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Mémoire (10402)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Fréquence d'Horloge	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page
Mt29f256g08cmedbj5-12it: D tr	-	RFQ	4746	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	-	MT29F256G08	Flash - Nand (MLC)	2,7 V ~ 3,6 V	132-TBGA (12x18)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			OBSOLÈTE	0000.00.0000	2 000	83 MHz	Non volatile	256 GBIT		Éclair	32g x 8	Parallèle	-
MT29F128G08AUCBBH3-12: B	-	RFQ	8531	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	100 lbga	MT29F128G08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	100 lbga (12x18)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			3A991B1A	8542.32.0071	1 000	83 MHz	Non volatile	128 GBIT		Éclair	16g x 8	Parallèle	-
N25Q064A13E5340F TR	-	RFQ	8742	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	8-xfbga	N25Q064A13	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	8-XFSCSP (2 93x3,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	5 000	108 MHz	Non volatile	64mbitons		Éclair	16m x 4	Pimenter	8 ms, 5 ms
Mt53d4darn-dc tr	-	RFQ	2311	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic				MT53D4				-			Atteindre non affecté			0000.00.0000	2 000
MT29C1G12MAADYAMD-5	-	RFQ	5245	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	130-VFBGA	MT29C1G12	Flash - NAND, LPDRAM MOBILE	1,7 V ~ 1,95 V	130-VFBGA (8x9)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			3A991B1A	8542.32.0071	1 000	200 MHz	Non volatile, volatile	1gbit (nand), 512mbit (LPDRAM)		Flash, Bélier	128m x 8 (NAND), 16m x 32 (lpdram)	Parallèle	-
RC28F128P30BF65A	-	RFQ	9437	Micron Technology Inc.	Strataflash ™	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	64 TBGA	RC28F128	Flash - ni	1,7 V ~ 2V	64-Easybga (10x13)	télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	864	52 MHz	Non volatile	128mbitons	65 ns	Éclair	8m x 16	Parallèle	65ns
PC48F4400P0VB0EF TR	-	RFQ	7095	Micron Technology Inc.	Strataflash ™	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	64 LBGA	PC48F4400	Flash - ni	1,7 V ~ 2V	64-Easybga (10x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	2 000	52 MHz	Non volatile	512mbitons	85 ns	Éclair	32m x 16	Parallèle	85ns
MT47H32M16NF-187E: H TR	-	RFQ	5868	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	84-TFBGA	MT47H32M16	Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	84-fbga (8x12,5)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			OBSOLÈTE	0000.00.0000	2 000	533 MHz	Volatil	512mbitons	350 PS	Drachme	32m x 16	Parallèle	15NS
ECB440ABBCN-Y3	-	RFQ	6616	Micron Technology Inc.	-	En gros	Obsolète								-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté		OBSOLÈTE		1
MT40A512M16LY-062E À: E	-	RFQ	9421	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA	MT40A512M16	Sdram - ddr4	-	96-FBGA (7,5x13,5)	-				557-MT40A512M16LY-062EAT: E	OBSOLÈTE	8542.32.0071	180	1,6 GHz	Non volatile	8 Gbit		Drachme	512m x 16	-	-
Mtfc4gacaecn-1m wt	-	RFQ	6257	Micron Technology Inc.	E • MMC ™	En gros	Obsolète	-25 ° C ~ 85 ° C (TA)			Mtfc4	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V		-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			3A991B1A	8542.32.0071	1 000		Non volatile	32 Gbit		Éclair	4G x 8	MMC	-
MT41K512M8V90BWC1	-	RFQ	1635	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)			MT41K512M8	Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V		-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			OBSOLÈTE	0000.00.0000	100		Volatil	4 Gbit		Drachme	512m x 8	Parallèle	-
MT29AZ5A5CMGWD-18AT.87C	-	RFQ	9067	Micron Technology Inc.	-	Tube	Obsolète				MT29AZ5				-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		557-MT29AZ5A5CMGWD-18AT.87C	OBSOLÈTE		1440
Mt53e1dbds-dc tr	22.5000	RFQ	9059	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif				MT53E1				-			Atteindre non affecté	557-MT53E1DBDS-DCTR			2 000
MT29F512G08EBHAFJ4-3T: A	-	RFQ	7053	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	132-VBGA	MT29F512G08	Flash - Nand (TLC)	2,5 V ~ 3,6 V	132-VBGA (12x18)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			OBSOLÈTE	8542.32.0071	1 120	333 MHz	Non volatile	512gbit		Éclair	64g x 8	Parallèle	-
MT48H8M32LFB5-10 IT	-	RFQ	4576	Micron Technology Inc.	-	Boîte	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	90-VFBGA	MT48H8M32	SDRAM - LPSDR MOBILE	1,7 V ~ 1,95 V	90-VFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	2 (1 AN)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	1 000	100 MHz	Volatil	256mbitons	7 ns	Drachme	8m x 32	Parallèle	15NS
Mt29f2g08abcwp: c tr	-	RFQ	7671	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	MT29F2G08	Flash - Nand	1,7 V ~ 1,95 V	48-tsop i	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000		Non volatile	2 gbit		Éclair	256m x 8	Parallèle	-
MT40A8G4BAF-062E: B	-	RFQ	5484	Micron Technology Inc.	Twindie ™	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	78-TFBGA	MT40A8G4	Sdram - ddr4	1,14 V ~ 1,26 V	78-fbga (10,5x11)	-				557-MT40A8G4BAF-062E: B	OBSOLÈTE	8542.32.0071	168	1,6 GHz	Non volatile	32 Gbit	13,75 ns	Drachme	8g x 4	Parallèle	-
Mtfc8gluea-aère	-	RFQ	9268	Micron Technology Inc.	E • MMC ™	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	153-WFBGA	Mtfc8	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	153-WFBGA (11,5x13)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			3A991B1A	8542.32.0071	1 000		Non volatile	64gbit		Éclair	8g x 8	MMC	-
MT28F400B3WG-8 BET	-	RFQ	8931	Micron Technology Inc.	-	En gros	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	MT28F400B3	Flash - ni	3V ~ 3,6 V	48-tsop i	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	1 000		Non volatile	4mbbitons	80 ns	Éclair	512k x 8, 256k x 16	Parallèle	80ns
Mtfc32gjded-3m wt tr	-	RFQ	8542	Micron Technology Inc.	E • MMC ™	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-25 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	169-VFBGA	Mtfc32g	Flash - Nand	1,65 V ~ 3,6 V	169-VFBGA (14x18)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000		Non volatile	256 GBIT		Éclair	32g x 8	MMC	-
MT38W201DAA033JZZI.X68 TR	-	RFQ	1322	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète								-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			OBSOLÈTE	0000.00.0000	1 000
M25p10-avmn3p / y	-	RFQ	3931	Micron Technology Inc.	-	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	M25P10	Flash - ni	2,3V ~ 3,6 V	8-so	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			EAR99	8542.32.0071	2 000	50 MHz	Non volatile	1mbit		Éclair	128k x 8	Pimenter	15 ms, 5 ms
MT53E1536M64D8HJ-046 AIT: B	83.7750	RFQ	2834	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Boîte	Actif	-40 ° C ~ 95 ° C	Support de surface	556-TFBGA		SDRAM - MOBILE LPDDR4	-	556-WFBGA (12.4x12.4)	-				557-mt53e1536m64d8hj-046ait: b			1	2.133 GHz	Volatil	96 Gbit		Drachme	1,5 mx 64	-	-
MT53B512M64D4NK-062 WT ES: C TR	-	RFQ	2895	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	366-WFBGA	MT53B512	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V	366-WFBGA (15x15)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 000	1,6 GHz	Volatil	32 Gbit		Drachme	512m x 64	-	-
MT29RZ4C2DZZHGSK-18 W.80E TR	-	RFQ	1758	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète				MT29RZ4				-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000
MT53E768M64D4HJ-046 AIT: C TR	58.2150	RFQ	4412	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	556-TFBGA		SDRAM - MOBILE LPDDR4	1 06 V ~ 1,17 V	556-WFBGA (12.4x12.4)	-	Rohs3 conforme			557-mt53e768m64d4hj-046ait: CTR			2 000	2.133 GHz	Volatil	48gbit	3,5 ns	Drachme	768m x 64	Parallèle	18n
MT29F32G08CBECBL73A3WC1	-	RFQ	8599	Micron Technology Inc.	-	En gros	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	Mourir	MT29F32G08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	Mourir	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			3A991B1A	8542.32.0071	1		Non volatile	32 Gbit		Éclair	4G x 8	Parallèle	-
MT29F64G08AECABJ1-10ITZ: A	-	RFQ	9549	Micron Technology Inc.	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	-	MT29F64G08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	-	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000	100 MHz	Non volatile	64gbit		Éclair	8g x 8	Parallèle	-
MT29VZZZBD8DQOPR-053 W.9G8	-	RFQ	9345	Micron Technology Inc.	-	En gros	Obsolète				MT29VZZZBD8				-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1 520

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