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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page |
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![]() | MT53E384M32D2DS-053 AUT: E | - | ![]() | 3305 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Support de surface | 200-WFBGA | MT53E384 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | MT53E384M32D2DS-053AUT: E | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 360 | 1 866 GHz | Volatil | 12gbit | Drachme | 384m x 32 | - | - | ||
![]() | EDF8164A3PK-JD-FD | - | ![]() | 1829 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 216-WFBGA | EDF8164 | Sdram - mobile lpddr3 | 1,14 V ~ 1,95 V | 216-FBGA (12x12) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 680 | 933 MHz | Volatil | 8 Gbit | Drachme | 128m x 64 | Parallèle | - | |||
![]() | MT29F128G08EBEBBB95A3WC1-M | - | ![]() | 4090 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | Mourir | MT29F128G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | Mourir | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 | Non volatile | 128 GBIT | Éclair | 16g x 8 | Parallèle | - | |||||
![]() | MT62F1G32D2DS-023 AIT: C | 29.0250 | ![]() | 8414 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Boîte | Actif | - | Support de surface | 200-WFBGA | Sdram - mobile lpddr5 | 1,05 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | 557-mt62f1g32d2ds-023ait: c | 1 | 4.266 GHz | Volatil | 32 Gbit | Drachme | 1g x 32 | Parallèle | - | ||||||||
![]() | Mtfc2gmdea-0m wt | - | ![]() | 5737 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Plateau | Obsolète | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 153-WFBGA | Mtfc2g | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 153-WFBGA (11,5x13) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0036 | 1 520 | Non volatile | 16 Gbit | Éclair | 2G x 8 | MMC | - | ||||
![]() | Mtfc16gakaena-4m it | - | ![]() | 5346 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 100 TBGA | Mtfc16 | Flash - Nand | 1,7 V ~ 1,9 V | 100-TBGA (14x18) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | Non volatile | 128 GBIT | Éclair | 16g x 8 | MMC | - | |||||
![]() | MT62F1536M64D8EK-023 FAAT: B | 94.8300 | ![]() | 3945 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Boîte | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C | Support de surface | 441-TFBGA | Sdram - mobile lpddr5 | - | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-MT62F1536M64D8EK-023FAAT: B | 1 | 4.266 GHz | Volatil | 96 Gbit | Drachme | 1,5 GX 64 | Parallèle | - | ||||||||
![]() | MT29F4G01AAADDHC: D | - | ![]() | 6920 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 63-VFBGA | MT29F4G01 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 63-VFBGA (10.5x13) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 140 | Non volatile | 4 Gbit | Éclair | 4G x 1 | Pimenter | - | ||||
![]() | MT53E512M32D2FW-046 AUT: D | - | ![]() | 4416 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | En gros | Acheter la Dernière | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Support de surface | 200-TFBGA | Sdram - mobile lpddr4x | 1 06 V ~ 1,17 V | 200-TFBGA (10x14,5) | - | 557-MT53E512M32D2FW-046AUT: D | 1 | 2.133 GHz | Volatil | 16 Gbit | 3,5 ns | Drachme | 512m x 32 | Parallèle | 18n | |||||||
![]() | M29W640GB70ZS6F TR | - | ![]() | 7423 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 64 LBGA | M29W640 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 64-fbga (11x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 800 | Non volatile | 64mbitons | 70 ns | Éclair | 8m x 8, 4m x 16 | Parallèle | 70ns | ||||
![]() | MT52L256M64D2PD-107 WT: B TR | - | ![]() | 1448 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 216-WFBGA | MT52L256 | Sdram - mobile lpddr3 | 1,2 V | 216-FBGA (15x15) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 000 | 933 MHz | Volatil | 16 Gbit | Drachme | 256m x 64 | - | - | |||
![]() | M29W256GH70ZA6F TR | - | ![]() | 6856 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 64 TBGA | M29W256 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 64-TBGA (10x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2 500 | Non volatile | 256mbitons | 70 ns | Éclair | 32m x 8, 16m x 16 | Parallèle | 70ns | |||
![]() | MT62F1G64D4ZV-023 WT: B | 37.2450 | ![]() | 7877 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | - | 557-MT62F1G64D4ZV-023WT: B | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | MT53E2G32D4DE-046 AUT: C TR | 64.9800 | ![]() | 6952 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Support de surface | 200-TFBGA | Sdram - mobile lpddr4x | 1 06 V ~ 1,17 V | 200-TFBGA (10x14,5) | - | 557-MT53E2G32D4DE-046AUT: CTR | 2 000 | 2.133 GHz | Volatil | 64gbit | 3,5 ns | Drachme | 2G x 32 | Parallèle | 18n | |||||||
![]() | MT62F1G32D4DS-031 WT: B TR | 23.3100 | ![]() | 6157 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -25 ° C ~ 85 ° C | Support de surface | 200-WFBGA | Sdram - mobile lpddr5 | 1,05 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | 557-MT62F1G32D4DS-031WT: BTR | 2 000 | 3,2 GHz | Volatil | 32 Gbit | Drachme | 1g x 32 | Parallèle | - | ||||||||
![]() | Mt55v512v36ft-10 | 17.3600 | ![]() | 620 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | ZBT® | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | MT55V512V | Sram - synchrone, zbt | 3.135V ~ 3 465V | 100-TQFP (14x20.1) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | Volatil | 18mbitons | 7,5 ns | Sram | 512k x 36 | Parallèle | - | ||
MT53E1536M32D4DE-046 AIT: C TR | 36.5850 | ![]() | 3428 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 200-TFBGA | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1 06 V ~ 1,17 V | 200-TFBGA (10x14,5) | - | Rohs3 conforme | 557-MT53E1536M32D4DE-046AIT: CTR | 2 000 | 2.133 GHz | Volatil | 48gbit | 3,5 ns | Drachme | 1,5 GX 32 | Parallèle | 18n | |||||||
![]() | MT58L256L32DT-7.5 | 4.6200 | ![]() | 80 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst ™ | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | MT58L256L32 | Sram - synchrone | 3.135V ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x20.1) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | Volatil | 8mbitons | 4 ns | Sram | 256k x 32 | Parallèle | - | ||
![]() | MT29E256G08CMCDBJ5-6: D TR | - | ![]() | 9478 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 132-TBGA | MT29E256G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 132-TBGA (12x18) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 167 MHz | Non volatile | 256 GBIT | Éclair | 32g x 8 | Parallèle | - | ||||
MT35XU01GBBA4G12-0SIT TR | - | ![]() | 9496 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | XCCELA ™ - MT35X | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C | Support de surface | 24 TBGA | MT35XU01 | Flash - ni | 1,7 V ~ 2V | 24-T-PBGA (6x8) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2 500 | 200 MHz | Non volatile | 1 gbit | Éclair | 128m x 8 | Bus xccela | - | ||||
![]() | MT55V512V32PT-5 | 17.3600 | ![]() | 325 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | ZBT® | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | Sram - zbt | 2 375V ~ 2 625V | 100-TQFP (14x20.1) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 200 MHz | Volatil | 18mbitons | 3.2 ns | Sram | 512k x 32 | Parallèle | - | |||
![]() | MT55L64L32F1T-12 | 5.7500 | ![]() | 582 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | ZBT® | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | Sram - zbt | 3.135V ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x20.1) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 83 MHz | Volatil | 2mbitons | 9 ns | Sram | 64k x 32 | Parallèle | - | |||
![]() | Mtfc8glvea-1m wt | - | ![]() | 1614 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Plateau | Obsolète | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 153-WFBGA | Mtfc8 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 153-WFBGA (11,5x13) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8523.51.0000 | 1 000 | Non volatile | 64gbit | Éclair | 8g x 8 | MMC | - | |||||
MT40A2G4SA-075 C: E | - | ![]() | 5780 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tube | Obsolète | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 78-TFBGA | MT40A2G4 | Sdram - ddr4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 78-fbga (7,5x11) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 557-MT40A2G4SA-075C: E | OBSOLÈTE | 1 260 | 1,33 GHz | Volatil | 8 Gbit | 19 ns | Drachme | 2G x 4 | Parallèle | 15NS | ||||
![]() | MT53B256M32D1DS-062 XT: C | - | ![]() | 1196 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -30 ° C ~ 105 ° C (TC) | Support de surface | 200-WFBGA | MT53B256 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 360 | 1,6 GHz | Volatil | 8 Gbit | Drachme | 256m x 32 | - | - | |||
MT40A512M16TD-062E AUT: R TR | - | ![]() | 9159 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | 96-TFBGA | 96-FBGA (7,5x13) | - | Atteindre non affecté | 557-MT40A512M16TD-062EAUT: RTR | 1 | ||||||||||||||||||
MT35XU02GCBA4G12-0SIT TR | - | ![]() | 9982 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | XCCELA ™ - MT35X | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C | Support de surface | 24 TBGA | MT35XU02 | Flash - ni | 1,7 V ~ 2V | 24-T-PBGA (6x8) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2 500 | 200 MHz | Non volatile | 2 gbit | Éclair | 256m x 8 | Bus xccela | - | ||||
![]() | MT62F1G32D2DS-026 WT: B TR | 22.8450 | ![]() | 1853 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -25 ° C ~ 85 ° C | Support de surface | 200-WFBGA | Sdram - mobile lpddr5 | 1,05 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | 557-MT62F1G32D2DS-026WT: BTR | 2 000 | 3,2 GHz | Volatil | 32 Gbit | Drachme | 1g x 32 | Parallèle | - | ||||||||
![]() | Mtfc8glzdm-1m wt | - | ![]() | 7366 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | En gros | Obsolète | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | - | Mtfc8 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | - | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 64gbit | Éclair | 8g x 8 | MMC | - | |||||
![]() | MT53D512M64D4RQ-046 WT ES: E | - | ![]() | 8457 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Actif | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 556-WFBGA | MT53D512 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | 556-WFBGA (12.4x12.4) | - | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 360 | 2.133 GHz | Volatil | 32 Gbit | Drachme | 512m x 64 | - | - |
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