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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MT47H512M4THN-3: H | - | ![]() | 4641 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 63-TFBGA | MT47H512M4 | Sdram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 63-fbga (8x10) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 000 | 333 MHz | Volatil | 2 gbit | 450 PS | Drachme | 512m x 4 | Parallèle | 15NS | ||
![]() | M29w640gl70zf3f tr | - | ![]() | 1316 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | 64 TBGA | M29W640 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 64-TBGA (10x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2 500 | Non volatile | 64mbitons | 70 ns | Éclair | 8m x 8, 4m x 16 | Parallèle | 70ns | |||
![]() | MT45W4MW16BBB-706 L WT TR | - | ![]() | 8262 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 54-VFBGA | MT45W4MW16 | Psram (pseudo sram) | 1,7 V ~ 1,95 V | 54-VFBGA (6x9) | télécharger | Rohs3 conforme | 2 (1 AN) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2 000 | Volatil | 64mbitons | 70 ns | Psram | 4m x 16 | Parallèle | 70ns | |||
![]() | MT29F4G01ADAGDWB-IT: G | - | ![]() | 1115 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-UDFN | MT29F4G01 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-updfn (8x6) (MLP8) | - | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 920 | Non volatile | 4 Gbit | Éclair | 4G x 1 | Pimenter | - | ||||||
![]() | N25Q128A13BF840E | - | ![]() | 6682 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-VDFN | N25Q128A13 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-VDFPN (MLP8) (8x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 320 | 108 MHz | Non volatile | 128mbitons | Éclair | 16m x 8 | Pimenter | 8 ms, 5 ms | |||
![]() | MT53E1G64D4HJ-046 AAT: A | 63.1350 | ![]() | 8213 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | - | 557-MT53E1G64D4HJ-046AAT: A | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | MT53D384M64D4SB-046 XT ES: D TR | - | ![]() | 3227 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -30 ° C ~ 105 ° C (TC) | - | - | MT53D384 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | - | - | 1 (illimité) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 2 000 | 2.133 GHz | Volatil | 24gbit | Drachme | 384m x 64 | - | - | |||||
![]() | M29W128GL7AZA6E | - | ![]() | 1775 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 64 TBGA | M29W128 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 64-TBGA (10x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 136 | Non volatile | 128mbitons | 70 ns | Éclair | 16m x 8, 8m x 16 | Parallèle | 70ns | |||
![]() | N25Q256A11EF840F TR | - | ![]() | 3469 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-VDFN | N25Q256A11 | Flash - ni | 1,7 V ~ 2V | 8-VDFPN (MLP8) (8x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4 000 | 108 MHz | Non volatile | 256mbitons | Éclair | 64m x 4 | Pimenter | 8 ms, 5 ms | |||
![]() | MT29F16G16ADACAH4-IT: C TR | - | ![]() | 9162 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 63-VFBGA | MT29F16G16 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 63-VFBGA (9x11) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 16 Gbit | Éclair | 1g x 16 | Parallèle | - | ||||
![]() | M25px16-vmn6p | - | ![]() | 4031 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tube | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | M25px16 | Flash - ni | 2,3V ~ 3,6 V | 8-so | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 2 000 | 75 MHz | Non volatile | 16mbitons | Éclair | 2m x 8 | Pimenter | 15 ms, 5 ms | |||
![]() | MT29F1G01ABAFDSF-AAT: F | 2.9984 | ![]() | 6142 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | MT29F1G01 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 16-SO | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1440 | Non volatile | 1 gbit | Éclair | 1g x 1 | Pimenter | - | ||||
![]() | MT25TU512HBA8ESF-0SIT TR | - | ![]() | 1346 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | |||||||||||||||||
![]() | MT49H16M18FM-33: B | - | ![]() | 8354 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Abandonné à sic | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 144-TFBGA | MT49H16M18 | Drachme | 1,7 V ~ 1,9 V | 144 µbga (18,5x11) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0028 | 1 000 | 300 MHz | Volatil | 288mbitons | 20 ns | Drachme | 16m x 18 | Parallèle | - | ||
![]() | N25Q128A23B1241E | - | ![]() | 6758 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 24 TBGA | N25Q128A23 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 24-T-PBGA (6x8) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 187 | 108 MHz | Non volatile | 128mbitons | Éclair | 32m x 4 | Pimenter | 8 ms, 5 ms | ||||
![]() | Mt46v32m8fg-6: g tr | - | ![]() | 2651 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 60-fbga | MT46V32M8 | Sdram - ddr | 2,3V ~ 2,7 V | 60-fbga (8x14) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 000 | 167 MHz | Volatil | 256mbitons | 700 PS | Drachme | 32m x 8 | Parallèle | 15NS | ||
MT46H16M32LFBQ-5 AAT: C | 5.2052 | ![]() | 3083 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 90-VFBGA | MT46H16M32 | SDRAM - LPDDR MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 90-VFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1440 | 200 MHz | Volatil | 512mbitons | 5 ns | Drachme | 16m x 32 | Parallèle | 15NS | |||
![]() | MT47H256M4B7-37E: A | - | ![]() | 8448 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Abandonné à sic | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 92-TFBGA | MT47H256M4 | Sdram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 92-FBGA (11x19) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0032 | 1 000 | 267 MHz | Volatil | 1 gbit | 400 PS | Drachme | 256m x 4 | Parallèle | 15NS | ||
MT25QL01GBBA8E12-1SIT TR | - | ![]() | 4554 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 24 TBGA | MT25QL01 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 24-T-PBGA (6x8) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2 500 | 133 MHz | Non volatile | 1 gbit | Éclair | 128m x 8 | Pimenter | 8 ms, 2,8 ms | |||||
![]() | MT29F256G08EBHAFB16A3WTA | - | ![]() | 2267 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | Mourir | MT29F256G08 | Flash - Nand (TLC) | 2,5 V ~ 3,6 V | Mourir | - | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 0000.00.0000 | 1 | 333 MHz | Non volatile | 256 GBIT | Éclair | 32g x 8 | Parallèle | - | |||||
![]() | MT29F1G01ABBFDM78A3WC1 | - | ![]() | 6569 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | Mourir | MT29F1G01 | Flash - Nand | 1,7 V ~ 1,95 V | Mourir | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 | Non volatile | 1 gbit | Éclair | 1g x 1 | Pimenter | - | |||||
![]() | Mtfc2gmuea-wt tr | - | ![]() | 5451 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | - | Mtfc2g | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | - | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 16 Gbit | Éclair | 2G x 8 | MMC | - | ||||
![]() | MT46V32M16FN-5B: F Tr | - | ![]() | 4293 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 60-TFBGA | MT46V32M16 | Sdram - ddr | 2,5 V ~ 2,7 V | 60-FBGA (10x12.5) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 000 | 200 MHz | Volatil | 512mbitons | 700 PS | Drachme | 32m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
![]() | Mt29f2g16abbeah4: e tr | - | ![]() | 9372 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 63-VFBGA | MT29F2G16 | Flash - Nand | 1,7 V ~ 1,95 V | 63-VFBGA (9x11) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 2 gbit | Éclair | 128m x 16 | Parallèle | - | ||||
![]() | MT46V32M8FG-75E: G TR | - | ![]() | 7470 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 60-fbga | MT46V32M8 | Sdram - ddr | 2,3V ~ 2,7 V | 60-fbga (8x14) | télécharger | Rohs non conforme | 2 (1 AN) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 000 | 133 MHz | Volatil | 256mbitons | 750 PS | Drachme | 32m x 8 | Parallèle | 15NS | ||
![]() | MT53E128M32D2DS-053 WT: A TR | 6.5700 | ![]() | 6912 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 200-WFBGA | MT53E128 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | MT53E128M32D2DS-053WT: ATR | EAR99 | 8542.32.0036 | 2 000 | 1 866 GHz | Volatil | 4 Gbit | Drachme | 128m x 32 | - | - | ||
![]() | Mt29f8t08gulbem4: b tr | - | ![]() | 5305 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | - | - | MT29F8T08 | - | - | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 557-MT29F8T08GULBEM4: BTR | OBSOLÈTE | 2 000 | ||||||||||||||
MT48LC8M16LFB4-8 IT: G | - | ![]() | 1816 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 54-VFBGA | MT48LC8M16 | SDRAM - LPSDR MOBILE | 3V ~ 3,6 V | 54-VFBGA (8x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 2 (1 AN) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 1 000 | 125 MHz | Volatil | 128mbitons | 7 ns | Drachme | 8m x 16 | Parallèle | 15NS | |||
![]() | Mtfc16galahea-wt tr | - | ![]() | 7671 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | - | Mtfc16 | Flash - Nand | - | - | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 128 GBIT | Éclair | 16g x 8 | MMC | - | ||||
![]() | MT47H256M4B7-5E: A | - | ![]() | 3512 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Abandonné à sic | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 92-TFBGA | MT47H256M4 | Sdram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 92-FBGA (11x19) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0032 | 1 000 | 200 MHz | Volatil | 1 gbit | 600 PS | Drachme | 256m x 4 | Parallèle | 15NS |
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