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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MT53D1024M32D4DT-046 AIT: D TR | 35.5500 | ![]() | 1052 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Acheter la Dernière | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 200-VFBGA | MT53D1024 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | 200-VFBGA (10x14,5) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 2 000 | 2.133 GHz | Volatil | 32 Gbit | Drachme | 1g x 32 | - | - | |||
![]() | MT47H128M8BT-3 L: A | - | ![]() | 4519 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Abandonné à sic | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 92-TFBGA | MT47H128M8 | Sdram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 92-FBGA (11x19) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0032 | 1 000 | 333 MHz | Volatil | 1 gbit | 450 PS | Drachme | 128m x 8 | Parallèle | 15NS | ||
![]() | MT53D1G64D8SQ-053 WT ES: E | - | ![]() | 7815 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 556-VFBGA | MT53D1G64 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | 556-VFBGA (12.4x12.4) | - | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 360 | 1 866 GHz | Volatil | 64gbit | Drachme | 1g x 64 | - | - | |||||
![]() | MTFC32GAPALBH-AIT ES | - | ![]() | 7336 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 153-TFBGA | Mtfc32g | Flash - Nand | - | 153-TFBGA (11,5x13) | - | 1 (illimité) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 256 GBIT | Éclair | 32g x 8 | MMC | - | ||||||
![]() | MT47H256M8EB-25E: C | 14.3400 | ![]() | 121 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Actif | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 60-TFBGA | MT47H256M8 | Sdram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 60-fbga (9x11,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 320 | 400 MHz | Volatil | 2 gbit | 400 PS | Drachme | 256m x 8 | Parallèle | 15NS | ||
![]() | MT29F2T08EMHAFJ4-3TES: A | - | ![]() | 2371 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 132-VBGA | MT29F2T08 | Flash - Nand | 2,5 V ~ 3,6 V | 132-VBGA (12x18) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 120 | 333 MHz | Non volatile | 2 tbit | Éclair | 256g x 8 | Parallèle | - | |||
![]() | MT44K64M18RB-093E: A | 80.5650 | ![]() | 4402 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Actif | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 168 TBGA | MT44K64M18 | Rldram 3 | 1,28 V ~ 1,42 V | 168-BGA (13,5x13,5) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 2832-MT44K64M18RB-093E: A | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 190 | 1 066 GHz | Volatil | 1 125 Gbit | 8 ns | Drachme | 64m x 18 | Parallèle | - | |
![]() | MT62F3G32D8DV-026 AIT: B | 86.2050 | ![]() | 9714 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Boîte | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C | - | - | Sdram - mobile lpddr5 | - | - | - | 557-mt62f3g32d8dv-026ait: b | 1 | 3,2 GHz | Volatil | 96 Gbit | Drachme | 3G x 32 | Parallèle | - | ||||||||
MT48LC4M32LFB5-10 IT: G | - | ![]() | 1217 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Abandonné à sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 90-VFBGA | MT48LC4M32 | SDRAM - LPSDR MOBILE | 3V ~ 3,6 V | 90-VFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 2 (1 AN) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 1 000 | 100 MHz | Volatil | 128mbitons | 7 ns | Drachme | 4m x 32 | Parallèle | 15NS | |||
![]() | M29W128GL70ZA6DE | - | ![]() | 3428 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 64 TBGA | M29W128 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 64-TBGA (10x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 136 | Non volatile | 128mbitons | 70 ns | Éclair | 16m x 8, 8m x 16 | Parallèle | 70ns | ||||
![]() | MT29F1G08ABAEAWP-ITX: E TR | 3.2700 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | MT29F1G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-tsop i | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 1 gbit | Éclair | 128m x 8 | Parallèle | - | ||||
![]() | Mtfc64gazaqhd-aat | 38.9100 | ![]() | 7567 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 153-VFBGA | Mtfc64 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 153-VFBGA (11,5x13) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 557-MTFC64GAZAQHD-AAT | 1 | Non volatile | 512gbit | Éclair | 64g x 8 | EMMC | - | |||||
![]() | MT28F008B3VG-9 TET TR | - | ![]() | 2922 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 40-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | MT28F008B3 | Flash - ni | 3V ~ 3,6 V | 40 TSOP I | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 8mbitons | 90 ns | Éclair | 1m x 8 | Parallèle | 90ns | |||
![]() | MT29F384G08EBHBBJ4-3R: B | - | ![]() | 3188 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 132-VBGA | MT29F384G08 | Flash - Nand | 2,5 V ~ 3,6 V | 132-VBGA (12x18) | - | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 120 | 333 MHz | Non volatile | 384gbit | Éclair | 48g x 8 | Parallèle | - | |||||
![]() | MT47H32M16HR-25E L: G TR | - | ![]() | 9038 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 84-TFBGA | MT47H32M16 | Sdram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 84-fbga (8x12,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 000 | 400 MHz | Volatil | 512mbitons | 400 PS | Drachme | 32m x 16 | Parallèle | 15NS | |||
![]() | MTFC64GAZAQHD-AIT | 38.9100 | ![]() | 1220 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 153-VFBGA | Mtfc64 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 153-VFBGA (11,5x13) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 557-MTFC64GAZAQHD-AIT | 1 | Non volatile | 512gbit | Éclair | 64g x 8 | EMMC | - | |||||
![]() | MT47H128M8HQ-3 L: G | - | ![]() | 4591 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 60-fbga | MT47H128M8 | Sdram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 60-fbga (8x11,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0032 | 1 000 | 333 MHz | Volatil | 1 gbit | 450 PS | Drachme | 128m x 8 | Parallèle | 15NS | ||
![]() | MT40A1G16KH-062E AIT: E | 15.6150 | ![]() | 8976 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Boîte | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | Sdram - ddr4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 96-FBGA (9x13) | télécharger | 557-MT40A1G16KH-062EAIT: E | 1 | 1,6 GHz | Volatil | 16 Gbit | 19 ns | Drachme | 1g x 16 | Coffre | 15NS | |||||||
![]() | MT46H32M32LFCG-6 IT: A TR | - | ![]() | 5051 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 152-VFBGA | MT46H32M32 | SDRAM - LPDDR MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 152-VFBGA (14x14) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0032 | 1 000 | 166 MHz | Volatil | 1 gbit | 5 ns | Drachme | 32m x 32 | Parallèle | 15NS | ||
![]() | MT46V32M16BN-75 L: C | - | ![]() | 7527 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 60-TFBGA | MT46V32M16 | Sdram - ddr | 2,3V ~ 2,7 V | 60-FBGA (10x12.5) | - | Rohs3 conforme | 5 (48 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 000 | 133 MHz | Volatil | 512mbitons | 750 PS | Drachme | 32m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
![]() | MT29F128G08AKCABH2-10Z: A | - | ![]() | 9668 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 100 TBGA | MT29F128G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 100-TBGA (12x18) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 120 | 100 MHz | Non volatile | 128 GBIT | Éclair | 16g x 8 | Parallèle | - | |||
![]() | MT45W4MW16BCGB-708 WT | - | ![]() | 5860 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 54-VFBGA | MT45W4MW16 | Psram (pseudo sram) | 1,7 V ~ 1,95 V | 54-VFBGA (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 000 | Volatil | 64mbitons | 70 ns | Psram | 4m x 16 | Parallèle | 70ns | |||
MT48LC4M32B2B5-6A XIT: L | - | ![]() | 9599 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 90-VFBGA | MT48LC4M32B2 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 90-VFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0002 | 1440 | 167 MHz | Volatil | 128mbitons | 5.4 ns | Drachme | 4m x 32 | Parallèle | 12ns | |||
MT40A2G8FSE-093E: A TR | - | ![]() | 8090 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 78-TFBGA | MT40A2G8 | Sdram - ddr4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 78-fbga (9,5x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 2 000 | 1 066 GHz | Volatil | 16 Gbit | Drachme | 2G x 8 | Parallèle | - | ||||
![]() | MT28F800B3WG-9 B | - | ![]() | 2295 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | MT28F800B3 | Flash - ni | 3V ~ 3,6 V | 48-tsop i | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 8mbitons | 90 ns | Éclair | 1m x 8, 512k x 16 | Parallèle | 90ns | |||
![]() | MT46V8M16TG-6T IT: D TR | - | ![]() | 5182 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | MT46V8M16 | Sdram - ddr | 2,3V ~ 2,7 V | 66 TSOP | télécharger | Rohs non conforme | 2 (1 AN) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 1 000 | 167 MHz | Volatil | 128mbitons | 700 PS | Drachme | 8m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
![]() | NAND512W3A2SN6E | - | ![]() | 7416 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | NAND512 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 48 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | Non volatile | 512mbitons | 50 ns | Éclair | 64m x 8 | Parallèle | 50ns | |||
![]() | MT46V128M4P-6T: F Tr | - | ![]() | 3260 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | MT46V128M4 | Sdram - ddr | 2,3V ~ 2,7 V | 66 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 000 | 167 MHz | Volatil | 512mbitons | 700 PS | Drachme | 128m x 4 | Parallèle | 15NS | ||
![]() | M29W640GL70ZS6F TR | - | ![]() | 1599 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 64 LBGA | M29W640 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 64-fbga (11x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 800 | Non volatile | 64mbitons | 70 ns | Éclair | 8m x 8, 4m x 16 | Parallèle | 70ns | ||||
![]() | MT29F256G08CKCABH2-12Z: A | - | ![]() | 1779 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tube | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 100 TBGA | MT29F256G08 | Flash - Nand (MLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 100-TBGA (12x18) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 83 MHz | Non volatile | 256 GBIT | Éclair | 32g x 8 | Parallèle | - |
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