Micron Technology Inc.	-	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur)	M25px32	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	8-So W	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 800	75 MHz	Non volatile	32mbitons		Éclair	4m x 8	Pimenter	15 ms, 5 ms
MT46V128M4P-5B: J	-	RFQ	1789	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	MT46V128M4	Sdram - ddr	2,5 V ~ 2,7 V	66 TSOP	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	1 000	200 MHz	Volatil	512mbitons	700 PS	Drachme	128m x 4	Parallèle	15NS
MT53B384M64D4NK-062 XT: B TR	-	RFQ	8517	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-30 ° C ~ 105 ° C (TC)	Support de surface	366-WFBGA	MT53B384	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V	366-WFBGA (15x15)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 000	1,6 GHz	Volatil	24gbit		Drachme	384m x 64	-	-
MT47H32M16HR-25E: G	-	RFQ	6255	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	84-TFBGA	MT47H32M16	Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	84-fbga (8x12,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	1 000	400 MHz	Volatil	512mbitons	400 PS	Drachme	32m x 16	Parallèle	15NS
MT62F2G64D8EK-026 AAT: B	126.4350	RFQ	2825	Micron Technology Inc.	-	Boîte	Actif								-				557-MT62F2G64D8EK-026AAT: B			1
Mt25ql02gbb8e12-0sit	34.7400	RFQ	6	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	24 TBGA	MT25QL02	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	24-T-PBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 122	133 MHz	Non volatile	2 gbit		Éclair	256m x 8	Pimenter	8 ms, 2,8 ms
M29f400ft5am62	-	RFQ	7474	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	44-SOIC (0 496 ", 12,60 mm de grandeur)	M29F400	Flash - ni	4,5 V ~ 5,5 V	44-so	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			OBSOLÈTE	0000.00.0000	240		Non volatile	4mbbitons	55 ns	Éclair	512k x 8, 256k x 16	Parallèle	55ns
MT29F4T08EQLEEG8-QD: E	105.9600	RFQ	1875	Micron Technology Inc.	-	Boîte	Actif								-				557-MT29F4T08EQLEEG8-QD: E			1
MT48H8M32LFB5-75: H	-	RFQ	5289	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	90-VFBGA	MT48H8M32	SDRAM - LPSDR MOBILE	1,7 V ~ 1,95 V	90-VFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	1 000	133 MHz	Volatil	256mbitons	5.4 ns	Drachme	8m x 32	Parallèle	15NS
MT29TZZZ5D6JKFRL-107 W.96R TR	-	RFQ	6916	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète				Mt29tzzz5				-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000
EDB8132B4PM-1DAT-FD	-	RFQ	3667	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)	Support de surface	168-WFBGA	EDB8132	Sdram - mobile lpddr2	1,14 V ~ 1,95 V	168-fbga (12x12)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 008	533 MHz	Volatil	8 Gbit		Drachme	256m x 32	Parallèle	-
MT29C2G48MAKLCJI-6	-	RFQ	7537	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	168-VFBGA	MT29C2G48	Flash - NAND, LPDRAM MOBILE	1,7 V ~ 1,95 V	-	télécharger	Rohs3 conforme	5 (48 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000	166 MHz	Non volatile, volatile	2gbit (nand), 1gbit (lpdram)		Flash, Bélier	128m x 16 (NAND), 32m x 32 (LPDRAM)	Parallèle	-
MT53D512M32D2NP-046 AIT ES: D TR	-	RFQ	8753	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	200-WFBGA	MT53D512	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V	200-WFBGA (10x14,5)	-		3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	2 000	2.133 GHz	Volatil	16 Gbit		Drachme	512m x 32	-	-
MT47H32M16HR-25E AIT: G TR	-	RFQ	9621	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	84-TFBGA	MT47H32M16	Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	84-fbga (8x12,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 000	400 MHz	Volatil	512mbitons	400 PS	Drachme	32m x 16	Parallèle	15NS
JS28F512P33BFD	-	RFQ	2334	Micron Technology Inc.	AXCELL ™	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	56-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	JS28F512P33	Flash - ni	2,3V ~ 3,6 V	56 TSOP	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	576	40 MHz	Non volatile	512mbitons	105 ns	Éclair	32m x 16	Parallèle	105ns
MT42L256M64D4LM-18 WT: A	-	RFQ	5457	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	216-VFBGA	MT42L256M64	Sdram - mobile lpddr2	1,14 V ~ 1,3 V	216-FBGA (12x12)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 008	533 MHz	Volatil	16 Gbit		Drachme	256m x 64	Parallèle	-
MT29F1G08ABAEAWP-AITX: E	3.5100	RFQ	948	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	MT29F1G08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	48-tsop i	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	960		Non volatile	1 gbit		Éclair	128m x 8	Parallèle	-
MT53E1G64D4NZ-046 WT: C TR	42.4500	RFQ	6338	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-25 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	376-WFBGA		Sdram - mobile lpddr4x	1 06 V ~ 1,17 V	376-WFBGA (14x14)	télécharger				557-MT53E1G64D4NZ-046WT: CTR			2 000	2.133 GHz	Volatil	64gbit	3,5 ns	Drachme	1g x 64	Parallèle	18n
MT29F2T08ELLCEG7-R: C TR	60 5400	RFQ	5587	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif								-				557-MT29F2T08ELLCEG7-R: CTR			2 000
MT53E2G32D8QD-046 WT: E TR	-	RFQ	2290	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)			MT53E2G32	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V		-					OBSOLÈTE	0000.00.0000	2 000	2.133 GHz	Volatil	64gbit		Drachme	2G x 32	-	-
MT52L256M32D1PF-107 WT: B	15.1400	RFQ	976	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Actif	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	178-VFBGA	MT52L256	Sdram - mobile lpddr3	1,2 V	178-fbga (11,5x11)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 890	933 MHz	Volatil	8 Gbit		Drachme	256m x 32	-	-
MT41K64M16JT-125: G TR	-	RFQ	8153	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA	MT41K64M16	Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	96-FBGA (8x14)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			EAR99	8542.32.0036	2 000	800 MHz	Volatil	1 gbit	13,75 ns	Drachme	64m x 16	Parallèle	-
N25Q064A13ESE40G	-	RFQ	9477	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur)	N25Q064A13	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	8-So W	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 800	108 MHz	Non volatile	64mbitons		Éclair	16m x 4	Pimenter	8 ms, 5 ms
N25Q032A13EF440E	-	RFQ	1691	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	8-UDFN	N25Q032A13	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	8-pdfn (3x3)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	490	108 MHz	Non volatile	32mbitons		Éclair	8m x 4	Pimenter	8 ms, 5 ms
MT46V32M8TG-5B: G TR	-	RFQ	4544	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	MT46V32M8	Sdram - ddr	2,5 V ~ 2,7 V	66 TSOP	télécharger	Rohs non conforme	2 (1 AN)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	1 000	200 MHz	Volatil	256mbitons	700 PS	Drachme	32m x 8	Parallèle	15NS
MT46V16M8TG-6T: D TR	4.9900	RFQ	10	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	MT46V16M8	Sdram - ddr	2,3V ~ 2,7 V	66 TSOP	télécharger	Rohs non conforme	2 (1 AN)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	1 000	167 MHz	Volatil	128mbitons	700 PS	Drachme	16m x 8	Parallèle	15NS

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
15 000 m²
Entrepôt en stock

Mémoire (10402)

2000+

30 000 000

2800+

15 000 m2

15 000 m²