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Mémoire (10402)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Fréquence d'Horloge	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page
N25Q128A13E1240E	-	RFQ	7094	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	24 TBGA	N25Q128A13	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	24-T-PBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	557-1560	3A991B1A	8542.32.0071	1 122	108 MHz	Non volatile	128mbitons		Éclair	32m x 4	Pimenter	8 ms, 5 ms
MT48LC16M4A2P-75: G	-	RFQ	5295	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)	MT48LC16M4A2	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	2 (1 AN)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	1 000	133 MHz	Volatil	64mbitons	5.4 ns	Drachme	16m x 4	Parallèle	15NS
MT29F32G08CBACAWP-IT: C	-	RFQ	3026	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	MT29F32G08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	48-tsop i	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			3A991B1A	8542.32.0071	1 000		Non volatile	32 Gbit		Éclair	4G x 8	Parallèle	-
N25Q512A83G12A0F TR	-	RFQ	8291	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Support de surface	24 TBGA	N25Q512A83	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	24-T-PBGA (6x8)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		OBSOLÈTE	0000.00.0000	2 500	108 MHz	Non volatile	512mbitons		Éclair	128m x 4	Pimenter	8 ms, 5 ms
MT46V64M8P-6T IT: F Tr	-	RFQ	3320	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	MT46V64M8	Sdram - ddr	2,3V ~ 2,7 V	66 TSOP	télécharger	Rohs3 conforme	4 (72 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	1 000	167 MHz	Volatil	512mbitons	700 PS	Drachme	64m x 8	Parallèle	15NS
MT29F1G08ABADAH4-ITE: D TR	-	RFQ	6982	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	63-VFBGA	MT29F1G08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	63-VFBGA (9x11)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000		Non volatile	1 gbit		Éclair	128m x 8	Parallèle	-
MT40A1G8AG-062E AAT: R TR	-	RFQ	4189	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif								-			Atteindre non affecté	557-MT40A1G8AG-062EAAT: RTR			1
MT47H128M4CB-3: B	-	RFQ	3268	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	60-fbga	MT47H128M4	Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	60-fbga	télécharger	Rohs3 conforme	5 (48 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	1 000	333 MHz	Volatil	512mbitons	450 PS	Drachme	128m x 4	Parallèle	15NS
MT53B256M64D2NK-062 WT ES: C	-	RFQ	4302	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	-	-	MT53B256	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V	-	-		1 (illimité)			OBSOLÈTE	0000.00.0000	1 190	1,6 GHz	Volatil	16 Gbit		Drachme	256m x 64	-	-
MT29F1HT08EMHBBJ4-3RES: B TR	-	RFQ	7853	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	132-VBGA	MT29F1HT08	Flash - Nand	2,5 V ~ 3,6 V	132-VBGA (12x18)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000	333 MHz	Non volatile	1,5 tbit		Éclair	192g x 8	Parallèle	-
MT46H64M32L2CG-5 IT: A TR	-	RFQ	8389	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	152-VFBGA	MT46H64M32	SDRAM - LPDDR MOBILE	1,7 V ~ 1,95 V	152-VFBGA (14x14)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 000	200 MHz	Volatil	2 gbit	5 ns	Drachme	64m x 32	Parallèle	15NS
N25Q008A11EF640E	-	RFQ	7264	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)			N25Q008A11	Flash - ni	1,7 V ~ 2V		-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	490	108 MHz	Non volatile	8mbitons		Éclair	1m x 8	Pimenter	8 ms, 5 ms
MT42L128M64D2LN-18 WT: A	-	RFQ	9341	Micron Technology Inc.	-	En gros	Obsolète	-25 ° C ~ 85 ° C (TC)	-	-	MT42L128M64	Sdram - mobile lpddr2	1,14 V ~ 1,3 V	-	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			EAR99	8542.32.0036	1	533 MHz	Volatil	8 Gbit		Drachme	128m x 64	Parallèle	-
MT48LC16M8A2TG-75 L: G	-	RFQ	5595	Micron Technology Inc.	-	Boîte	Abandonné à sic	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)	MT48LC16M8A2	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs non conforme	2 (1 AN)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	1 000	133 MHz	Volatil	128mbitons	5.4 ns	Drachme	16m x 8	Parallèle	15NS
MT29C1G56MAACAVAMD-6	-	RFQ	1334	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	130-VFBGA	MT29C1G56	Flash - NAND, LPDRAM MOBILE	1,7 V ~ 1,95 V	130-VFBGA (8x9)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000	166 MHz	Non volatile, volatile	1gbit (nand), 256mbit (lpdram)		Flash, Bélier	128m x 8 (nand), 8m x 32 (lpdram)	Parallèle	-
MT29F1T08CUCABK8-6: A TR	-	RFQ	2549	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	-	-	MT29F1T08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	-	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			3A991B1A	8542.32.0071	1 000	167 MHz	Non volatile	1 tbit		Éclair	128g x 8	Parallèle	-
MT29F128G08CECABH1-12ITZ: A TR	-	RFQ	5712	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	100 VBGA	MT29F128G08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	100 VBGA (12x18)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000	83 MHz	Non volatile	128 GBIT		Éclair	16g x 8	Parallèle	-
M25px16-vmn6p	-	RFQ	4031	Micron Technology Inc.	-	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	M25px16	Flash - ni	2,3V ~ 3,6 V	8-so	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	2 000	75 MHz	Non volatile	16mbitons		Éclair	2m x 8	Pimenter	15 ms, 5 ms
MT40A8G4KVA-075H: G	-	RFQ	3794	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	78-TFBGA	MT40A8G4	Sdram - ddr4	1,14 V ~ 1,26 V	78-fbga (8x12)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			OBSOLÈTE	0000.00.0000	1	1,33 GHz	Non volatile	32 Gbit	27 ns	Drachme	8g x 4	Parallèle	-
MT53E128M32D2DS-046 AAT: A	12.1200	RFQ	2	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)	Support de surface	200-WFBGA	MT53E128	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V	200-WFBGA (10x14,5)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	MT53E128M32D2DS-046AAT: A	EAR99	8542.32.0036	1 360	2.133 GHz	Volatil	4 Gbit		Drachme	128m x 32	-	-
MT40A4G8NEA-062E: F	52.5000	RFQ	7506	Micron Technology Inc.	Twindie ™	Plateau	Actif	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	78-TFBGA	MT40A4G8	Sdram - ddr4	1,14 V ~ 1,26 V	78-fbga (7,5x11)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	557-MT40A4G8NEA-062E: F			1 260	1,6 GHz	Volatil	32 Gbit	13,75 ns	Drachme	4G x 8	Parallèle	-
Mtfc16gjdec-4m it tr	-	RFQ	8433	Micron Technology Inc.	E • MMC ™	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	169-WFBGA	Mtfc16g	Flash - Nand	1,65 V ~ 3,6 V	169-WFBGA (14x18)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000		Non volatile	128 GBIT		Éclair	16g x 8	MMC	-
M29W800DB70M6	-	RFQ	4504	Micron Technology Inc.	-	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	44-SOIC (0,525 ", 13,34 mm de grosur)	M29W800	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	44-so	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	16		Non volatile	8mbitons	70 ns	Éclair	1m x 8, 512k x 16	Parallèle	70ns
NP8P128A13B1760E	-	RFQ	1610	Micron Technology Inc.	Omneo ™	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TC)	Support de surface	64 TBGA	NP8P128A	PCM (Pram)	2,7 V ~ 3,6 V	64-Easybga (8x10)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B	8542.32.0051	1 800		Non volatile	128mbitons	115 ns	PCM (Pram)	16m x 8	Parallèle, spi	115ns
MT29F1T08EEHAFJ4-3T: A TR	-	RFQ	2414	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	132-VBGA	MT29F1T08	Flash - Nand	2,5 V ~ 3,6 V	132-VBGA (12x18)	-					3A991B1A	8542.32.0071	1 000	333 MHz	Non volatile	1 tbit		Éclair	128g x 8	Parallèle	-
MT47H128M8SH-187E: M	-	RFQ	8463	Micron Technology Inc.	-	En gros	Obsolète	0 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	60-TFBGA	MT47H128M8	Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	60-fbga (8x10)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0032	1 518	533 MHz	Volatil	1 gbit	350 PS	Drachme	128m x 8	Parallèle	15NS
MT29F512G08CMCBBH7-6ITR: B	-	RFQ	6520	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	152-TBGA	MT29F512G08	Flash - Nand (MLC)	2,7 V ~ 3,6 V	152-TBGA (14x18)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			3A991B1A	8542.32.0071	980	166 MHz	Non volatile	512gbit		Éclair	64g x 8	Parallèle	-
Rc28f00am29ewha	-	RFQ	8077	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	64 LBGA	Rc28f00	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	64-fbga (11x13)	télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 104		Non volatile	1 gbit	100 ns	Éclair	128m x 8, 64m x 16	Parallèle	100ns
MTFC8GLWDM-AIT Z	-	RFQ	8683	Micron Technology Inc.	E • MMC ™	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	153-TFBGA	Mtfc8	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	153-TFBGA (11,5x13)	-			Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 520		Non volatile	64gbit		Éclair	8g x 8	MMC	-
MT28F640J3RG-115 GMET	-	RFQ	8505	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	56-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	MT28F640J3	Éclair	2,7 V ~ 3,6 V	56 TSOP	télécharger	Rohs non conforme	2 (1 AN)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000		Non volatile	64mbitons	115 ns	Éclair	8m x 8, 4m x 16	Parallèle	-

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Volume de RFQ moyen quotidien
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Unité de produit standard
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Mémoire (10402)

2000+

30 000 000

2800+

15 000 m2

15 000 m²