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Mémoire (10402)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Noms Autres | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT62F1536M64D8CL-023 WT: B | 55.3050 |  | 9548 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | - | - | - | Sdram - mobile lpddr5 | - | - | - | 557-MT62F1536M64D8CL-023WT: B | 1 | 4.266 GHz | Volatil | 96 Gbit | Drachme | 1,5 GX 64 | Parallèle | - | ||||
| MT53E4G32D8GS-046 AIT: C | 109.4700 | | 6034 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Boîte | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C | - | - | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | - | - | - | 557-mt53e4g32d8gs-046ait: c | 1 | 2.133 GHz | Volatil | 128 GBIT | Drachme | 4G x 32 | Parallèle | - | ||||
| MT40A2G4Z11BWC1 | 9.0100 | | 5397 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | - | 557-MT40A2G4Z11BWC1 | 1 | |||||||||||||||||
| MT53E1536M64D8HJ-046 AIT: C | 82.1100 | | 9147 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | - | 557-mt53e1536m64d8hj-046ait: c | 1 | |||||||||||||||||
| MT29F2T08EELCHD4-QA: C TR | 41.9550 | | 3226 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | 557-MT29F2T08EELCHD4-QA: CTR | 2 000 | |||||||||||||||||
| MT53E1G64D4HJ-046 AAT: C | 56.5050 | | 9598 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Boîte | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Support de surface | 556-TFBGA | Sdram - mobile lpddr4x | 1 06 V ~ 1,17 V | 556-WFBGA (12.4x12.4) | télécharger | 557-MT53E1G64D4HJ-046AAT: C | 1 | 2.133 GHz | Volatil | 64gbit | 3,5 ns | Drachme | 1g x 64 | Parallèle | 18n | |||
| MT29F16T08GSLCEG4-QB: C | 312.5850 | | 3687 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | - | 557-MT29F16T08GSLCEG4-QB: C | 1 | |||||||||||||||||
| MT41K512M16VRP-107 IT: P TR | 15.2250 | | 9429 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Twindie ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | Sdram - ddr3l | 1 283V ~ 1 45 V | 96-FBGA (8x14) | - | 557-MT41K512M16VRP-107IT: PTR | 2 000 | 933 MHz | Volatil | 8 Gbit | 20 ns | Drachme | 512m x 16 | Parallèle | 15NS | |||
 | MT53E256M16D1FW-046 WT: B TR | 7.4850 | | 5256 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 200-TFBGA | Sdram - mobile lpddr4x | 1 06 V ~ 1,17 V | 200-TFBGA (10x14,5) | télécharger | 557-MT53E256M16D1FW-046WT: BTR | 2 000 | 2.133 GHz | Volatil | 4 Gbit | 3,5 ns | Drachme | 256m x 16 | Parallèle | 18n | |||
| MT40A2G8AG-062E AAT: F | 19.8600 | | 6063 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Boîte | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | - | - | Sdram - ddr4 | 1,14 V ~ 1,26 V | - | - | 557-MT40A2G8AG-062EAAT: F | 1 | 1,6 GHz | Volatil | 16 Gbit | 19 ns | Drachme | 2G x 8 | Parallèle | 15NS | |||
| Mtfc64gasaons-aat | 41.4750 | | 1319 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Boîte | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Support de surface | 153-TFBGA | Flash - Nand (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 153-TFBGA (11,5x13) | - | 557-mtfc64gasaons-aat | 1 | 52 MHz | Non volatile | 512gbit | Éclair | 64g x 8 | UFS2.1 | - | ||||
| MT29F8T08EWLCEM5-QJ: C | 242.1750 | | 9688 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | - | 557-MT29F8T08EWLCEM5-QJ: C | 1 | |||||||||||||||||
| MT29F1T08EBLCEJ4-ES: C | - | | 6774 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | - | 557-MT29F1T08EBLCEJ4-ES: C | 1 | |||||||||||||||||
| MT53E1536M64D8HJ-046 AIT: B TR | 83.7750 | | 2318 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C | Support de surface | 556-TFBGA | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | - | 556-WFBGA (12.4x12.4) | - | 557-mt53e1536m64d8hj-046ait: btr | 2 000 | 2.133 GHz | Volatil | 96 Gbit | Drachme | 1,5 mx 64 | - | - | ||||
| MT62F3G32D8DV-023 AAT: B TR | 94.8300 | | 1764 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C | - | - | Sdram - mobile lpddr5 | - | - | - | 557-MT62F3G32D8DV-023AAT: BTR | 2 000 | 4.266 GHz | Volatil | 96 Gbit | Drachme | 3G x 32 | Parallèle | - | ||||
| MT62F1G32D2DS-023 IT: B Tr | 25.1400 | | 3922 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C | Support de surface | 200-WFBGA | Sdram - mobile lpddr5 | 1,05 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | 557-MT62F1G32D2DS-023IT: BTR | 2 000 | 3,2 GHz | Volatil | 32 Gbit | Drachme | 1g x 32 | Parallèle | - | ||||
| MT53E128M32D2FW-046 AUT: A | 8.7450 | | 9329 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Boîte | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Support de surface | 200-TFBGA | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1 06 V ~ 1,17 V | 200-TFBGA (10x14,5) | - | 557-MT53E128M32D2FW-046AUT: A | 1 | 2.133 GHz | Volatil | 4 Gbit | 3,5 ns | Drachme | 128m x 32 | Parallèle | 18n | |||
| MT29F2T08EMLCEJ4-QJ: C TR | 60 5400 | | 1980 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | 557-MT29F2T08EMLCEJ4-QJ: CTR | 2 000 | |||||||||||||||||
| MT62F1G32D2DS-026 WT: C | 22.8450 | | 5308 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | -25 ° C ~ 85 ° C | Support de surface | 200-WFBGA | Sdram - mobile lpddr5 | 1,05 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | 557-MT62F1G32D2DS-026WT: C | 1 | 3,2 GHz | Volatil | 32 Gbit | Drachme | 1g x 32 | Parallèle | - | ||||
| MT62F2G64D8EK-023 WT ES: C TR | 90.4650 | | 6658 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -25 ° C ~ 85 ° C | Support de surface | 441-TFBGA | Sdram - mobile lpddr5 | 1,05 V | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-MT62F2G64D8EK-023WTES: CTR | 2 000 | 4.266 GHz | Volatil | 128 GBIT | Drachme | 2G x 64 | Parallèle | - | ||||
| MT62F768M64D4EK-023 AIT: B TR | 43.5300 | | 3305 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C | Support de surface | 441-TFBGA | MT62F768 | Sdram - mobile lpddr5 | - | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-mt62f768m64d4ek-023ait: btr | 1 500 | 3,2 GHz | Volatil | 48gbit | Drachme | 768m x 64 | Parallèle | - | |||
| MT53E1G32D2FW-046 WT: A | 22.0050 | | 9440 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | -25 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 200-TFBGA | Sdram - mobile lpddr4x | 1 06 V ~ 1,17 V | 200-TFBGA (10x14,5) | - | 557-MT53E1G32D2FW-046WT: A | 1 | 2.133 GHz | Volatil | 32 Gbit | Drachme | 1g x 32 | Parallèle | 18n | ||||
| MT29VZZZBDAFQKWL-046 W.G0J TR | 83.2350 | | 3193 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -25 ° C ~ 85 ° C | Support de surface | 254-BGA | Flash - Nand, dram - lpddr4x | - | 254 MCP | - | 557-MT29VZZZBDAFQKWL-046W.G0JTR | 2 000 | 2.133 GHz | Non volatile, volatile | 2Tbit (NAND), 48gbit (LPDDR4X) | Flash, Bélier | 256g x 8 (NAND), 1,5 GX 32 (LPDDR4X) | UFS2.1 | - | ||||
| MT29F4T08EMLCHD4-QJ: C | 83.9100 | | 5287 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | - | 557-MT29F4T08EMLCHD4-QJ: C | 1 | |||||||||||||||||
| MTFC256GAZAOTD-AIT TR | 90.5250 | | 9917 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | 557-MTFC256GAZAOTD-AITTR | 2 000 | |||||||||||||||||
| MT53E2G32D4DE-046 AUT: C | 64.9800 | | 2649 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Boîte | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Support de surface | 200-TFBGA | Sdram - mobile lpddr4x | 1 06 V ~ 1,17 V | 200-TFBGA (10x14,5) | - | 557-MT53E2G32D4DE-046AUT: C | 1 | 2.133 GHz | Volatil | 64gbit | 3,5 ns | Drachme | 2G x 32 | Parallèle | 18n | |||
 | MT53E768M64D4HJ-046 AAT: C TR | 64.0350 | | 3574 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Support de surface | 556-TFBGA | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1 06 V ~ 1,17 V | 556-WFBGA (12.4x12.4) | - | Rohs3 conforme | 557-MT53E768M64D4HJ-046AAT: CTR | 2 000 | 2.133 GHz | Volatil | 48gbit | 3,5 ns | Drachme | 768m x 64 | Parallèle | 18n | ||
 | MT53E1536M32D4DE-046 AIT: C TR | 36.5850 | | 3428 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 200-TFBGA | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1 06 V ~ 1,17 V | 200-TFBGA (10x14,5) | - | Rohs3 conforme | 557-MT53E1536M32D4DE-046AIT: CTR | 2 000 | 2.133 GHz | Volatil | 48gbit | 3,5 ns | Drachme | 1,5 GX 32 | Parallèle | 18n | ||
| MT53E768M64D4HJ-046 AIT: C TR | 58.2150 | | 4412 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 556-TFBGA | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1 06 V ~ 1,17 V | 556-WFBGA (12.4x12.4) | - | Rohs3 conforme | 557-mt53e768m64d4hj-046ait: CTR | 2 000 | 2.133 GHz | Volatil | 48gbit | 3,5 ns | Drachme | 768m x 64 | Parallèle | 18n | ||
| MT61M512M32KPA-14 N: C TR | 42.1050 | | 8544 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | 557-MT61M512M32KPA-14N: CTR | 2 000 |
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