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Mémoire (10402)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Fréquence d'Horloge	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page
MT46V64M8P-75Z: D	-	RFQ	9030	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	MT46V64M8	Sdram - ddr	2,3V ~ 2,7 V	66 TSOP	-	Rohs3 conforme	4 (72 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	1 000	133 MHz	Volatil	512mbitons	750 PS	Drachme	64m x 8	Parallèle	15NS
MT29F512G08EMCBBJ5-6: B	-	RFQ	9114	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	-	MT29F512G08	Flash - Nand (TLC)	2,7 V ~ 3,6 V	132-TBGA (12x18)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			OBSOLÈTE	0000.00.0000	1	167 MHz	Non volatile	512gbit		Éclair	64g x 8	Parallèle	-
MT53E1G64D4HJ-046 AAT: A	63.1350	RFQ	8213	Micron Technology Inc.	-	Boîte	Actif								-				557-MT53E1G64D4HJ-046AAT: A			1
MT47H128M8SH-187E: M	-	RFQ	8463	Micron Technology Inc.	-	En gros	Obsolète	0 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	60-TFBGA	MT47H128M8	Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	60-fbga (8x10)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0032	1 518	533 MHz	Volatil	1 gbit	350 PS	Drachme	128m x 8	Parallèle	15NS
MT45W8MW16BGX-856 à	-	RFQ	8513	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)	Support de surface	54-VFBGA	MT45W8MW16	Psram (pseudo sram)	1,7 V ~ 1,95 V	54-VFBGA (8x10)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0041	1 000	66 MHz	Volatil	128mbitons	85 ns	Psram	8m x 16	Parallèle	85ns
MT53D384M64D4KA-046 XT ES: E	-	RFQ	3948	Micron Technology Inc.	-	Boîte	Obsolète	-30 ° C ~ 105 ° C (TC)			MT53D384	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V		-		1 (illimité)			EAR99	8542.32.0036	1 140	2.133 GHz	Volatil	24gbit		Drachme	384m x 64	-	-
MT29F2T08CUCBBK9-37: B	-	RFQ	6772	Micron Technology Inc.	-	Boîte	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	-	-	MT29F2T08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	-	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			OBSOLÈTE	0000.00.0000	1 120	267 MHz	Non volatile	2 tbit		Éclair	256g x 8	Parallèle	-
MT48LC16M16A2P-75: D	-	RFQ	3703	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)	MT48LC16M16A2	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	MT48LC16M16A2P75D	EAR99	8542.32.0024	1 000	133 MHz	Volatil	256mbitons	5.4 ns	Drachme	16m x 16	Parallèle	15NS
N25Q512A13GSF40G	-	RFQ	5836	Micron Technology Inc.	-	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur)	N25Q512A13	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	16-SO	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	557-1577-5	3A991B1A	8542.32.0071	1 225	108 MHz	Non volatile	512mbitons		Éclair	128m x 4	Pimenter	8 ms, 5 ms
MT53E256M16D1FW-046 AAT: B TR	9.3900	RFQ	3436	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)	Support de surface	200-TFBGA		Sdram - mobile lpddr4x	1 06 V ~ 1,17 V	200-TFBGA (10x14,5)	télécharger				557-MT53E256M16D1FW-046AAT: BTR			2 000	2.133 GHz	Volatil	4 Gbit	3,5 ns	Drachme	256m x 16	Parallèle	18n
RC28F128P33T85A	-	RFQ	3644	Micron Technology Inc.	Strataflash ™	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	64 TBGA	RC28F128	Flash - ni	2,3V ~ 3,6 V	64-Easybga (8x10)	télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 800	52 MHz	Non volatile	128mbitons	85 ns	Éclair	8m x 16	Parallèle	85ns
Mt53d4dcsb-dc tr	-	RFQ	9465	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic				MT53D4				-			Atteindre non affecté			0000.00.0000	2 000
PC28F512G18FE	-	RFQ	5755	Micron Technology Inc.	Strataflash ™	Tube	Obsolète	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	64 TBGA	PC28F512	Flash - ni	1,7 V ~ 2V	64-Easybga (8x10)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			3A991B1A	8542.32.0071	1 800	133 MHz	Non volatile	512mbitons	96 ns	Éclair	32m x 16	Parallèle	96ns
MT46V32M16BN-5B: F Tr	-	RFQ	3802	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	60-TFBGA	MT46V32M16	Sdram - ddr	2,5 V ~ 2,7 V	60-FBGA (10x12.5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	1 000	200 MHz	Volatil	512mbitons	700 PS	Drachme	32m x 16	Parallèle	15NS
MT41J64M16JT-15E AIT: G	-	RFQ	2344	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA	MT41J64M16	Sdram - ddr3	1 425V ~ 1 575 V	96-FBGA (8x14)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000	667 MHz	Volatil	1 gbit		Drachme	64m x 16	Parallèle	-
MT53E768M32D2FW-046 WT ES: C TR	24.0600	RFQ	6456	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif								-				557-MT53E768M32D2FW-046WTES: CTR			2 000
N25Q128A13ESE40G	-	RFQ	3515	Micron Technology Inc.	-	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur)	N25Q128A13	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	8-SOP2	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	Q6985588	3A991B1A	8542.32.0071	1 800	108 MHz	Non volatile	128mbitons		Éclair	32m x 4	Pimenter	8 ms, 5 ms
MT29F128G08CECABH1-10Z: A TR	-	RFQ	6156	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	100 VBGA	MT29F128G08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	100 VBGA (12x18)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000	100 MHz	Non volatile	128 GBIT		Éclair	16g x 8	Parallèle	-
M25p16-vmn3tp / 4 tr	-	RFQ	6669	Micron Technology Inc.	FORÉ ™	Ruban de Coupé (CT)	Obsolète	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	M25P16	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	8-so	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	2 000	75 MHz	Non volatile	16mbitons		Éclair	2m x 8	Pimenter	15 ms, 5 ms
MT53E256M32D2DS-053 AIT: B	19.2500	RFQ	4	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	200-WFBGA	MT53E256	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V	200-WFBGA (10x14,5)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	Mt53e256m32d2ds-053ait: b	EAR99	8542.32.0036	1 360	1 866 GHz	Volatil	8 Gbit		Drachme	256m x 32	-	-
MT48LC4M16A2TG-7E: G TR	-	RFQ	4330	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)	MT48LC4M16A2	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	1 000	133 MHz	Volatil	64mbitons	5.4 ns	Drachme	4m x 16	Parallèle	14ns
Mt29f1g01abbfdsf-it: f	-	RFQ	5554	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur)	MT29F1G01	Flash - Nand	1,7 V ~ 1,95 V	16-SO	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1440		Non volatile	1 gbit		Éclair	1g x 1	Pimenter	-
MT29F1G16ABBDAM68A3WC1	-	RFQ	8292	Micron Technology Inc.	-	En gros	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	Mourir	MT29F1G16	Flash - Nand	1,7 V ~ 1,95 V	Mourir	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			3A991B1A	8542.32.0071	1		Non volatile	1 gbit		Éclair	64m x 16	Parallèle	-
MT29F1G16ABBEAHC: E	-	RFQ	7297	Micron Technology Inc.	-	En gros	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	63-VFBGA	MT29F1G16	Flash - Nand	1,7 V ~ 1,95 V	63-VFBGA (10.5x13)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 140		Non volatile	1 gbit		Éclair	64m x 16	Parallèle	-
MT46H128M32L2MC-6 WT: B TR	-	RFQ	9801	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-25 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	240-WFBGA	MT46H128M32	SDRAM - LPDDR MOBILE	1,7 V ~ 1,95 V	240-WFBGA (14x14)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			EAR99	8542.32.0036	1 000	166 MHz	Volatil	4 Gbit	5 ns	Drachme	128m x 32	Parallèle	15NS
MT46H8M16LFBF-6 AT: K TR	-	RFQ	4810	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	60-VFBGA	MT46H8M16	SDRAM - LPDDR MOBILE	1,7 V ~ 1,95 V	60-VFBGA (8x9)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	1 000	166 MHz	Volatil	128mbitons	5 ns	Drachme	8m x 16	Parallèle	15NS
Mtfc4gacaaam-1m wt tr	-	RFQ	3053	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète				Mtfc4				-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			OBSOLÈTE	0000.00.0000	1 000
M29dw641f60ze6e	-	RFQ	6358	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFBGA	M29DW641	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	48-TFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	187		Non volatile	64mbitons	60 ns	Éclair	4m x 16	Parallèle	60ns
EDF8164A3MC-GD-FD	-	RFQ	4848	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	-	-	EDF8164	Sdram - mobile lpddr3	1,14 V ~ 1,95 V	-	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			OBSOLÈTE	0000.00.0000	1 520	800 MHz	Volatil	8 Gbit		Drachme	128m x 64	Parallèle	-
MT29F64G08CBCABH1-10Z: A	-	RFQ	8804	Micron Technology Inc.	-	Tube	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	100 VBGA	MT29F64G08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	100 VBGA (12x18)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 120	100 MHz	Non volatile	64gbit		Éclair	8g x 8	Parallèle	-

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Mémoire (10402)

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