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Mémoire (10402)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	ECCN	HTSUS	Norme de package	Fréquence d'Horloge	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page
MT45W1MW16BAFB-706 WT TR	-	RFQ	1133	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	54-VFBGA	MT45W1MW16	Psram (pseudo sram)	1,7 V ~ 1,95 V	54-VFBGA (6x9)	télécharger	Rohs non conforme	2 (1 AN)	Atteindre non affecté	3A991B2A	8542.32.0041	2 000		Volatil	16mbitons	70 ns	Psram	1m x 16	Parallèle	70ns
MT47H64M8CB-3: B Tr	-	RFQ	6568	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	60-fbga	MT47H64M8	Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	60-fbga	télécharger	Rohs3 conforme	5 (48 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0024	1 000	333 MHz	Volatil	512mbitons	450 PS	Drachme	64m x 8	Parallèle	15NS
EDB130ABDBH-1D-FD	-	RFQ	5596	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	134-VFBGA	EDB130A	Sdram - mobile lpddr2	1,14 V ~ 1,95 V	134-VFBGA (10x11,5)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	OBSOLÈTE	0000.00.0000	1 600	533 MHz	Volatil	1 gbit		Drachme	64m x 16, 32m x 32	Parallèle	-
MT48LC32M8A2TG-75: D TR	-	RFQ	3718	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)	MT48LC32M8A2	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0024	1 000	133 MHz	Volatil	256mbitons	5.4 ns	Drachme	32m x 8	Parallèle	15NS
MT48H4M16LFB4-8	-	RFQ	4650	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	54-VFBGA	MT48H4M16	SDRAM - LPSDR MOBILE	1,7 V ~ 1,9 V	54-VFBGA (8x8)	télécharger	Rohs3 conforme	2 (1 AN)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0002	1 000	125 MHz	Volatil	64mbitons	6 ns	Drachme	4m x 16	Parallèle	15NS
M45PE40-VMP6G	-	RFQ	2362	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-VDFN	M45PE40	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	8-VDFPN (6x5) (MLP8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0071	490	75 MHz	Non volatile	4mbbitons		Éclair	512k x 8	Pimenter	15 ms, 3 ms
M29W160ET70N6F TR	-	RFQ	2950	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	M29W160	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	48 TSOP	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0071	1 500		Non volatile	16mbitons	70 ns	Éclair	2m x 8, 1m x 16	Parallèle	70ns
RD28F1604C3BD70A	-	RFQ	5104	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-25 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	66-LFBGA, CSPBGA	RD28F1604	Flash, sram	2,7 V ~ 3,3 V	66-SCSP (12x8)	télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0071	1 800		Non volatile, volatile	16mbit (flash), 4mbit (RAM)	70 ns	Flash, Bélier	-	Parallèle	70ns
MT45W4MW16BBB-706 L WT	-	RFQ	2337	Micron Technology Inc.	-	Boîte	Abandonné à sic	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	54-VFBGA	MT45W4MW16	Psram (pseudo sram)	1,7 V ~ 1,95 V	54-VFBGA (6x9)	télécharger	Rohs3 conforme	2 (1 AN)	Atteindre non affecté	3A991B2A	8542.32.0041	2 000		Volatil	64mbitons	70 ns	Psram	4m x 16	Parallèle	70ns
M25p40-vmn3tpb tr	-	RFQ	8712	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	M25p40	Flash - ni	2,3V ~ 3,6 V	8-so	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0071	2 500	75 MHz	Non volatile	4mbbitons		Éclair	512k x 8	Pimenter	15 ms, 5 ms
MT49H16M18FM-25: B	-	RFQ	2659	Micron Technology Inc.	-	Boîte	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	144-TFBGA	MT49H16M18	Drachme	1,7 V ~ 1,9 V	144 µbga (18,5x11)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	3A991B2A	8542.32.0028	1 000	400 MHz	Volatil	288mbitons	20 ns	Drachme	16m x 18	Parallèle	-
Mt53b2darn-dc tr	-	RFQ	8860	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic								-			Atteindre non affecté		0000.00.0000	2 000
MT29F1T08CUECBH8-12: C Tr	-	RFQ	6167	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	152 LBGA	MT29F1T08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	152 LBGA (14x18)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	3A991B1A	8542.32.0071	1 000	83 MHz	Non volatile	1 tbit		Éclair	128g x 8	Parallèle	-
M50FLW080BNB5G	-	RFQ	8689	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-20 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	32-TFSOP (0 488 ", 12,40 mm de grand)	M50FLW080	Flash - ni	3V ~ 3,6 V	32-tsop	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0071	208	33 MHz	Non volatile	8mbitons	250 ns	Éclair	1m x 8	Parallèle	-
Mt48v4m32lfb5-8: g tr	-	RFQ	9279	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	90-VFBGA	MT48V4M32	SDRAM - LPSDR MOBILE	2,3V ~ 2,7 V	90-VFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	2 (1 AN)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0002	1 000	125 MHz	Volatil	128mbitons	7 ns	Drachme	4m x 32	Parallèle	15NS
MT28GU256AAA2EGC-0AAT	-	RFQ	6426	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	En gros	Obsolète	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	64 TBGA	MT28GU256	Flash - ni	1,7 V ~ 2V	64-TBGA (10x8)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	3A991B1A	8542.32.0071	1 800	133 MHz	Non volatile	256mbitons	96 ns	Éclair	32m x 8	Parallèle	-
MTFC128GAPALNS-AAT ES TR	-	RFQ	1155	Micron Technology Inc.	E • MMC ™	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	153-TFBGA	MTFC128	Flash - Nand	-	153-TFBGA (11,5x13)	-		1 (illimité)		3A991B1A	8542.32.0071	1 000		Non volatile	1 tbit		Éclair	128g x 8	MMC	-
MT28FW01GABA1HJS-0AAT	-	RFQ	4206	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	En gros	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	56-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	MT28FW01	Flash - ni	1,7 V ~ 3,6 V	56 TSOP	-		3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	3A991B1A	8542.32.0071	576		Non volatile	1 gbit	105 ns	Éclair	64m x 16	Parallèle	60ns
MT46V8M16P-6T L: D TR	-	RFQ	8522	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	MT46V8M16	Sdram - ddr	2,3V ~ 2,7 V	66 TSOP	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0002	1 000	167 MHz	Volatil	128mbitons	700 PS	Drachme	8m x 16	Parallèle	15NS
MT48V8M32LFB5-10	-	RFQ	8166	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	90-VFBGA	MT48V8M32	SDRAM - LPSDR MOBILE	2,3V ~ 2,7 V	90-VFBGA (8x13)	-	Rohs3 conforme	2 (1 AN)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0024	1 000	100 MHz	Volatil	256mbitons	7 ns	Drachme	8m x 32	Parallèle	15NS
MT53B384M32D2NP-062 WT: B	-	RFQ	9224	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	200-WFBGA	MT53B384	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V	200-WFBGA (10x14,5)	-			Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0036	1 360	1,6 GHz	Volatil	12gbit		Drachme	384m x 32	-	-
M29f800ft5am6f2 tr	-	RFQ	6192	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	44-SOIC (0 496 ", 12,60 mm de grandeur)	M29F800	Flash - ni	4,5 V ~ 5,5 V	44-so	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0071	500		Non volatile	8mbitons	55 ns	Éclair	1m x 8, 512k x 16	Parallèle	55ns
MT53D1024M32D4NQ-046 WT ES: D TR	-	RFQ	1818	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	200-VFBGA	MT53D1024	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V	200-VFBGA (10x14,5)	-		3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0036	2 000	2.133 GHz	Volatil	32 Gbit		Drachme	1g x 32	-	-
M25PE20-V6D11	-	RFQ	6682	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	-	-	M25PE20	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	-	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1	75 MHz	Non volatile	2mbitons		Éclair	256k x 8	Pimenter	15 ms, 3 ms
MT48H16M32L2F5-10 TR	-	RFQ	1968	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	90-VFBGA	MT48H16M32	SDRAM - LPSDR MOBILE	1,7 V ~ 1,9 V	90-VFBGA (8x13)	télécharger	Rohs non conforme	2 (1 AN)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0024	1 000	100 MHz	Volatil	512mbitons	7,5 ns	Drachme	16m x 32	Parallèle	-
MT28F400B5WG-8 BET TR	-	RFQ	2821	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	MT28F400B5	Flash - ni	4,5 V ~ 5,5 V	48-tsop i	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0071	1 000		Non volatile	4mbbitons	80 ns	Éclair	512k x 8, 256k x 16	Parallèle	80ns
MT29F4G16ABAEAWP: E TR	-	RFQ	6172	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	MT29F4G16	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	48-tsop i	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	3A991B1A	8542.32.0071	1 000		Non volatile	4 Gbit		Éclair	256m x 16	Parallèle	-
MT29RZ4B4DZZMGWD-18I.80C	-	RFQ	1429	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	162-VFBGA	MT29RZ4B4	Flash - Nand, dram - lpddr2	1,8 V	162-VFBGA (10.5x8)	-			Atteindre non affecté	3A991B1A	8542.32.0071	1440	533 MHz	Non volatile, volatile	4Gbit (NAND), 4GBit (LPDDR2)		Flash, Bélier	128m x 32 (NAND), 128m x 32 (LPDDR2)	Parallèle	-
M58WR064KT70ZB6F TR	-	RFQ	7922	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	56-VFBGA	M58WR064	Flash - ni	1,7 V ~ 2V	56-VFBGA (7.7x9)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	3A991B1A	8542.32.0071	2 500	66 MHz	Non volatile	64mbitons	70 ns	Éclair	4m x 16	Parallèle	70ns
MT29F32G08CBACAWP-ITZ: C TR	-	RFQ	2000	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	MT29F32G08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	48-tsop i	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	3A991B1A	8542.32.0071	1 000		Non volatile	32 Gbit		Éclair	4G x 8	Parallèle	-

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Volume de RFQ moyen quotidien
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Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
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Mémoire (10402)

2000+

30 000 000

2800+

15 000 m2

15 000 m²