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Mémoire (10402)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Fréquence d'Horloge	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page
MT46V64M8TG-6T: F Tr	-	RFQ	5828	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	MT46V64M8	Sdram - ddr	2,3V ~ 2,7 V	66 TSOP	télécharger	Rohs non conforme	4 (72 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	1 000	167 MHz	Volatil	512mbitons	700 PS	Drachme	64m x 8	Parallèle	15NS
MT48LC8M16A2B4-6A: L TR	-	RFQ	1295	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	54-VFBGA	MT48LC8M16A2	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-VFBGA (8x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	2 000	167 MHz	Volatil	128mbitons	5.4 ns	Drachme	8m x 16	Parallèle	12ns
M29w320dt70n6f tr	-	RFQ	4615	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	M29W320	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	48-tsop i	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 500		Non volatile	32mbitons	70 ns	Éclair	4m x 8, 2m x 16	Parallèle	70ns
MT53D1024M64D8NW-062 WT ES: D TR	-	RFQ	6189	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	432-VFBGA	MT53D1024	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V	432-VFBGA (15x15)	-		3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 000	1,6 GHz	Volatil	64gbit		Drachme	1g x 64	-	-
MT52L256M64D2LZ-107 WT: B TR	24.1050	RFQ	7148	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	216-WFBGA	MT52L256	Sdram - mobile lpddr3	1,2 V	216-FBGA (12x12)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 000	933 MHz	Volatil	16 Gbit		Drachme	256m x 64	-	-
MT53E4G32D8GS-046 AIT: C	109.4700	RFQ	6034	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Boîte	Actif	-40 ° C ~ 95 ° C	-	-		SDRAM - MOBILE LPDDR4	-	-	-				557-mt53e4g32d8gs-046ait: c			1	2.133 GHz	Volatil	128 GBIT		Drachme	4G x 32	Parallèle	-
MT46V32M16P-6T IT: F Tr	-	RFQ	7925	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	MT46V32M16	Sdram - ddr	2,3V ~ 2,7 V	66 TSOP	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 000	167 MHz	Volatil	512mbitons	700 PS	Drachme	32m x 16	Parallèle	15NS
MT48LC4M16A2TG-6 IT: G	-	RFQ	8941	Micron Technology Inc.	-	Boîte	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)	MT48LC4M16A2	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs non conforme	2 (1 AN)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	1 000	167 MHz	Volatil	64mbitons	5,5 ns	Drachme	4m x 16	Parallèle	12ns
MT41J64M16JT-15E: G	-	RFQ	7524	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA	MT41J64M16	Sdram - ddr3	1 425V ~ 1 575 V	96-FBGA (8x14)	télécharger	Rohs conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0032	1 000	667 MHz	Volatil	1 gbit		Drachme	64m x 16	Parallèle	-
M29dw128f70za6f tr	-	RFQ	2943	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	64 TBGA	M29DW128	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	64-TBGA (10x13)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	2 500		Non volatile	128mbitons	70 ns	Éclair	16m x 8, 8m x 16	Parallèle	70ns
Mt29f64g08ceccbh1-12it: c	-	RFQ	8284	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	100 VBGA	MT29F64G08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	100 VBGA (12x18)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			3A991B1A	8542.32.0071	1 000	83 MHz	Non volatile	64gbit		Éclair	8g x 8	Parallèle	-
MT29F8G08ABABAM61A3WC1	-	RFQ	2186	Micron Technology Inc.	-	En gros	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	Mourir	MT29F8G08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	Mourir	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			OBSOLÈTE	0000.00.0000	1		Non volatile	8 Gbit		Éclair	1g x 8	Parallèle	-
MT53D384M32D2DS-053 XT: E	-	RFQ	4694	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-30 ° C ~ 105 ° C (TC)	Support de surface	200-WFBGA	MT53D384	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V	200-WFBGA (10x14,5)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 360	1 866 GHz	Volatil	12gbit		Drachme	384m x 32	-	-
MT29E256G08CMCABJ2-10Z: A	-	RFQ	7387	Micron Technology Inc.	-	En gros	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	132-TBGA	MT29E256G08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	132-TBGA (12x18)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000	100 MHz	Non volatile	256 GBIT		Éclair	32g x 8	Parallèle	-
MT48LC16M8A2BB-6A XIT: L	-	RFQ	9224	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Pas de designs les nouveaux	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	60-TFBGA	MT48LC16M8A2	Sdram	3V ~ 3,6 V	60-TFBGA (8x16)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0002	1 650	167 MHz	Volatil	128mbitons	5.4 ns	Drachme	16m x 8	Parallèle	12ns
MT44K16M36RB-107E: A	-	RFQ	4289	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	168 TBGA	MT44K16M36	Drachme	1,28 V ~ 1,42 V	168-BGA (13,5x13,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	1 190	933 MHz	Volatil	576mbit	8 ns	Drachme	16m x 36	Parallèle	-
MT41K256M16HA-125 V: E TR	-	RFQ	6318	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA	MT41K256M16	Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	96-FBGA (9x14)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			EAR99	8542.32.0036	2 000	800 MHz	Volatil	4 Gbit	13,75 ns	Drachme	256m x 16	Parallèle	-
Mt29f1g16abbeamd-it: e tr	-	RFQ	1797	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	130-VFBGA	MT29F1G16	Flash - Nand	1,7 V ~ 1,95 V	130-VFBGA (8x9)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			3A991B1A	8542.32.0071	1 000		Non volatile	1 gbit		Éclair	64m x 16	Parallèle	-
MT29F128G08AMCDBJ5-6ITR: D TR	-	RFQ	9576	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	-	MT29F128G08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	132-TBGA (12x18)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	2 000	167 MHz	Non volatile	128 GBIT		Éclair	16g x 8	Parallèle	-
MT53E1536M64D8HJ-046 WT: C TR	67.8450	RFQ	5913	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-25 ° C ~ 85 ° C	Support de surface	556-TFBGA		SDRAM - MOBILE LPDDR4	-	556-WFBGA (12.4x12.4)	-				557-MT53E1536M64D8HJ-046WT: CTR			2 000	2.133 GHz	Volatil	96 Gbit		Drachme	1,5 mx 64	-	-
MTFC32GJGEF-AIT Z TR	-	RFQ	2762	Micron Technology Inc.	E • MMC ™	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	169-TFBGA	Mtfc32g	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	169-TFBGA (14x18)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000		Non volatile	256 GBIT		Éclair	32g x 8	MMC	-
MT54W1MH18BF-5TR	43.4700	RFQ	2	Micron Technology Inc.	QDR ™	En gros	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	165-TBGA		Sram - synchrone	1,7 V ~ 1,9 V	165-fbga (13x15)	télécharger	Non applicable	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	1 000	200 MHz	Volatil	18mbitons	450 PS	Sram	1m x 18	Hstl	-
MT40A2G4SA-062E: J Tr	-	RFQ	5959	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	78-TFBGA	MT40A2G4	Sdram - ddr4	1,14 V ~ 1,26 V	78-fbga (7,5x11)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		MT40A2G4SA-062E: JTR	EAR99	8542.32.0036	2 000	1,6 GHz	Volatil	8 Gbit	19 ns	Drachme	2G x 4	Parallèle	15NS
MT53D512M32D2DS-046 IT: D	19.0000	RFQ	1723	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	200-WFBGA	MT53D512	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V	200-WFBGA (10x14,5)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	MT53D512M32D2DS-046IT: D	EAR99	8542.32.0036	1 360	2.133 GHz	Volatil	16 Gbit		Drachme	512m x 32	-	-
MT58L32L32PT-6	10.9700	RFQ	38	Micron Technology Inc.	Syncburst ™	En gros	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP		SRAM - Standard	3.135V ~ 3,6 V	100-TQFP (14x20.1)	télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Vendeur indéfini		3A991B2B	8542.32.0041	500	166 MHz	Volatil	1mbit	3,5 ns	Sram	32k x 32	Parallèle	-
MT57W512H36JF-7.5	26.4100	RFQ	153	Micron Technology Inc.	-	En gros	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	165-TBGA		Sram - Synchrones, DDR II	1,7 V ~ 1,9 V	165-fbga (13x15)	télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	Volatil	18mbitons	500 PS	Sram	512k x 36	Hstl	-
MT54V512H18EF-10	19.2500	RFQ	147	Micron Technology Inc.	QDR ™	En gros	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	165-TBGA	MT54V512	Sram - Port Quad, synchrone	2,4 V ~ 2,6 V	165-fbga (13x15)	télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	1	100 MHz	Volatil	9mbitons		Sram	512k x 18	Parallèle	-
MT57W1MH18CF-4	30.4500	RFQ	587	Micron Technology Inc.	-	En gros	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	165-TBGA		Sram - synchrone	1,7 V ~ 1,9 V	165-fbga (13x15)	télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	1	250 MHz	Volatil	18mbitons	450 PS	Sram	1m x 18	Hstl	-
MT58L256L36DS-6	8.5300	RFQ	24	Micron Technology Inc.	Syncburst ™	En gros	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP	MT58L256L36	Sram - synchrone	3.135V ~ 3,6 V	100-TQFP (14x20.1)	télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Vendeur indéfini		3A991B2A	8542.32.0041	1	166 MHz	Volatil	8mbitons	3,5 ns	Sram	256k x 36	Parallèle	-
Mt58l256l18f1t-10it	6.5800	RFQ	2	Micron Technology Inc.	Syncburst ™	En gros	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP		SRAM - Standard	3.135V ~ 3,6 V	100-TQFP (14x20.1)	télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Vendeur indéfini		3A991B2A	8542.32.0041	1	66 MHz	Volatil	4mbbitons	10 ns	Sram	256k x 18	Parallèle	-

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Unité de produit standard
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Mémoire (10402)

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