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Mémoire (10402)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Fréquence d'Horloge	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page
Mt53d4dfsb-dc	-	RFQ	3899	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Abandonné à sic		-	-	MT53D4	SDRAM - MOBILE LPDDR4		-	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté			0000.00.0000	1 190		Volatil			Drachme
MT58L64L36DT-7	5.5100	RFQ	140	Micron Technology Inc.	Syncburst ™	En gros	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP		SRAM - Standard	3.135V ~ 3,6 V	100-TQFP (14x20.1)	télécharger	Non applicable	3 (168 Heures)	Vendeur indéfini		3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	Volatil	2mbitons		Sram	64k x 36	Parallèle	-
MT28EW256ABA1HPC-0SIT TR	6.8100	RFQ	7778	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	64 LBGA	MT28EW256	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	64 LBGA (11x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	2 000		Non volatile	256mbitons	75 ns	Éclair	32m x 8, 16m x 16	Parallèle	60ns
MT46V32M16CV-5B IT: J	-	RFQ	9093	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	60-TFBGA	MT46V32M16	Sdram - ddr	2,5 V ~ 2,7 V	60-FBGA (8x12.5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			EAR99	8542.32.0028	1 000	200 MHz	Volatil	512mbitons	700 PS	Drachme	32m x 16	Parallèle	15NS
Mtfc32gaoalea-wt es	-	RFQ	1015	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic				Mtfc32g				-			Atteindre non affecté			0000.00.0000	1 000
Mt53d8dahr-dc	-	RFQ	8623	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Actif		Support de surface	366-WFBGA	MT53D8	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V	366-WFBGA (12x12.7)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté			0000.00.0000	1 360		Volatil			Drachme		-	-
EDFA364A3MA-GD-FR TR	-	RFQ	2825	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	-	-	EDFA364	Sdram - mobile lpddr3	1,14 V ~ 1,95 V	-	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	2 000	800 MHz	Volatil	16 Gbit		Drachme	256m x 64	Parallèle	-
MT53D384M64D4NY-046 XT ES: D	-	RFQ	1569	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-30 ° C ~ 105 ° C (TC)	-	-	MT53D384	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V	-	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 190	2.133 GHz	Volatil	24gbit		Drachme	384m x 64	-	-
Mt29f2g16abagawp-aates: g	5.4935	RFQ	2195	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	MT29F2G16	Flash - Nand (SLC)	2,7 V ~ 3,6 V	48-tsop i	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté			0000.00.0000	960		Non volatile	2 gbit		Éclair	128m x 16	Parallèle	-
Jr28f064m29ewha	-	RFQ	2007	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	JR28F064M29	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	48-tsop i	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	576		Non volatile	64mbitons	70 ns	Éclair	8m x 8, 4m x 16	Parallèle	70ns
MT29F256G08CECABH6-6: A TR	-	RFQ	1857	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	152-VBGA	MT29F256G08	Flash - Nand (MLC)	2,7 V ~ 3,6 V	152-VBGA (14x18)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000	166 MHz	Non volatile	256 GBIT		Éclair	32g x 8	Parallèle	-
MT51K256M32HF-50 N: A	-	RFQ	1041	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	-	-	MT51K256	Sgram - gddr5	1,3 V ~ 1 545 V	-	-		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	1 260	1,25 GHz	Volatil	8 Gbit		Bélier	256m x 32	Parallèle	-
MT53D256M64D4NY-046 XT: B	-	RFQ	3850	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-30 ° C ~ 105 ° C (TC)	-	-	MT53D256	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V	-	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 190	2.133 GHz	Volatil	16 Gbit		Drachme	256m x 64	-	-
MT48H8M16LFB4-6: K	-	RFQ	2301	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Abandonné à sic	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	54-VFBGA	MT48H8M16	SDRAM - LPSDR MOBILE	1,7 V ~ 1,95 V	54-VFBGA (8x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	1 000	166 MHz	Volatil	128mbitons	5 ns	Drachme	8m x 16	Parallèle	15NS
MT29F1T08EHAFJ4-3ITFES: A TR	38.9700	RFQ	5954	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	132-VBGA	MT29F1T08	Flash - Nand	2,5 V ~ 3,6 V	132-VBGA (12x18)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	MT29F1T08EHAFJ4-3ITFES: ATR		8542.32.0071	2 000	333 MHz	Non volatile	1 tbit		Éclair	128g x 8	Parallèle	-
MT47H64M8SH-25E AAT: H TR	-	RFQ	3819	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	60-TFBGA	MT47H64M8	Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	60-fbga (8x10)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0032	2 000	400 MHz	Volatil	512mbitons	400 PS	Drachme	64m x 8	Parallèle	15NS
MT29F2G01ABAGDM79A3WC1	-	RFQ	6241	Micron Technology Inc.	-	En gros	Obsolète	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)	Support de surface	Mourir	MT29F2G01	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	Mourir	-					OBSOLÈTE		1		Non volatile	2 gbit		Éclair	2G x 1	Pimenter	-
MT46H32M32LFJG-6 IT: A	-	RFQ	2453	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	168-VFBGA	MT46H32M32	SDRAM - LPDDR MOBILE	1,7 V ~ 1,95 V	168-VFBGA (12x12)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0032	1 000	166 MHz	Volatil	1 gbit	5 ns	Drachme	32m x 32	Parallèle	15NS
Nand256w3a2bn6f tr	-	RFQ	2930	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	NAND256	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	48 TSOP	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 500		Non volatile	256mbitons	50 ns	Éclair	32m x 8	Parallèle	50ns
MT40A1G4HX-093E: A	-	RFQ	9682	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	78-TFBGA	MT40A1G4	Sdram - ddr4	1,14 V ~ 1,26 V	78-fbga (9x11,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			EAR99	8542.32.0036	1 000	1 066 GHz	Volatil	4 Gbit		Drachme	1g x 4	Parallèle	-
MT29C1G12MAADAFAMD-6 IT TR	-	RFQ	7859	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	130-VFBGA	MT29C1G12	Flash - NAND, LPDRAM MOBILE	1,7 V ~ 1,95 V	130-VFBGA (8x9)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000	166 MHz	Non volatile, volatile	1gbit (nand), 1gbit (lpdram)		Flash, Bélier	128m x 8 (nand), 32m x 32 (lpdram)	Parallèle	-
N25Q256A11E1241F TR	-	RFQ	5828	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	24 TBGA	N25Q256A11	Flash - ni	1,7 V ~ 2V	24-T-PBGA (6x8)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	2 500	108 MHz	Non volatile	256mbitons		Éclair	64m x 4	Pimenter	8 ms, 5 ms
MT29F64G08AFAAAWP-Z: A	-	RFQ	4963	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	MT29F64G08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	48-tsop i	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000		Non volatile	64gbit		Éclair	8g x 8	Parallèle	-
MT29F4G08ABADAH4-AT: D	-	RFQ	1042	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	63-VFBGA	MT29F4G08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	63-VFBGA (9x11)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1 260		Non volatile	4 Gbit		Éclair	512m x 8	Parallèle	-
N25Q512A13GSFA0F TR	-	RFQ	8062	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Support de surface	16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur)	N25Q512A13	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	16-SO	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000	108 MHz	Non volatile	512mbitons		Éclair	128m x 4	Pimenter	8 ms, 5 ms
MT60B2G8HB-52B IT: G TR	18.2400	RFQ	1278	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif								-				557-MT60B2G8HB-52BIT: GTR			3 000
Mt29f1t08eehbfj4-t: b tr	-	RFQ	3359	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	132-VBGA	MT29F1T08	Flash - Nand (TLC)	1,7 V ~ 1,95 V	132-VBGA (12x18)	-		3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	557-MT29F1T08EEHBFJ4-T: BTR	OBSOLÈTE	8542.32.0071	1 000		Non volatile	1 tbit		Éclair	128g x 8	Parallèle	-
MTFC128GAOALEA-WT TR	-	RFQ	4671	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète								-				557-MTFC128GAOALEA-WTTR	OBSOLÈTE		2 000
M25pe20-vmn6tp tr	-	RFQ	4926	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	M25PE20	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	8-so	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	2 500	75 MHz	Non volatile	2mbitons		Éclair	256k x 8	Pimenter	15 ms, 3 ms
Mt4a2g8nre-83e: b tr	-	RFQ	8709	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif				MT4A2				-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté			0000.00.0000	2 000

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