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Mémoire (10402)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Fréquence d'Horloge	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page
Mtfc32gaoalea-wt es	-	RFQ	1015	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic				Mtfc32g				-			Atteindre non affecté			0000.00.0000	1 000
EDFA364A3MA-GD-FR TR	-	RFQ	2825	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	-	-	EDFA364	Sdram - mobile lpddr3	1,14 V ~ 1,95 V	-	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	2 000	800 MHz	Volatil	16 Gbit		Drachme	256m x 64	Parallèle	-
MT28EW256ABA1HPC-0SIT TR	6.8100	RFQ	7778	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	64 LBGA	MT28EW256	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	64 LBGA (11x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	2 000		Non volatile	256mbitons	75 ns	Éclair	32m x 8, 16m x 16	Parallèle	60ns
Jr28f064m29ewha	-	RFQ	2007	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	JR28F064M29	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	48-tsop i	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	576		Non volatile	64mbitons	70 ns	Éclair	8m x 8, 4m x 16	Parallèle	70ns
MT28EW256ABA1HPC-1SIT	-	RFQ	2858	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	64 LBGA	MT28EW256	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	64 LBGA (11x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 104		Non volatile	256mbitons	75 ns	Éclair	32m x 8, 16m x 16	Parallèle	60ns
M29W800DB70N6F TR	-	RFQ	7500	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	M29W800	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	48-tsop i	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	1 500		Non volatile	8mbitons	70 ns	Éclair	1m x 8, 512k x 16	Parallèle	70ns
MT53B384M32D2NP-062 XT: B TR	-	RFQ	8494	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-30 ° C ~ 105 ° C (TC)	Support de surface	200-WFBGA	MT53B384	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V	200-WFBGA (10x14,5)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	2 000	1,6 GHz	Volatil	12gbit		Drachme	384m x 32	-	-
Mtfc16gjdec-4m it	-	RFQ	4997	Micron Technology Inc.	E • MMC ™	En gros	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	169-WFBGA	Mtfc16g	Flash - Nand	1,65 V ~ 3,6 V	169-WFBGA (14x18)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	980		Non volatile	128 GBIT		Éclair	16g x 8	MMC	-
ECF620AAACN-C2-Y3	-	RFQ	3615	Micron Technology Inc.	-	En gros	Actif				ECF620				-		3 (168 Heures)	Atteindre non affecté			0000.00.0000	1
MT53B1G32D4NQ-062 WT: D TR	-	RFQ	1012	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)			MT53B1G32	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V		-		1 (illimité)			OBSOLÈTE	0000.00.0000	2 000	1,6 GHz	Volatil	32 Gbit		Drachme	1g x 32	-	-
MT46H16M32LFB5-6 AIT: C TR	6.9800	RFQ	20	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	90-VFBGA	MT46H16M32	SDRAM - LPDDR MOBILE	1,7 V ~ 1,95 V	90-VFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 000	166 MHz	Volatil	512mbitons	5 ns	Drachme	16m x 32	Parallèle	15NS
MT29VZZZAD8GUFSL-046 W.219	24.7950	RFQ	9687	Micron Technology Inc.	-	Boîte	Actif								-				557-MT29VZZZAD8GUFSL-046W.219			1
Mtfc4gacaalt-4m	-	RFQ	1590	Micron Technology Inc.	E • MMC ™	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	100 TBGA	Mtfc4	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	100-TBGA (14x18)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	Mtfc4gacaalt-4mit	3A991B1A	8542.32.0071	580		Non volatile	32 Gbit		Éclair	4G x 8	MMC	-
MT29F8G16ABACAH4: C	-	RFQ	7737	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	63-VFBGA	MT29F8G16	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	63-VFBGA (9x11)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 260		Non volatile	8 Gbit		Éclair	512m x 16	Parallèle	-
Mt53d8dahr-dc	-	RFQ	8623	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Actif		Support de surface	366-WFBGA	MT53D8	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V	366-WFBGA (12x12.7)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté			0000.00.0000	1 360		Volatil			Drachme		-	-
M29W320DT90N6	-	RFQ	2151	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	M29W320	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	48-tsop i	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	96		Non volatile	32mbitons	90 ns	Éclair	4m x 8, 2m x 16	Parallèle	90ns
Mt28f800b5wp-8 t tr	-	RFQ	4145	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	MT28F800B5	Flash - ni	4,5 V ~ 5,5 V	48-tsop i	télécharger	Rohs3 conforme	2 (1 AN)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	1 000		Non volatile	8mbitons	80 ns	Éclair	1m x 8, 512k x 16	Parallèle	80ns
MT53D384M64D4NY-046 XT ES: D	-	RFQ	1569	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-30 ° C ~ 105 ° C (TC)	-	-	MT53D384	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V	-	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 190	2.133 GHz	Volatil	24gbit		Drachme	384m x 64	-	-
MT46V32M16CV-5B IT: J	-	RFQ	9093	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	60-TFBGA	MT46V32M16	Sdram - ddr	2,5 V ~ 2,7 V	60-FBGA (8x12.5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			EAR99	8542.32.0028	1 000	200 MHz	Volatil	512mbitons	700 PS	Drachme	32m x 16	Parallèle	15NS
M25PE20-V6D11	-	RFQ	6682	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	-	-	M25PE20	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	-	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			OBSOLÈTE	0000.00.0000	1	75 MHz	Non volatile	2mbitons		Éclair	256k x 8	Pimenter	15 ms, 3 ms
MT35XU01GBBA3G12-0SIT TR	-	RFQ	5143	Micron Technology Inc.	XCCELA ™ - MT35X	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C	Support de surface	24 TBGA	MT35XU01	Flash - ni	1,7 V ~ 2V	24-T-PBGA (6x8)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	2 500	200 MHz	Non volatile	1 gbit		Éclair	128m x 8	Bus xccela	-
MT29F1G08ABCHC-ET: C TR	-	RFQ	2766	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	63-VFBGA	MT29F1G08	Flash - Nand	1,7 V ~ 1,95 V	63-VFBGA (10.5x13)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000		Non volatile	1 gbit		Éclair	128m x 8	Parallèle	-
MT53B256M32D1NP-062 AUT: C TR	-	RFQ	9407	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 125 ° C (TC)	Support de surface	200-WFBGA	MT53B256	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V	200-WFBGA (10x14,5)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		MT53B256M32D1NP-062AUT: CTR	OBSOLÈTE		1 000	1,6 GHz	Volatil	8 Gbit		Drachme	256m x 32	-	-
MT41K2G8KJR-125: A	-	RFQ	5773	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	78-TFBGA	MT41K2G8	Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	78-fbga (9,5x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			OBSOLÈTE	0000.00.0000	1 020	800 MHz	Volatil	16 Gbit	13,5 ns	Drachme	2G x 8	Parallèle	-
MT40A1G8AG-062E AIT: R TR	-	RFQ	7899	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif								-			Atteindre non affecté	557-MT40A1G8AG-062EAIT: RTR			1
Mt29f2t08cvcbbg6-6r: b tr	-	RFQ	6372	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	272-LFBGA	MT29F2T08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	272-LFBGA (14x18)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			OBSOLÈTE	0000.00.0000	1 000	167 MHz	Non volatile	2 tbit		Éclair	256g x 8	Parallèle	-
MT29F4G01ADAGDWB-IT: G	-	RFQ	1115	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	8-UDFN	MT29F4G01	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	8-updfn (8x6) (MLP8)	-			Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 920		Non volatile	4 Gbit		Éclair	4G x 1	Pimenter	-
MT47H16M16BG-5E: B	-	RFQ	8465	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	84-fbga	MT47H16M16	Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	84-fbga (8x14)	télécharger	Rohs3 conforme	2 (1 AN)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	1 000	200 MHz	Volatil	256mbitons	600 PS	Drachme	16m x 16	Parallèle	15NS
NAND512R3A2SE06	-	RFQ	5118	Micron Technology Inc.	-	En gros	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	-	-	NAND512	Flash - Nand	1,7 V ~ 1,95 V	-	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			3A991B1A	8542.32.0071	1 000		Non volatile	512mbitons	50 ns	Éclair	64m x 8	Parallèle	50ns
MT29F2T08EMHBFJ4-R: B TR	-	RFQ	7413	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	132-VBGA	MT29F2T08	Flash - Nand (TLC)	1,7 V ~ 1,95 V	132-VBGA (12x18)	-		3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	557-MT29F2T08EMHBFJ4-R: BTR	OBSOLÈTE	8542.32.0071	1 000		Non volatile	2 tbit		Éclair	256g x 8	Parallèle	-

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