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Mémoire (10402)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Fréquence d'Horloge	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page
MT44K32M36RB-093E: A TR	80.5650	RFQ	3189	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	168 TBGA	MT44K32M36	Rldram 3	1,28 V ~ 1,42 V	168-BGA (13,5x13,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 000	1 066 GHz	Volatil	1 125 Gbit	8 ns	Drachme	32m x 36	Parallèle	-
MTFC32GAKAEJP-5M AIT	-	RFQ	1324	Micron Technology Inc.	E • MMC ™	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	153-VFBGA	Mtfc32g	Flash - Nand	-	153-VFBGA (11,5x13)	-					3A991B1A	8542.32.0071	1 520		Non volatile	256 GBIT		Éclair	32g x 8	MMC	-
MT58L64L36PT-5	5.7500	RFQ	197	Micron Technology Inc.	Syncburst ™	En gros	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP	MT58L64L36	Sram	3.135V ~ 3,6 V	100-TQFP (14x20.1)	télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Vendeur indéfini		3A991B2A	8542.32.0041	1	200 MHz	Volatil	2mbitons	3,5 ns	Sram	64k x 36	Parallèle	-
M28W160CB90N6	-	RFQ	2333	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	M28W160	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	48 TSOP	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	96		Non volatile	16mbitons	90 ns	Éclair	1m x 16	Parallèle	90ns
MT53E768M32D4DT-046 AAT: E TR	29.2650	RFQ	5600	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)	Support de surface	200-VFBGA	MT53E768	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V	200-VFBGA (10x14,5)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	MT53E768M32D4DT-046AAT: ETR	EAR99	8542.32.0036	2 000	2.133 GHz	Volatil	24gbit		Drachme	768m x 32	-	-
N25q032a13esc40f tr	-	RFQ	9737	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	N25Q032A13	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	8-so	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	2 500	108 MHz	Non volatile	32mbitons		Éclair	8m x 4	Pimenter	8 ms, 5 ms
MT46H64M32LFCX-48 WT: B	-	RFQ	7049	Micron Technology Inc.	-	En gros	Obsolète	-25 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	90-VFBGA	MT46H64M32	SDRAM - LPDDR MOBILE	1,7 V ~ 1,95 V	90-VFBGA (9x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			EAR99	8542.32.0036	1 000	208 MHz	Volatil	2 gbit	5 ns	Drachme	64m x 32	Parallèle	14.4NS
M29W320DB70ZA3F TR	-	RFQ	5741	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Support de surface	63-TFBGA	M29W320	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	63-TFBGA (7x11)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	2 500		Non volatile	32mbitons	70 ns	Éclair	4m x 8, 2m x 16	Parallèle	70ns
MT62F1536M64D8EK-026 WT ES: B	102.0600	RFQ	1696	Micron Technology Inc.	-	Boîte	Actif	-25 ° C ~ 85 ° C	Support de surface	441-TFBGA		Sdram - mobile lpddr5	-	441-TFBGA (14x14)	-				557-MT62F1536M64D8EK-026WTES: B			1	3,2 GHz	Volatil	96 Gbit		Drachme	1,5 GX 64	-	-
MT53E256M32D2DS-053 WT: B	-	RFQ	9091	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	200-WFBGA	MT53E256	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V	200-WFBGA (10x14,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		MT53E256M32D2DS-053WT: B	EAR99	8542.32.0036	1 360	1 866 GHz	Volatil	8 Gbit		Drachme	256m x 32	-	-
Mt29f4g08aachc: c tr	-	RFQ	3384	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	63-VFBGA	MT29F4G08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	63-VFBGA (10.5x13)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000		Non volatile	4 Gbit		Éclair	512m x 8	Parallèle	-
M25p16-vmn6p	-	RFQ	3255	Micron Technology Inc.	-	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	M25P16	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	8-so	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	2 000	75 MHz	Non volatile	16mbitons		Éclair	2m x 8	Pimenter	15 ms, 5 ms
MT51J256M32HF-60: A TR	-	RFQ	1880	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	170-TFBGA	MT51J256	Sgram - gddr5	1,31V ~ 1,39 V, 1,46 V ~ 1,55 V	170-FBGA (12x14)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	2 000	1,5 GHz	Volatil	8 Gbit		Bélier	256m x 32	Parallèle	-
MT41K512M16TNA-125 IT: E TR	-	RFQ	5519	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA	MT41K512M16	Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	96-FBGA (10x14)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 000	800 MHz	Volatil	8 Gbit	13,5 ns	Drachme	512m x 16	Parallèle	-
MT29F8T08EULCHD5-M: C TR	167.8050	RFQ	8851	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif								-				557-MT29F8T08EULCHD5-M: CTR			2 000
MT41K128M16JT-107 AAT: K	7.7700	RFQ	1	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA	MT41K128M16	Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	96-FBGA (8x14)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	MT41K128M16JT-107AAT: K	EAR99	8542.32.0036	1 224	933 MHz	Volatil	2 gbit	20 ns	Drachme	128m x 16	Parallèle	15NS
MT53E768M32D2FW-046 AIT: C	20.7300	RFQ	4641	Micron Technology Inc.	-	Boîte	Actif								-				557-mt53e768m32d2fw-046ait: c			1
MT42L16M32D1AC-25 AAT: A	-	RFQ	9150	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)	Support de surface	134-VFBGA	MT42L16M32	Sdram - mobile lpddr2	1,14 V ~ 1,95 V	134-VFBGA (10x11,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 000	400 MHz	Volatil	512mbitons		Drachme	16m x 32	Parallèle	-
MT46H128M16LFDD-48 AIT: C TR	14.8400	RFQ	3	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	60-VFBGA	MT46H128M16	SDRAM - LPDDR MOBILE	1,7 V ~ 1,95 V	60-VFBGA (8x9)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 000	208 MHz	Volatil	2 gbit	5 ns	Drachme	128m x 16	Parallèle	14.4NS
M29F400FB55M3T2 TR	-	RFQ	6437	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Support de surface	44-SOIC (0 496 ", 12,60 mm de grandeur)	M29F400	Flash - ni	4,5 V ~ 5,5 V	44-so	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			OBSOLÈTE	0000.00.0000	500		Non volatile	4mbbitons	55 ns	Éclair	512k x 8, 256k x 16	Parallèle	55ns
MT45W512KW16PEGA-70 WT TR	-	RFQ	2698	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	48-VFBGA	MT45W512KW16	Psram (pseudo sram)	1,7 V ~ 1,95 V	48-VFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	1 000		Volatil	8mbitons	70 ns	Psram	512k x 16	Parallèle	70ns
MT53E128M32D2DS-046 AIT: A TR	-	RFQ	8654	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	200-WFBGA	MT53E128	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V	200-WFBGA (10x14,5)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		MT53E128M32D2DS-046AIT: ATR	EAR99	8542.32.0036	2 000	2.133 GHz	Volatil	4 Gbit		Drachme	128m x 32	-	-
N25Q128A21BF840E	-	RFQ	6945	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-VDFN	N25Q128A21	Flash - ni	1,7 V ~ 2V	8-VDFPN (MLP8) (8x6)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			3A991B1A	8542.32.0071	320	108 MHz	Non volatile	128mbitons		Éclair	32m x 4	Pimenter	8 ms, 5 ms
Mtfc4gacaaea-wt tr	-	RFQ	9350	Micron Technology Inc.	E • MMC ™	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-25 ° C ~ 85 ° C (TA)			Mtfc4	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V		-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000		Non volatile	32 Gbit		Éclair	4G x 8	MMC	-
MT29KZZZ4D4TGFAK-5 W.6Z4	-	RFQ	1071	Micron Technology Inc.	-	En gros	Obsolète								-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000
MT62F1G32D2DS-023 AAT: C	31.9350	RFQ	2429	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Boîte	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C	Support de surface	200-WFBGA		Sdram - mobile lpddr5	1,05 V	200-WFBGA (10x14,5)	-				557-MT62F1G32D2DS-023AAT: C			1	3,2 GHz	Volatil	32 Gbit		Drachme	1g x 32	Parallèle	-
MT29F2G08ABAFAH4-S: F Tr	-	RFQ	5236	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	63-VFBGA	MT29F2G08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	63-VFBGA (9x11)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000		Non volatile	2 gbit		Éclair	256m x 8	Parallèle	-
M28W160CB100N6T TR	-	RFQ	4747	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	M28W160	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	48 TSOP	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	1 500		Non volatile	16mbitons	100 ns	Éclair	1m x 16	Parallèle	100ns
EDF4432ACPE-GD-FD	-	RFQ	1010	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	-	-	EDF4432	Sdram - mobile lpddr3	1,14 V ~ 1,95 V	-	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			OBSOLÈTE	0000.00.0000	1 520	800 MHz	Volatil	4 Gbit		Drachme	128m x 32	Parallèle	-
M29W800FB70N3E	-	RFQ	4272	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	M29W800	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	48-tsop i	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			EAR99	8542.32.0071	96		Non volatile	8mbitons	70 ns	Éclair	1m x 8, 512k x 16	Parallèle	70ns

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Volume de RFQ moyen quotidien
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Unité de produit standard
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Mémoire (10402)

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