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Mémoire (10402)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Fréquence d'Horloge	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page
M29f800ft5an6e2	-	RFQ	4206	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	M29F800	Flash - ni	4,5 V ~ 5,5 V	48-tsop i	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	96		Non volatile	8mbitons	55 ns	Éclair	1m x 8, 512k x 16	Parallèle	55ns
M29W800FB70ZA3SE	-	RFQ	9182	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Support de surface	48-TFBGA	M29W800	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	48-TFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	187		Non volatile	8mbitons	70 ns	Éclair	1m x 8, 512k x 16	Parallèle	70ns
MT29F512G08CMCEBJ4-37ITR: E TR	45.0150	RFQ	6009	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	132-VBGA	MT29F512G08	Flash - Nand (MLC)	2,7 V ~ 3,6 V	132-VBGA (12x18)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	MT29F512G08CMCEBJ4-37ITR: ETR		8542.32.0071	2 000	267 MHz	Non volatile	512gbit		Éclair	64g x 8	Parallèle	-
MT28F640J3FS-115 Met	-	RFQ	2916	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	64-fbga	MT28F640J3	Éclair	2,7 V ~ 3,6 V	64-fbga (10x13)	télécharger	Rohs non conforme	2 (1 AN)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000		Non volatile	64mbitons	115 ns	Éclair	8m x 8, 4m x 16	Parallèle	-
MT40A4G4DVN-068H: E TR	-	RFQ	2043	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	78-TFBGA	MT40A4G4	Sdram - ddr4	1,14 V ~ 1,26 V	78-fbga (7,5x11)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		557-MT40A4G4DVN-068H: ETR	OBSOLÈTE		2 000	1 467 GHz	Volatil	16 Gbit	27 ns	Drachme	4G x 4	Parallèle	-
M58BW32FT4D150	-	RFQ	6077	Micron Technology Inc.	-	En gros	Obsolète	-	-	-	M58BW32	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	-	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)			OBSOLÈTE	0000.00.0000	1		Non volatile	32mbitons	45 ns	Éclair	4m x 8	Parallèle	45ns
MT40A2G8SA-062E IT: F Tr	14.9550	RFQ	4562	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	78-TFBGA	MT40A2G8	Sdram - ddr4	1,14 V ~ 1,26 V	78-fbga (7,5x11)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	557-MT40A2G8SA-062EIT: FTR	3A991B1A	8542.32.0071	2 000	1,6 GHz	Volatil	16 Gbit	19 ns	Drachme	2G x 8	Parallèle	15NS
MT48LC8M8A2P-7E L: G TR	-	RFQ	4689	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)	MT48LC8M8A2	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	2 (1 AN)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	1 000	133 MHz	Volatil	64mbitons	5.4 ns	Drachme	8m x 8	Parallèle	14ns
MT48LC8M16LFF4-10 IT: G	-	RFQ	1608	Micron Technology Inc.	-	Boîte	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54-VFBGA	MT48LC8M16	SDRAM - LPSDR MOBILE	3V ~ 3,6 V	54-VFBGA (8x8)	télécharger	Rohs non conforme	2 (1 AN)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	1 000	100 MHz	Volatil	128mbitons	7 ns	Drachme	8m x 16	Parallèle	15NS
MT29F8G16ADBDAH4-IT: D	-	RFQ	2131	Micron Technology Inc.	-	En gros	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	63-VFBGA	MT29F8G16	Flash - Nand	1,7 V ~ 1,95 V	63-VFBGA (9x11)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 260		Non volatile	8 Gbit		Éclair	512m x 16	Parallèle	-
MT29C1G12MAADVAMD-5	-	RFQ	4208	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	130-VFBGA	MT29C1G12	Flash - NAND, LPDRAM MOBILE	1,7 V ~ 1,95 V	130-VFBGA (8x9)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			3A991B1A	8542.32.0071	1 000	200 MHz	Non volatile, volatile	1gbit (nand), 512mbit (LPDRAM)		Flash, Bélier	64m x 16 (NAND), 32m x 16 (LPDRAM)	Parallèle	-
MT40A256M16GE-062E: B Tr	-	RFQ	9652	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA	MT40A256M16	Sdram - ddr4	1,14 V ~ 1,26 V	96-FBGA (9x14)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		MT40A256M16GE-062E: BTR	OBSOLÈTE	0000.00.0000	2 000	1,6 GHz	Volatil	4 Gbit		Drachme	256m x 16	Parallèle	-
MT53B512M64D4PV-053 WT ES: C	-	RFQ	7693	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	-	-	MT53B512	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V	-	-		1 (illimité)			OBSOLÈTE	0000.00.0000	840	1 866 GHz	Volatil	32 Gbit		Drachme	512m x 64	-	-
MT53D512M64D4NY-046 XT ES: D	-	RFQ	2287	Micron Technology Inc.	-	Boîte	Obsolète	-30 ° C ~ 105 ° C (TC)			MT53D512	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V		-		1 (illimité)			EAR99	8542.32.0036	1 190	2.133 GHz	Volatil	32 Gbit		Drachme	512m x 64	-	-
M36W0R6050T4ZAQF TR	-	RFQ	2280	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète				M36W0R6050				-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			3A991B1A	8542.32.0071	2 500
MT48V8M32LFF5-8	-	RFQ	7536	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	90-VFBGA	MT48V8M32	SDRAM - LPSDR MOBILE	2,3V ~ 2,7 V	90-VFBGA (8x13)	-	Rohs non conforme	2 (1 AN)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	1 000	125 MHz	Volatil	256mbitons	7 ns	Drachme	8m x 32	Parallèle	15NS
MT58L256L32FS-7.5	12.8400	RFQ	426	Micron Technology Inc.	Syncburst ™	En gros	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP		SRAM - Standard	3.135V ~ 3,6 V	100-TQFP (14x20.1)	télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Vendeur indéfini		3A991B2A	8542.32.0041	1	113 MHz	Volatil	8mbitons	7,5 ns	Sram	256k x 32	Parallèle	-
MT29F1G08ABBDAH4-IT: D TR	-	RFQ	2090	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	63-VFBGA	MT29F1G08	Flash - Nand	1,7 V ~ 1,95 V	63-VFBGA (9x11)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000		Non volatile	1 gbit		Éclair	128m x 8	Parallèle	-
Mt29f1g01abbfdsf-it: f	-	RFQ	5554	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur)	MT29F1G01	Flash - Nand	1,7 V ~ 1,95 V	16-SO	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1440		Non volatile	1 gbit		Éclair	1g x 1	Pimenter	-
ECF00453ZCN-Y3	-	RFQ	9079	Micron Technology Inc.	-	En gros	Actif				ECF00453				-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté			0000.00.0000	1
Mtfc2gmuea-wt	-	RFQ	6687	Micron Technology Inc.	E • MMC ™	Plateau	Obsolète	-25 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	-	Mtfc2g	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	-	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000		Non volatile	16 Gbit		Éclair	2G x 8	MMC	-
MT41K1G16DGA-125: A	-	RFQ	2317	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA	MT41K1G16	Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	96-FBGA (9,5x14)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			OBSOLÈTE	0000.00.0000	1 020	800 MHz	Volatil	16 Gbit	13,75 ns	Drachme	1g x 16	Parallèle	-
MT42L256M16D1GU-18 WT: A TR	-	RFQ	4402	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	134-WFBGA	MT42L256M16	Sdram - mobile lpddr2	1,14 V ~ 1,3 V	134-fbga (10x11,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			OBSOLÈTE	0000.00.0000	1 000	533 MHz	Volatil	4 Gbit		Drachme	256m x 16	Parallèle	-
EDB8164B4PT-1D-FR TR	-	RFQ	6576	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	216-WFBGA	EDB8164	Sdram - mobile lpddr2	1,14 V ~ 1,95 V	216-FBGA (12x12)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 000	533 MHz	Volatil	8 Gbit		Drachme	128m x 64	Parallèle	-
MT53D512M64D4BP-046 WT: E	-	RFQ	9654	Micron Technology Inc.	-	Boîte	Obsolète	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)			MT53D512	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V		-		1 (illimité)			EAR99	8542.32.0036	1 360	1 866 GHz	Volatil	32 Gbit		Drachme	512m x 64	-	-
JS28F128P33T85A	-	RFQ	7504	Micron Technology Inc.	Strataflash ™	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	56-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	JS28F128P33	Flash - ni	2,3V ~ 3,6 V	56 TSOP	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	576	40 MHz	Non volatile	128mbitons	85 ns	Éclair	8m x 16	Parallèle	85ns
TE28F256P30T95A	-	RFQ	6629	Micron Technology Inc.	Strataflash ™	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	56-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	28f256p30	Flash - ni	1,7 V ~ 2V	56 TSOP	télécharger	Rohs non conforme	2 (1 AN)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	96	40 MHz	Non volatile	256mbitons	95 ns	Éclair	16m x 16	Parallèle	95ns
MT41K512M16VRN-107 AAT: P TR	21.0750	RFQ	9846	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA	MT41K512M16	Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	96-FBGA (8x14)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	MT41K512M16VRN-107AAT: PTR	EAR99	8542.32.0036	2 000	933 MHz	Volatil	8 Gbit	20 ns	Drachme	512m x 16	Parallèle	15NS
MT46V128M4FN-5B: D TR	21.1800	RFQ	981	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	60-TFBGA	MT46V128M4	Sdram - ddr	2,5 V ~ 2,7 V	60-FBGA (10x12.5)	télécharger	Rohs non conforme	5 (48 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	1 000	200 MHz	Volatil	512mbitons	700 PS	Drachme	128m x 4	Parallèle	15NS
Mt53d8datz-dc tr	-	RFQ	4914	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-	-	MT53D8	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V	-	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté			0000.00.0000	1 000		Volatil			Drachme		-	-

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