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Mémoire (10402)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Fréquence d'Horloge	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page
MT46V32M8FG-6 L: G	-	RFQ	7226	Micron Technology Inc.	-	Boîte	Abandonné à sic	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	60-fbga	MT46V32M8	Sdram - ddr	2,3V ~ 2,7 V	60-fbga (8x14)	télécharger	Rohs non conforme	2 (1 AN)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	1 000	167 MHz	Volatil	256mbitons	700 PS	Drachme	32m x 8	Parallèle	15NS
MT40A512M8RH-083E AUT: B TR	-	RFQ	8613	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 125 ° C (TC)	Support de surface	78-TFBGA	MT40A512M8	Sdram - ddr4	1,14 V ~ 1,26 V	78-fbga (9x10,5)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	2 000	1,2 GHz	Volatil	4 Gbit		Drachme	512m x 8	Parallèle	-
MT29F32G08CBACAL73A3WC1L	4.4300	RFQ	8409	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	Mourir	MT29F32G08	Flash - Nand (MLC)	2,7 V ~ 3,6 V	Mourir	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté				1		Non volatile	32 Gbit	20 ns	Éclair	4G x 8	Parallèle	20ns
MT28EW512ABA1HJS-0SIT TR	8.4750	RFQ	1157	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	56-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	MT28EW512	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	56 TSOP	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 600		Non volatile	512mbitons	95 ns	Éclair	64m x 8, 32m x 16	Parallèle	60ns
Mt25qu512abb8esf-0sit tr	10.7200	RFQ	3	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur)	Mt25qu512	Flash - ni	1,7 V ~ 2V	16-SO	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000	133 MHz	Non volatile	512mbitons		Éclair	64m x 8	Pimenter	8 ms, 2,8 ms
MT29F2G16ABAEAWP-IT: E TR	-	RFQ	8187	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	MT29F2G16	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	48-tsop i	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000		Non volatile	2 gbit		Éclair	128m x 16	Parallèle	-
MT48LC16M16A2BG-75: D	-	RFQ	9512	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	54-VFBGA	MT48LC16M16A2	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-VFBGA (8x14)	télécharger	Rohs3 conforme	2 (1 AN)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	1 000	133 MHz	Volatil	256mbitons	5.4 ns	Drachme	16m x 16	Parallèle	15NS
MT28F400B5SG-8 BET	-	RFQ	3407	Micron Technology Inc.	-	En gros	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	44-SOIC (0 496 ", 12,60 mm de grandeur)	MT28F400B5	Flash - ni	4,5 V ~ 5,5 V	44-so	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	500		Non volatile	4mbbitons	80 ns	Éclair	512k x 8, 256k x 16	Parallèle	80ns
MT57V1MH18EF-5	23.0000	RFQ	1	Micron Technology Inc.	-	En gros	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	165-TBGA		Sram - synchrone	2,4 V ~ 2,6 V	165-fbga (13x15)	télécharger					3A991B2A	8542.32.0041	1	200 MHz	Volatil	18mbitons	2.4 ns	Sram	1m x 18	Parallèle	-
Mtfc64gapakea-wt es	-	RFQ	3129	Micron Technology Inc.	E • MMC ™	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-25 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	153-WFBGA	Mtfc64	Flash - Nand	-	153-WFBGA (11,5x13)	-		1 (illimité)			3A991B1A	8542.32.0071	1 000		Non volatile	512gbit		Éclair	64g x 8	MMC	-
MT53D1024M32D4NQ-046 AAT ES: D	-	RFQ	2070	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)	Support de surface	200-VFBGA	MT53D1024	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V	200-VFBGA (10x14,5)	-		1 (illimité)			OBSOLÈTE	0000.00.0000	1 360	2.133 GHz	Volatil	32 Gbit		Drachme	1g x 32	-	-
MT44K32M18RB-093E: B	-	RFQ	6253	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	168 TBGA	MT44K32M18	Drachme	1,28 V ~ 1,42 V	168-BGA (13,5x13,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0032	1 190	1 066 GHz	Volatil	576mbit	8 ns	Drachme	32m x 18	Parallèle	-
MT53B768M64D8WF-062 WT ES: D TR	-	RFQ	1004	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	-	-	MT53B768	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V	-	-		1 (illimité)			EAR99	8542.32.0036	1 000	1,6 GHz	Volatil	48gbit		Drachme	768m x 64	-	-
N25Q032A13EV740	-	RFQ	9325	Micron Technology Inc.	-	En gros	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	-	-	N25Q032A13	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	-	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)			OBSOLÈTE	0000.00.0000	1	108 MHz	Non volatile	32mbitons		Éclair	8m x 4	Pimenter	8 ms, 5 ms
MT48H4M16LFB4-8	-	RFQ	4650	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	54-VFBGA	MT48H4M16	SDRAM - LPSDR MOBILE	1,7 V ~ 1,9 V	54-VFBGA (8x8)	télécharger	Rohs3 conforme	2 (1 AN)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	1 000	125 MHz	Volatil	64mbitons	6 ns	Drachme	4m x 16	Parallèle	15NS
M29W256GL7AN6E	-	RFQ	3428	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	56-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	M29W256	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	56 TSOP	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	96		Non volatile	256mbitons	70 ns	Éclair	32m x 8, 16m x 16	Parallèle	70ns
Mtfc128gasaons-aat	73.7250	RFQ	8085	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Boîte	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)	Support de surface	153-TFBGA		Flash - Nand (SLC)	2,7 V ~ 3,6 V	153-TFBGA (11,5x13)	-				557-mtfc128gasaons-aat			1	52 MHz	Non volatile	1 tbit		Éclair	128g x 8	UFS2.1	-
MT49H16M18FM-25: B	-	RFQ	2659	Micron Technology Inc.	-	Boîte	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	144-TFBGA	MT49H16M18	Drachme	1,7 V ~ 1,9 V	144 µbga (18,5x11)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0028	1 000	400 MHz	Volatil	288mbitons	20 ns	Drachme	16m x 18	Parallèle	-
MT29F128G08CECBBH1-10: B	-	RFQ	2093	Micron Technology Inc.	-	En gros	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	100 VBGA	MT29F128G08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	100 VBGA (12x18)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 120	100 MHz	Non volatile	128 GBIT		Éclair	16g x 8	Parallèle	-
MT52L768M32D3PU-107 WT: B	-	RFQ	2712	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	168-WFBGA	MT52L768	Sdram - mobile lpddr3	1,2 V	168-fbga (12x12)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 680	933 MHz	Volatil	24gbit		Drachme	768m x 32	-	-
Mt29f4g16abadawp: D tr	-	RFQ	7039	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	MT29F4G16	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	48-tsop i	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000		Non volatile	4 Gbit		Éclair	256m x 16	Parallèle	-
PC28F256J3D95A	-	RFQ	8381	Micron Technology Inc.	Strataflash ™	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	64 TBGA	PC28F256	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	64-Easybga (10x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	144		Non volatile	256mbitons	95 ns	Éclair	32m x 8, 16m x 16	Parallèle	95ns
MT53B2G32D8QD-062 WT: D	-	RFQ	3185	Micron Technology Inc.	-	En gros	Obsolète	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)			MT53B2G32	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V		-		1 (illimité)			OBSOLÈTE	0000.00.0000	1 360	1,6 GHz	Volatil	64gbit		Drachme	2G x 32	-	-
MT46H16M32LFCX-5: B	-	RFQ	4097	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	90-VFBGA	MT46H16M32	SDRAM - LPDDR MOBILE	1,7 V ~ 1,95 V	90-VFBGA (9x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	1 000	200 MHz	Volatil	512mbitons	5 ns	Drachme	16m x 32	Parallèle	15NS
EDF8164A3MD-GD-FR	-	RFQ	1529	Micron Technology Inc.	-	En gros	Obsolète	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	-	-	EDF8164	Sdram - mobile lpddr3	1,14 V ~ 1,95 V	-	-		1 (illimité)			EAR99	8542.32.0036	1	800 MHz	Volatil	8 Gbit		Drachme	128m x 64	Parallèle	-
N25Q032A13EV7A0	-	RFQ	2606	Micron Technology Inc.	-	En gros	Obsolète	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	-	-	N25Q032A13	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	-	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1	108 MHz	Non volatile	32mbitons		Éclair	8m x 4	Pimenter	8 ms, 5 ms
N2M400GDB321A3CF TR	-	RFQ	5585	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	-	N2M400	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	-	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			3A991B1A	8542.32.0071	1 000	52 MHz	Non volatile	64gbit		Éclair	8g x 8	MMC	-
MT29C1G12MAACYAMD-5 IT TR	-	RFQ	8419	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	130-VFBGA	MT29C1G12	Flash - NAND, LPDRAM MOBILE	1,7 V ~ 1,95 V	130-VFBGA (8x9)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			3A991B1A	8542.32.0071	1 000	200 MHz	Non volatile, volatile	1gbit (nand), 512mbit (lpdram)		Flash, Bélier	128m x 8 (NAND), 16m x 32 (lpdram)	Parallèle	-
MT47H64M16BT-3: A TR	-	RFQ	2969	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	92-TFBGA	MT47H64M16	Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	92-FBGA (11x19)	télécharger	Rohs3 conforme	5 (48 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0032	1 000	333 MHz	Volatil	1 gbit	450 PS	Drachme	64m x 16	Parallèle	15NS
Mtfc16glxam-wt tr	-	RFQ	9307	Micron Technology Inc.	E • MMC ™	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-25 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	-	Mtfc16g	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	-	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			3A991B1A	8542.32.0071	1 000		Non volatile	128 GBIT		Éclair	16g x 8	MMC	-

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