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Mémoire (10402)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Fréquence d'Horloge	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page
Mt29f128g08cfabawp-it: b tr	-	RFQ	7378	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	MT29F128G08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	48-tsop i	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			3A991B1A	8542.32.0071	1 000		Non volatile	128 GBIT		Éclair	16g x 8	Parallèle	-
MT48LC4M16A2P-6: G TR	-	RFQ	5633	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)	MT48LC4M16A2	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	1 000	167 MHz	Volatil	64mbitons	5,5 ns	Drachme	4m x 16	Parallèle	12ns
MT53D1024M32D4DT-046 WT: D	-	RFQ	5950	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	200-VFBGA	MT53D1024	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V	200-VFBGA (10x14,5)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	MT53D1024M32D4DT-046WT: D	EAR99	8542.32.0036	1 360	2.133 GHz	Volatil	32 Gbit		Drachme	1g x 32	-	-
MT29F4G08ABAFAH4-AATES: F	-	RFQ	7479	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)	Support de surface	63-VFBGA	MT29F4G08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	63-VFBGA (9x11)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 620		Non volatile	4 Gbit		Éclair	512m x 8	Parallèle	-
MT29F64G08CECCBH1-12: C	-	RFQ	1330	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	100 VBGA	MT29F64G08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	100 VBGA (12x18)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			3A991B1A	8542.32.0071	1 000	83 MHz	Non volatile	64gbit		Éclair	8g x 8	Parallèle	-
MT29F2G01ABAGD12-AAT: G TR	2.7962	RFQ	3102	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)	Support de surface	24 TBGA	MT29F2G01	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	24-T-PBGA (6x8)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000	83 MHz	Non volatile	2 gbit		Éclair	2G x 1	Pimenter	-
MT29F256G08AKCBBH7-6IT: B TR	-	RFQ	4674	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	152-TBGA	MT29F256G08	Flash - Nand (SLC)	2,7 V ~ 3,6 V	152-TBGA (14x18)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000	167 MHz	Non volatile	256 GBIT		Éclair	32g x 8	Parallèle	-
MT29VZZZ7D8GUFSL-046 W.218	14.6316	RFQ	8983	Micron Technology Inc.	-	En gros	Actif								-				557-mt29vzzz7d8gufsl-046w.218			1 520
EDB5432BEBH-1DIT-FD	-	RFQ	9384	Micron Technology Inc.	-	En gros	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	134-VFBGA	EDB5432	Sdram - mobile lpddr2	1,14 V ~ 1,95 V	134-VFBGA (10x11,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	1 680	533 MHz	Volatil	512mbitons		Drachme	16m x 32	Parallèle	-
MT44K32M18RB-125E: A TR	-	RFQ	5472	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	168 TBGA	MT44K32M18	Drachme	1,28 V ~ 1,42 V	168-BGA (13,5x13,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	1 000	800 MHz	Volatil	576mbit	10 ns	Drachme	32m x 18	Parallèle	-
MT53B512M32D2NP-062 WT ES: D TR	-	RFQ	8424	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	200-WFBGA	MT53B512	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V	200-WFBGA (10x14,5)	-		3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	2 000	1,6 GHz	Volatil	16 Gbit		Drachme	512m x 32	-	-
MT28FW01GABA1LPC-0AAT	16.5900	RFQ	7071	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	En gros	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	64 LBGA	MT28FW01	Flash - ni	1,7 V ~ 3,6 V	64 LBGA (11x13)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 104		Non volatile	1 gbit	105 ns	Éclair	64m x 16	Parallèle	60ns
M29F400FB55M32	-	RFQ	2963	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	En gros	Obsolète	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Support de surface	44-SOIC (0 496 ", 12,60 mm de grandeur)	M29F400	Flash - ni	4,5 V ~ 5,5 V	44-so	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			OBSOLÈTE	0000.00.0000	240		Non volatile	4mbbitons	55 ns	Éclair	512k x 8, 256k x 16	Parallèle	55ns
Mt53d4dcsb-dc	-	RFQ	9813	Micron Technology Inc.	-	Boîte	Abandonné à sic				MT53D4				-			Atteindre non affecté			0000.00.0000	1 190
MT41J512M8RA-15E IT: D	-	RFQ	4304	Micron Technology Inc.	-	En gros	Obsolète	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	78-TFBGA	MT41J512M8	Sdram - ddr3	1 425V ~ 1 575 V	78-fbga (10,5x12)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			EAR99	8542.32.0036	1 000	667 MHz	Volatil	4 Gbit	13,5 ns	Drachme	512m x 8	Parallèle	-
MT28EW128ABA1LJS-0SIT	7.7600	RFQ	524	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	56-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	MT28EW128	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	56 TSOP	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	576		Non volatile	128mbitons	95 ns	Éclair	16m x 8, 8m x 16	Parallèle	60ns
MTFC32GJWDQ-4L AIT Z	-	RFQ	2862	Micron Technology Inc.	E • MMC ™	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	100 lbga	Mtfc32g	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	100 lbga (14x18)	-			Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	980		Non volatile	256 GBIT		Éclair	32g x 8	MMC	-
MT48LC16M8A2P-6A: L	-	RFQ	8037	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)	MT48LC16M8A2	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	1 080	167 MHz	Volatil	128mbitons	5.4 ns	Drachme	16m x 8	Parallèle	12ns
MT46H16M16LFBF-6 IT: A	-	RFQ	8252	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	60-VFBGA	MT46H16M16	SDRAM - LPDDR MOBILE	1,7 V ~ 1,95 V	60-VFBGA (8x9)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	1 000	166 MHz	Volatil	256mbitons	5 ns	Drachme	16m x 16	Parallèle	12ns
MT53E1G32D2NP-046 WT: B TR	18.6300	RFQ	4284	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	200-WFBGA	MT53E1G32	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V	200-WFBGA (10x14,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	557-MT53E1G32D2NP-046WT: BTR			2 000	2.133 GHz	Volatil	32 Gbit		Drachme	1g x 32	-	-
JS28F320J3D75A	-	RFQ	6854	Micron Technology Inc.	Strataflash ™	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	56-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	JS28F320J3	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	56 TSOP	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	576		Non volatile	32mbitons	75 ns	Éclair	4m x 8, 2m x 16	Parallèle	75ns
Edbm432b3pf-1d-fr tr	-	RFQ	9151	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	168-VFBGA	EDBM432	Sdram - mobile lpddr2	1,14 V ~ 1,95 V	168-fbga (12x12)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			OBSOLÈTE	0000.00.0000	1 000	533 MHz	Volatil	12gbit		Drachme	384m x 32	Parallèle	-
MT40A2G16SKL-062E: B Tr	-	RFQ	6819	Micron Technology Inc.	Twindie ™	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA	MT40A2G16	Sdram - ddr4	1,14 V ~ 1,26 V	96-FBGA (10,5x13)	télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	557-MT40A2G16SKL-062E: BTR	OBSOLÈTE	8542.32.0071	2 000	1,6 GHz	Non volatile	32 Gbit	13,75 ns	Drachme	2G x 16	Parallèle	-
N25Q256A33EF840F	-	RFQ	5378	Micron Technology Inc.	-	En gros	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-VDFN	N25Q256A33	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	8-VDFPN (MLP8) (8x6)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1440	108 MHz	Non volatile	256mbitons		Éclair	64m x 4	Pimenter	8 ms, 5 ms
MT29F64G08AKCBBH2-12: B	-	RFQ	5057	Micron Technology Inc.	-	En gros	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	100 TBGA	MT29F64G08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	100-TBGA (12x18)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			3A991B1A	8542.32.0071	1 000	83 MHz	Non volatile	64gbit		Éclair	8g x 8	Parallèle	-
MT53B768M32D4DT-062 AIT: B	-	RFQ	3178	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	200-VFBGA	MT53B768	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V	200-VFBGA (10x14,5)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 360	1,6 GHz	Volatil	24gbit		Drachme	768m x 32	-	-
MT29F2G08ABAEAH4-AITX: E TR	5.1300	RFQ	642	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	63-VFBGA	MT29F2G08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	63-VFBGA (9x11)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000		Non volatile	2 gbit		Éclair	256m x 8	Parallèle	-
MTFC64GBCAQTC-AAT TR	24.5000	RFQ	6064	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif								-				557-MTFC64GBCAQTC-AATTR			2 000
MT46V64M8P-5B AIT: J TR	-	RFQ	3012	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	MT46V64M8	Sdram - ddr	2,3V ~ 2,7 V	66 TSOP	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 000	200 MHz	Volatil	512mbitons	700 PS	Drachme	64m x 8	Parallèle	15NS
M25px64-vme6tg tr	-	RFQ	1959	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-VDFN	M25px64	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	8-VDFPN (MLP8) (8x6)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	4 000	75 MHz	Non volatile	64mbitons		Éclair	8m x 8	Pimenter	15 ms, 5 ms

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