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Mémoire (10402)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Fréquence d'Horloge	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page
MT29F4T08EULEEM4-QC: E	105.9150	RFQ	3388	Micron Technology Inc.	-	Boîte	Actif								-				557-MT29F4T08EULEEM4-QC: E			1
MTFC4GLWDM-4M AAT A TR	11.0850	RFQ	8067	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif				Mtfc4				-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	Mtfc4glwdm-4maatatr		0000.00.0000	2 000
MT29F2T08EMLCEJ4-R: C TR	-	RFQ	5391	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	132-VBGA	MT29F2T08	Flash - Nand (TLC)	2,7 V ~ 3,6 V	132-VBGA (12x18)	-		3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	557-MT29F2T08EMLCEJ4-R: CTR	OBSOLÈTE	8542.32.0071	2 000		Non volatile	2 tbit		Éclair	256g x 8	Parallèle	-
M28W160CB100N6T TR	-	RFQ	4747	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	M28W160	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	48 TSOP	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	1 500		Non volatile	16mbitons	100 ns	Éclair	1m x 16	Parallèle	100ns
MT29F2G08ABAFAH4-S: F Tr	-	RFQ	5236	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	63-VFBGA	MT29F2G08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	63-VFBGA (9x11)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000		Non volatile	2 gbit		Éclair	256m x 8	Parallèle	-
N25Q128A21BF840E	-	RFQ	6945	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-VDFN	N25Q128A21	Flash - ni	1,7 V ~ 2V	8-VDFPN (MLP8) (8x6)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			3A991B1A	8542.32.0071	320	108 MHz	Non volatile	128mbitons		Éclair	32m x 4	Pimenter	8 ms, 5 ms
MT40A1G8WE-083E AUT: B TR	-	RFQ	1152	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 125 ° C (TC)	Support de surface	78-TFBGA	MT40A1G8	Sdram - ddr4	1,14 V ~ 1,26 V	78-fbga (8x12)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	2 000	1,2 GHz	Volatil	8 Gbit		Drachme	1g x 8	Parallèle	-
M50FW080K5TG TR	-	RFQ	1056	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-20 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	32 LCC (J-LEAD)	M50FW080	Flash - ni	3V ~ 3,6 V	32-PLCC (11.35x13.89)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	750	33 MHz	Non volatile	8mbitons	250 ns	Éclair	1m x 8	Parallèle	-
PC28F512P30BF0	-	RFQ	8004	Micron Technology Inc.	AXCELL ™	Plateau	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	64 TBGA	PC28F512	Flash - ni	1,7 V ~ 2V	64-Easybga (8x10)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	184	52 MHz	Non volatile	512mbitons	100 ns	Éclair	32m x 16	Parallèle	100ns
MT29F1T08CUCABK8-6: A	-	RFQ	6161	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	-	-	MT29F1T08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	-	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			3A991B1A	8542.32.0071	1 000	167 MHz	Non volatile	1 tbit		Éclair	128g x 8	Parallèle	-
MT41J256M16HA-093G: E	-	RFQ	3506	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA	MT41J256M16	Sdram - ddr3	1 425V ~ 1 575 V	96-FBGA (9x14)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 000	1 066 GHz	Volatil	4 Gbit	20 ns	Drachme	256m x 16	Parallèle	-
MTFC4GMWDQ-3M AIT TR	-	RFQ	8064	Micron Technology Inc.	E • MMC ™	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	100 lbga	Mtfc4	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	100 lbga (14x18)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000		Non volatile	32 Gbit		Éclair	4G x 8	MMC	-
MT53B1024M32D4NQ-062 WT: C	-	RFQ	1349	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	200-VFBGA	MT53B1024	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V	200-VFBGA (10x14,5)	-		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 360	1,6 GHz	Volatil	32 Gbit		Drachme	1g x 32	-	-
MT41K2G4RKB-107 C: N	-	RFQ	9969	Micron Technology Inc.	Twindie ™	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	78-TFBGA	MT41K2G4	Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	78-fbga (8x10,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		557-MT41K2G4RKB-107C: n	OBSOLÈTE		1440	933 MHz	Volatil	8 Gbit	20 ns	Drachme	2G x 4	Parallèle	15NS
MT53E1G32D2FW-046 IT: A	27.1500	RFQ	7860	Micron Technology Inc.	-	Boîte	Actif	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	200-TFBGA		Sdram - mobile lpddr4x	1 06 V ~ 1,17 V	200-TFBGA (10x14,5)	-				557-MT53E1G32D2FW-046IT: A			1	2.133 GHz	Volatil	32 Gbit		Drachme	1g x 32	Parallèle	18n
Mt29f8g08facwp: c tr	-	RFQ	2638	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	MT29F8G08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	48-tsop i	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000		Non volatile	8 Gbit		Éclair	1g x 8	Parallèle	-
M29W800FB70N3E	-	RFQ	4272	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	M29W800	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	48-tsop i	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			EAR99	8542.32.0071	96		Non volatile	8mbitons	70 ns	Éclair	1m x 8, 512k x 16	Parallèle	70ns
EDFP112A3PF-GDTJ-FD	-	RFQ	6104	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-30 ° C ~ 105 ° C (TC)	-	-	EDFP112	Sdram - mobile lpddr3	1,14 V ~ 1,95 V	-	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			OBSOLÈTE	0000.00.0000	1 190	800 MHz	Volatil	24gbit		Drachme	192m x 128	Parallèle	-
MT62F768M32D2DS-026 WT: B TR	17.6400	RFQ	5455	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif								-				557-MT62F768M32D2DS-026WT: BTR			2 000
MT53E2G64D8TN-046 WT: A TR	92.3100	RFQ	8633	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-25 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	556-LFBGA		Sdram - mobile lpddr4x	1 06 V ~ 1,17 V	556-LFBGA (12.4x12.4)	-				557-MT53E2G64D8TN-046WT: ATR			2 000	2.133 GHz	Volatil	128 GBIT	3,5 ns	Drachme	2G x 64	Parallèle	18n
MT29F128G08AKCABH2-10ITZ: A TR	-	RFQ	2990	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	100 TBGA	MT29F128G08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	100-TBGA (12x18)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000	100 MHz	Non volatile	128 GBIT		Éclair	16g x 8	Parallèle	-
M29w640gt70na6f tr	-	RFQ	4233	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	M29W640	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	48-tsop i	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			3A991B1A	8542.32.0071	1 500		Non volatile	64mbitons	70 ns	Éclair	8m x 8, 4m x 16	Parallèle	70ns
MT29VZZZAD8HQKPR-053 W ES.G8C	-	RFQ	2779	Micron Technology Inc.	-	Boîte	Obsolète				Mt29vzzzad8				-		1 (illimité)			OBSOLÈTE	0000.00.0000	1 520
MT53E1G32D2FW-046 AIT: C	-	RFQ	5951	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	200-TFBGA		Sdram - mobile lpddr4x	1 06 V ~ 1,17 V	200-TFBGA (10x14,5)	-				557-mt53e1g32d2fw-046ait: c			1	2.133 GHz	Volatil	32 Gbit	3,5 ns	Drachme	1g x 32	Parallèle	18n
MT29F4G01ABBFD12-IT: F Tr	-	RFQ	9437	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	24 TBGA	MT29F4G01	Flash - Nand (SLC)	1,7 V ~ 1,95 V	24-T-PBGA (6x8)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		MT29F4G01ABBFD12-IT: FTR	OBSOLÈTE	8542.32.0071	2 000	83 MHz	Non volatile	4 Gbit		Éclair	4G x 1	Pimenter	-
MT53E768M32D2FW-046 AIT: C TR	20.7300	RFQ	3312	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif								-				557-mt53e768m32d2fw-046ait: CTR			2 000
MT62F1G32D4DS-031 AAT: B TR	32.5650	RFQ	3030	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C	Support de surface	200-WFBGA		Sdram - mobile lpddr5	1,05 V	200-WFBGA (10x14,5)	-				557-MT62F1G32D4DS-031AAT: BTR			2 000	3,2 GHz	Volatil	32 Gbit		Drachme	1g x 32	Parallèle	-
MT53E1G16D1FW-046 WT: A	11.9850	RFQ	4309	Micron Technology Inc.	-	Boîte	Actif	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	200-TFBGA		Sdram - mobile lpddr4x	1 06 V ~ 1,17 V	200-TFBGA (10x14,5)	-				557-MT53E1G16D1FW-046WT: A			1	2.133 GHz	Volatil	16 Gbit	3,5 ns	Drachme	1g x 16	Parallèle	18n
MT29F4G01ABBFDWB-IT: F	4.2200	RFQ	8957	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	8-UDFN	MT29F4G01	Flash - Nand (SLC)	1,7 V ~ 1,95 V	8-updfn (8x6) (MLP8)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 920	83 MHz	Non volatile	4 Gbit		Éclair	4G x 1	Pimenter	-
MT40A1G8SA-062E: R TR	6.0000	RFQ	6270	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	78-TFBGA	MT40A1G8	Sdram - ddr4	1,14 V ~ 1,26 V	78-fbga (7,5x11)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	557-MT40A1G8SA-062E: RTR	3A991B1A	8542.32.0071	2 000	1,6 GHz	Volatil	8 Gbit	19 ns	Drachme	1g x 8	Parallèle	15NS

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
15 000 m²
Entrepôt en stock

Mémoire (10402)

2000+

30 000 000

2800+

15 000 m2

15 000 m²