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Mémoire (10402)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Fréquence d'Horloge	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page
JS28F00AP30TFA	-	RFQ	5670	Micron Technology Inc.	AXCELL ™	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	56-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	JS28F00AP30	Flash - ni	1,7 V ~ 2V	56 TSOP	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	576	40 MHz	Non volatile	1 gbit	110 ns	Éclair	64m x 16	Parallèle	110ns
MT41K512M4DA-125: K TR	-	RFQ	3239	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	78-TFBGA	MT41K512M4	Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	78-fbga (8x10,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 000	800 MHz	Volatil	2 gbit	13,75 ns	Drachme	512m x 4	Parallèle	-
MT29F2G08ABAEAWP: E TR	3.8500	RFQ	3	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	MT29F2G08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	48-tsop i	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000		Non volatile	2 gbit		Éclair	256m x 8	Parallèle	-
MT58L64L32PT-10	1.7900	RFQ	204	Micron Technology Inc.	Syncburst ™	En gros	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP		SRAM - Standard	3.135V ~ 3,6 V	100-TQFP (14x20.1)	télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Vendeur indéfini		3A991B2A	8542.32.0041	1	100 MHz	Volatil	2mbitons	5 ns	Sram	64k x 32	Parallèle	-
MT29TZZZ5D6JKFRL-107 W.96R	-	RFQ	2356	Micron Technology Inc.	-	En gros	Obsolète				Mt29tzzz5				-		1 (illimité)	Atteindre non affecté		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1 520
MT47H256M8EB-3: C TR	-	RFQ	2486	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	60-TFBGA	MT47H256M8	Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	60-fbga (9x11,5)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			OBSOLÈTE	0000.00.0000	1 000	333 MHz	Volatil	2 gbit	450 PS	Drachme	256m x 8	Parallèle	15NS
MT46H64M32LFMA-6 IT: A	-	RFQ	2543	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	168-WFBGA	MT46H64M32	SDRAM - LPDDR MOBILE	1,7 V ~ 1,95 V	168-WFBGA (12x12)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 000	166 MHz	Volatil	2 gbit	5 ns	Drachme	64m x 32	Parallèle	15NS
Mt25qu128aba1esf-0sit tr	-	RFQ	4531	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur)	MT25QU128	Flash - ni	1,7 V ~ 2V	16-SO	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000	133 MHz	Non volatile	128mbitons		Éclair	16m x 8	Pimenter	8 ms, 2,8 ms
MT40A1G16KH-062E AIT: E TR	15.6150	RFQ	2850	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA		Sdram - ddr4	1,14 V ~ 1,26 V	96-FBGA (9x13)	télécharger				557-MT40A1G16KH-062EAIT: ETR			3 000	1,6 GHz	Volatil	16 Gbit	19 ns	Drachme	1g x 16	Coffre	15NS
MT53B512M64D4NK-053 WT: C TR	-	RFQ	2648	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	366-WFBGA	MT53B512	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V	366-WFBGA (15x15)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 000	1 866 GHz	Volatil	32 Gbit		Drachme	512m x 64	-	-
MT51K256M32HF-50 N: A TR	-	RFQ	8109	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	-	-	MT51K256	Sgram - gddr5	1,3 V ~ 1 545 V	-	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	2 000	1,25 GHz	Volatil	8 Gbit		Bélier	256m x 32	Parallèle	-
MT53B512M16D1Z11MWC2 MS	-	RFQ	1385	Micron Technology Inc.	-	En gros	Abandonné à sic				MT53B512				-			Atteindre non affecté			0000.00.0000	1
MT46V128M4P-6T: F Tr	-	RFQ	3260	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	MT46V128M4	Sdram - ddr	2,3V ~ 2,7 V	66 TSOP	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	1 000	167 MHz	Volatil	512mbitons	700 PS	Drachme	128m x 4	Parallèle	15NS
Mtfc8gacaaam-1m wt	-	RFQ	6189	Micron Technology Inc.	-	En gros	Obsolète				Mtfc8				-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8523.51.0000	1 520
M28W320HST70ZA6F TR	-	RFQ	1858	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	64 TBGA	M28W320	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	64-TBGA (10x13)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	2 500		Non volatile	32mbitons	70 ns	Éclair	2m x 16	Parallèle	70ns
MT28HL32GQBA6EBL-0GCT	-	RFQ	3332	Micron Technology Inc.	-	En gros	Obsolète								-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			OBSOLÈTE	0000.00.0000	270
MT53D512M32D2DS-053 WT: D	-	RFQ	3424	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	200-WFBGA	MT53D512	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V	200-WFBGA (10x14,5)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 360	1 866 GHz	Volatil	16 Gbit		Drachme	512m x 32	-	-
MT29FEN64GDKCAAXDQ-10: A	-	RFQ	5342	Micron Technology Inc.	-	En gros	Obsolète				Mt29fen64				-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			3A991B1A	8542.32.0071	1 000
MT42L32M32D2AC-25 AIT: A	-	RFQ	6056	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Plateau	Obsolète	-25 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	134-VFBGA	MT42L32M32	Sdram - mobile lpddr2	1,14 V ~ 1,95 V	134-VFBGA (10x11,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 000	400 MHz	Volatil	1 gbit		Drachme	32m x 32	Parallèle	-
MT46V64M8P-6T: D	-	RFQ	6250	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	MT46V64M8	Sdram - ddr	2,3V ~ 2,7 V	66 TSOP	-	Rohs3 conforme	4 (72 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	1 000	167 MHz	Volatil	512mbitons	700 PS	Drachme	64m x 8	Parallèle	15NS
Edw2032bbbg-7a-fr tr	-	RFQ	9499	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	170-TFBGA	EDW2032	Sgram - gddr5	1,31 V ~ 1,65 V	170-FBGA (12x14)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			EAR99	8542.32.0036	2 000	1,75 GHz	Volatil	2 gbit		Bélier	64m x 32	Parallèle	-
MT58L128L36F1T-8.5	4.9600	RFQ	13	Micron Technology Inc.	Syncburst ™	En gros	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP		SRAM - Standard	3.135V ~ 3,6 V	100-TQFP (14x20.1)	télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Vendeur indéfini		3A991B2A	8542.32.0041	1	100 MHz	Volatil	4mbbitons	8,5 ns	Sram	128k x 36	Parallèle	-
MT62F1536M64D8CH-036 WT: A TR	-	RFQ	7950	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-25 ° C ~ 85 ° C			MT62F1536	Sdram - mobile lpddr5	-		-		3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	557-MT62F1536M64D8CH-036WT: ATR	OBSOLÈTE	8542.32.0071	2 000	2,75 GHz	Non volatile	96 Gbit		Éclair	1,5 GX 64	-	-
MT42L256M32D4KP-25 IT: A	-	RFQ	3155	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-25 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	168-VFBGA	MT42L256M32	Sdram - mobile lpddr2	1,14 V ~ 1,3 V	168-fbga (12x12)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			EAR99	8542.32.0036	1 000	400 MHz	Volatil	8 Gbit		Drachme	256m x 32	Parallèle	-
MT46V128M4TG-75E: D TR	-	RFQ	7090	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	MT46V128M4	Sdram - ddr	2,3V ~ 2,7 V	66 TSOP	-	Rohs non conforme	4 (72 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	1 000	133 MHz	Volatil	512mbitons	750 PS	Drachme	128m x 4	Parallèle	15NS
MTFC32GAPALHT-AIT	-	RFQ	8682	Micron Technology Inc.	-	En gros	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)			Mtfc32g	Flash - Nand	-		-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	557-MTFC32GAPALHT-AIT		8542.32.0071	980		Non volatile	256 GBIT		Éclair	32g x 8	MMC	-
MT52L1G32D4PG-093 WT ES: B	-	RFQ	2029	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	178-VFBGA	MT52L1G32	Sdram - mobile lpddr3	1,2 V	178-fbga (12x11,5)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			OBSOLÈTE	0000.00.0000	1 680	1067 MHz	Volatil	32 Gbit		Drachme	1g x 32	-	-
MT41K256M4DA-107: J TR	-	RFQ	3388	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	78-TFBGA	MT41K256M4	Sdram - ddr3	1 283V ~ 1 45 V	78-fbga (8x10,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0032	2 000	933 MHz	Volatil	1 gbit	20 ns	Drachme	256m x 4	Parallèle	-
MT46V8M16P-6TIT: DTR	-	RFQ	7375	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	MT46V8M16	Sdram - ddr	2,3V ~ 2,7 V	66 TSOP	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	1 000	167 MHz	Volatil	128mbitons	700 PS	Drachme	8m x 16	Parallèle	15NS
MTFC32GASAQHD-AIT	17.4000	RFQ	1435	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	153-VFBGA	Mtfc32g	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	153-VFBGA (11,5x13)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté				1 520	200 MHz	Non volatile	256 GBIT		Éclair	32g x 8	EMMC	-

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Unité de produit standard
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Mémoire (10402)

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