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Mémoire (10402)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Noms Autres | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT62F1G32D4DS-031 AAT: B | 32.5650 |  | 2651 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Boîte | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C | Support de surface | 200-WFBGA | Sdram - mobile lpddr5 | 1,05 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | 557-MT62F1G32D4DS-031AAT: B | 1 | 3,2 GHz | Volatil | 32 Gbit | Drachme | 1g x 32 | Parallèle | - | ||
| MT62F3G32D8DV-026 WT ES: B Tr | 122.7600 | | 5981 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -25 ° C ~ 85 ° C | - | - | Sdram - mobile lpddr5 | - | - | - | 557-MT62F3G32D8DV-026WTES: BTR | 2 000 | 3,2 GHz | Volatil | 96 Gbit | Drachme | 3G x 32 | Parallèle | - | ||
| Mtfc32gapalgt-s1 | 25.8300 | | 6204 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Boîte | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 153-TFBGA | Flash - Nand (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 153-TFBGA (11,5x13) | - | 557-mtfc32gapalgt-s1it | 1 | 200 MHz | Non volatile | 256 GBIT | Éclair | 32g x 8 | EMMC_5.1 | - | ||
| MT53E1G16D1Z42NWC1 | 18.5900 | | 4472 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | - | 557-MT53E1G16D1Z42NWC1 | 1 | |||||||||||||||
| Mt29f4t08emlchd4-t: c tr | 83.9100 | | 5910 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | 557-MT29F4T08EMLCHD4-T: CTR | 2 000 | |||||||||||||||
| Mt29f8t08ewleem5-r: e tr | 171.6300 | | 1176 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C | - | - | Flash - Nand (TLC) | - | - | - | 557-MT29F8T08EWLEEM5-R: ETR | 1 500 | Non volatile | 8 tbit | Éclair | 1t x 8 | Parallèle | - | |||
| MT62F1G32D2DS-023 AUT: B TR | 36.7350 | | 8387 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C | Support de surface | 200-WFBGA | Sdram - mobile lpddr5 | 1,05 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | 557-MT62F1G32D2DS-023AUT: BTR | 2 000 | 3,2 GHz | Volatil | 32 Gbit | Drachme | 1g x 32 | Parallèle | - | ||
| MTC20C2085S1EC56BAZ | 334.4700 | | 5253 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | - | 557-MTC20C2085S1EC56BAZ | 1 | |||||||||||||||
| MT62F1G32D4DS-031 WT: B | 23.3100 | | 3803 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | -25 ° C ~ 85 ° C | Support de surface | 200-WFBGA | Sdram - mobile lpddr5 | 1,05 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | 557-MT62F1G32D4DS-031WT: B | 1 | 3,2 GHz | Volatil | 32 Gbit | Drachme | 1g x 32 | Parallèle | - | ||
| 1787 tr | 59.8650 | | 8903 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | 557-1787tr | 2 000 | |||||||||||||||
| MT62F1G32D4DS-031 WT: B TR | 23.3100 | | 6157 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -25 ° C ~ 85 ° C | Support de surface | 200-WFBGA | Sdram - mobile lpddr5 | 1,05 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | 557-MT62F1G32D4DS-031WT: BTR | 2 000 | 3,2 GHz | Volatil | 32 Gbit | Drachme | 1g x 32 | Parallèle | - | ||
| MT62F2G32D4DS-023 AIT: C | 58.0650 | | 6446 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Boîte | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C | Support de surface | 200-WFBGA | Sdram - mobile lpddr5 | 1,05 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | 557-mt62f2g32d4ds-023ait: c | 1 | 2.133 GHz | Volatil | 64gbit | Drachme | 2G x 32 | Parallèle | - | ||
| MT62F1G64D4EK-023 AAT: C TR | 63.8550 | | 6308 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | 557-MT62F1G64D4EK-023AAT: CTR | 2 000 | |||||||||||||||
| MT29F4T08ELLCHL4-QA: C TR | 83.9100 | | 7094 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | 557-MT29F4T08ELLCHL4-QA: CTR | 2 000 | |||||||||||||||
| Mtfc128gavattc-aat tr | 61.8150 | | 6720 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | 557-MTFC128Gavattc-aattr | 2 000 | |||||||||||||||
| MT53E768M64D4HJ-046 WT: B | 36.0000 | | 1810 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | - | 557-MT53E768M64D4HJ-046WT: B | 1 | |||||||||||||||
| MT62F512M32D2DS-031 AUT: B TR | 19.6650 | | 1446 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C | Support de surface | 200-WFBGA | Sdram - mobile lpddr5 | - | 200-WFBGA (10x14,5) | - | 557-MT62F512M32D2DS-031AUT: BTR | 2 000 | 3,2 GHz | Volatil | 16 Gbit | Drachme | 512m x 32 | Parallèle | - | ||
| MT62F1G64D4ZV-026 WT: B | 37.2450 | | 8710 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | -25 ° C ~ 85 ° C | - | - | Sdram - mobile lpddr5 | 1,05 V | - | - | 557-MT62F1G64D4ZV-026WT: B | 1 | 3,2 GHz | Volatil | 64gbit | Drachme | 1g x 64 | Parallèle | - | ||
| MT53E768M32D2FW-046 AAT: C TR | 32.0250 | | 3941 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | 557-MT53E768M32D2FW-046AAT: CTR | 2 000 | |||||||||||||||
| Mtfc128gaxauea-wt tr | 14.0250 | | 5269 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | 557-MTFC128GAXAUEA-WTTR | 2 000 | |||||||||||||||
| MT29F4T08GMLCEJ4-QM: C | 78.1500 | | 4940 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | - | 557-MT29F4T08GMLCEJ4-QM: C | 1 | |||||||||||||||
| MT29VZZZAD8GUFSL-046 W.219 TR | 24.7950 | | 4843 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | 557-MT29VZZZAD8GUFSL-046W.219TR | 2 000 | |||||||||||||||
| MTFC128GAZAOTD-AIT TR | 40.2300 | | 3452 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | 557-MTFC128GAZAOTD-AITTR | 2 000 | |||||||||||||||
| MT53E1536M64D8HJ-046 WT: B | 69.2400 | | 4930 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | -25 ° C ~ 85 ° C | Support de surface | 556-TFBGA | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | - | 556-WFBGA (12.4x12.4) | - | 557-MT53E1536M64D8HJ-046WT: B | 1 | 2.133 GHz | Volatil | 96 Gbit | Drachme | 1,5 mx 64 | - | - | ||
| MT62F1G32D2DS-023 WT ES: C TR | 22.8450 | | 3297 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -25 ° C ~ 85 ° C | Support de surface | 200-WFBGA | Sdram - mobile lpddr5 | 1,05 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | 557-MT62F1G32D2DS-023WTES: CTR | 2 000 | 3,2 GHz | Volatil | 32 Gbit | Drachme | 1g x 32 | Parallèle | - | ||
| MT29F512G08EBLEEEEJ4-QJ: E | 13.2450 | | 6614 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | - | 557-MT29F512G08EBLEEJ4-QJ: E | 1 | |||||||||||||||
| MT62F1G64D8EK-031 AUT: B | 71.3850 | | 9767 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Boîte | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C | Support de surface | 441-TFBGA | Sdram - mobile lpddr5 | 1,05 V | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-MT62F1G64D8EK-031AUT: B | 1 | 3,2 GHz | Volatil | 64gbit | Drachme | 1g x 64 | Parallèle | - | ||
| MT29F2T08ELLEEG7-QD: E | 52.9800 | | 3786 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | - | 557-MT29F2T08ELLEEG7-QD: E | 1 | |||||||||||||||
| MT62F768M32D2DS-026 WT: B TR | 17.6400 | | 5455 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | 557-MT62F768M32D2DS-026WT: BTR | 2 000 | |||||||||||||||
| MT53E1G64D4HJ-046 AAT: C TR | 56.5050 | | 1283 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Support de surface | 556-TFBGA | Sdram - mobile lpddr4x | 1 06 V ~ 1,17 V | 556-WFBGA (12.4x12.4) | télécharger | 557-MT53E1G64D4HJ-046AAT: CTR | 2 000 | 2.133 GHz | Volatil | 64gbit | 3,5 ns | Drachme | 1g x 64 | Parallèle | 18n |
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