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Mémoire (10402)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Fréquence d'Horloge	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page
N25Q064A11ESF40G	-	RFQ	9489	Micron Technology Inc.	-	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur)	N25Q064A11	Flash - ni	1,7 V ~ 2V	16-SO	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 225	108 MHz	Non volatile	64mbitons		Éclair	16m x 4	Pimenter	8 ms, 5 ms
N25Q128A13ESEA0F TR	-	RFQ	1289	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur)	N25Q128A13	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	8-SOP2	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			3A991B1A	8542.32.0071	1 500	108 MHz	Non volatile	128mbitons		Éclair	32m x 4	Pimenter	8 ms, 5 ms
MT62F1536M64D8CL-023 WT: B TR	55.3050	RFQ	8025	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-	-	-		Sdram - mobile lpddr5	-	-	-				557-MT62F1536M64D8CL-023WT: BTR			2 500	4.266 GHz	Volatil	96 Gbit		Drachme	1,5 GX 64	Parallèle	-
N25Q256A11E1241F TR	-	RFQ	5828	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	24 TBGA	N25Q256A11	Flash - ni	1,7 V ~ 2V	24-T-PBGA (6x8)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	2 500	108 MHz	Non volatile	256mbitons		Éclair	64m x 4	Pimenter	8 ms, 5 ms
MT29F4G08ABADAH4-AT: D	-	RFQ	1042	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	63-VFBGA	MT29F4G08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	63-VFBGA (9x11)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1 260		Non volatile	4 Gbit		Éclair	512m x 8	Parallèle	-
MT51K256M32HF-50 N: A	-	RFQ	1041	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	-	-	MT51K256	Sgram - gddr5	1,3 V ~ 1 545 V	-	-		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	1 260	1,25 GHz	Volatil	8 Gbit		Bélier	256m x 32	Parallèle	-
MT29F4T08GMLCEJ4-QB: C	78.1500	RFQ	1909	Micron Technology Inc.	-	Boîte	Actif								-				557-MT29F4T08GMLCEJ4-QB: C			1
MT29F4G16ABADAH4-AAT: D	-	RFQ	7476	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	63-VFBGA	MT29F4G16	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	63-VFBGA (9x11)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1 260		Non volatile	4 Gbit		Éclair	256m x 16	Parallèle	-
N25Q128A31EF740F TR	-	RFQ	5992	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-VDFN	N25Q128A31	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	8-VDFPN (6x5) (MLP8)	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)			OBSOLÈTE	0000.00.0000	4 000	108 MHz	Non volatile	128mbitons		Éclair	32m x 4	Pimenter	8 ms, 5 ms
MT46V32M16TG-6T IT: F Tr	-	RFQ	9792	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	MT46V32M16	Sdram - ddr	2,3V ~ 2,7 V	66 TSOP	télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	1 000	167 MHz	Volatil	512mbitons	700 PS	Drachme	32m x 16	Parallèle	15NS
M29F040B90N6	-	RFQ	9435	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	32-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	M29F040	Flash - ni	4,5 V ~ 5,5 V	32-tsop	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	156		Non volatile	4mbbitons	90 ns	Éclair	512k x 8	Parallèle	90ns
MT29F1T08EMHAFJ4-3RES: A	-	RFQ	3043	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	132-VBGA	MT29F1T08	Flash - Nand	2,5 V ~ 3,6 V	132-VBGA (12x18)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 120	333 MHz	Non volatile	1 tbit		Éclair	128g x 8	Parallèle	-
MT46H128M32L2KQ-6 WT: B TR	-	RFQ	2415	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-25 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	168-WFBGA	MT46H128M32	SDRAM - LPDDR MOBILE	1,7 V ~ 1,95 V	168-WFBGA (12x12)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			EAR99	8542.32.0036	1 000	166 MHz	Volatil	4 Gbit	5 ns	Drachme	128m x 32	Parallèle	15NS
N25Q064A13ESF40G	-	RFQ	1607	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur)	N25Q064A13	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	16-SO	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 225	108 MHz	Non volatile	64mbitons		Éclair	16m x 4	Pimenter	8 ms, 5 ms
JS28F00AP33TFA	-	RFQ	9635	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	56-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	JS28F00AP33	Flash - ni	2,3V ~ 3,6 V	56 TSOP	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	576	40 MHz	Non volatile	1 gbit	105 ns	Éclair	64m x 16	Parallèle	105ns
MT29F2T08CQHBBG2-3R: B	-	RFQ	9450	Micron Technology Inc.	-	Boîte	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	-	MT29F2T08	Flash - Nand	2,5 V ~ 3,6 V	272-TBGA (14x18)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			OBSOLÈTE	0000.00.0000	980	333 MHz	Non volatile	2 tbit		Éclair	256g x 8	Parallèle	-
MT58L128L36F1T-8.5	4.9600	RFQ	13	Micron Technology Inc.	Syncburst ™	En gros	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP		SRAM - Standard	3.135V ~ 3,6 V	100-TQFP (14x20.1)	télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Vendeur indéfini		3A991B2A	8542.32.0041	1	100 MHz	Volatil	4mbbitons	8,5 ns	Sram	128k x 36	Parallèle	-
M29w640gl70zf3f tr	-	RFQ	1316	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Support de surface	64 TBGA	M29W640	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	64-TBGA (10x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	2 500		Non volatile	64mbitons	70 ns	Éclair	8m x 8, 4m x 16	Parallèle	70ns
EDFA364A3PK-GD-FD	-	RFQ	2113	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	-	-	EDFA364	Sdram - mobile lpddr3	1,14 V ~ 1,95 V	-	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1 190	800 MHz	Volatil	16 Gbit		Drachme	256m x 64	Parallèle	-
MT62F1536M64D8CH-036 WT: A TR	-	RFQ	7950	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-25 ° C ~ 85 ° C			MT62F1536	Sdram - mobile lpddr5	-		-		3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	557-MT62F1536M64D8CH-036WT: ATR	OBSOLÈTE	8542.32.0071	2 000	2,75 GHz	Non volatile	96 Gbit		Éclair	1,5 GX 64	-	-
M29W400DB70ZE6E	-	RFQ	7583	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFBGA	M29W400	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	48-TFBGA (6x9)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	187		Non volatile	4mbbitons	70 ns	Éclair	512k x 8, 256k x 16	Parallèle	70ns
Pz28f064m29ewtx	-	RFQ	9067	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-VFBGA	Pz28f064m29	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	48-BGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			3A991B1A	8542.32.0071	187		Non volatile	64mbitons	60 ns	Éclair	8m x 8, 4m x 16	Parallèle	60ns
MT29FEN64GDKCAAXDQ-10: A	-	RFQ	5342	Micron Technology Inc.	-	En gros	Obsolète				Mt29fen64				-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			3A991B1A	8542.32.0071	1 000
MT41K256M4DA-107: J TR	-	RFQ	3388	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	78-TFBGA	MT41K256M4	Sdram - ddr3	1 283V ~ 1 45 V	78-fbga (8x10,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0032	2 000	933 MHz	Volatil	1 gbit	20 ns	Drachme	256m x 4	Parallèle	-
MT46V8M16P-6TIT: DTR	-	RFQ	7375	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	MT46V8M16	Sdram - ddr	2,3V ~ 2,7 V	66 TSOP	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	1 000	167 MHz	Volatil	128mbitons	700 PS	Drachme	8m x 16	Parallèle	15NS
MT42L32M32D2AC-25 AIT: A	-	RFQ	6056	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Plateau	Obsolète	-25 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	134-VFBGA	MT42L32M32	Sdram - mobile lpddr2	1,14 V ~ 1,95 V	134-VFBGA (10x11,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 000	400 MHz	Volatil	1 gbit		Drachme	32m x 32	Parallèle	-
Mtfc8gamalna-aat es	-	RFQ	2993	Micron Technology Inc.	E • MMC ™	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	100 TBGA	Mtfc8	Flash - Nand	-	100-TBGA (14x18)	-		1 (illimité)			3A991B1A	8542.32.0071	1 000		Non volatile	64gbit		Éclair	8g x 8	MMC	-
Edw2032bbbg-7a-fr tr	-	RFQ	9499	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	170-TFBGA	EDW2032	Sgram - gddr5	1,31 V ~ 1,65 V	170-FBGA (12x14)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			EAR99	8542.32.0036	2 000	1,75 GHz	Volatil	2 gbit		Bélier	64m x 32	Parallèle	-
MT53D512M32D2DS-053 WT: D	-	RFQ	3424	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	200-WFBGA	MT53D512	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V	200-WFBGA (10x14,5)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 360	1 866 GHz	Volatil	16 Gbit		Drachme	512m x 32	-	-
MT48LC2M32B2P-6A AAT: J	-	RFQ	6375	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	En gros	Obsolète	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	86-TFSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	MT48LC2M32B2	Sdram	3V ~ 3,6 V	86-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	1 080	167 MHz	Volatil	64mbitons	5.4 ns	Drachme	2m x 32	Parallèle	12ns

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Mémoire (10402)

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