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Mémoire (10402)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Sic programmable	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Fréquence d'Horloge	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page
MT42L64M32D1TK-18 IT: C	-	RFQ	3494	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-25 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	134-WFBGA	MT42L64M32	Sdram - mobile lpddr2		1,14 V ~ 1,3 V	134-fbga (10x11,5)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			EAR99	8542.32.0036	1 260	533 MHz	Volatil	2 gbit		Drachme	64m x 32	Parallèle	-
MTFC8GACAALT-4M	-	RFQ	6301	Micron Technology Inc.	E • MMC ™	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	100 TBGA	Mtfc8	Flash - Nand		2,7 V ~ 3,6 V	100-TBGA (14x18)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		Mtfc8gacaalt-4mit	3A991B1A	8542.32.0071	980		Non volatile	64gbit		Éclair	8g x 8	MMC	-
MT53E2G64D8TN-046 AAT: A	122.8500	RFQ	7137	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Boîte	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)	Support de surface	556-LFBGA		Sdram - mobile lpddr4x		1 06 V ~ 1,17 V	556-LFBGA (12.4x12.4)	-				557-MT53E2G64D8TN-046AAT: A			1	2.133 GHz	Volatil	128 GBIT	3,5 ns	Drachme	2G x 64	Parallèle	18n
MT53D768M64D8WF-053 WT: D	-	RFQ	4896	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	376-WFBGA	MT53D768	SDRAM - MOBILE LPDDR4		1,1 V	376-WFBGA (14x14)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 190	1 866 GHz	Volatil	48gbit		Drachme	768m x 64	-	-
MT29F256G08CMCGBJ4-37ES: G TR	-	RFQ	3077	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	132-VBGA	MT29F256G08	Flash - Nand (MLC)		2,7 V ~ 3,6 V	132-VBGA (12x18)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			OBSOLÈTE	0000.00.0000	1 000	267 MHz	Non volatile	256 GBIT		Éclair	32g x 8	Parallèle	-
MT53B4DBNH-DC	-	RFQ	7335	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète		Support de surface	272-WFBGA	MT53B4	SDRAM - MOBILE LPDDR4			272-WFBGA (15x15)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1 190		Volatil			Drachme
N25Q128A11EF740F TR	-	RFQ	6864	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-VDFN	N25Q128A11	Flash - ni		1,7 V ~ 2V	8-VDFPN (6x5) (MLP8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	4 000	108 MHz	Non volatile	128mbitons		Éclair	32m x 4	Pimenter	8 ms, 5 ms
MT29F2T08EMLEEJ4-QJ: E TR	52.9800	RFQ	3739	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif									-				557-MT29F2T08EMLEEJ4-QJ: ETR			2 000
MT29F256G08CEECBH6-12: C Tr	-	RFQ	5224	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	152-VBGA	MT29F256G08	Flash - Nand (MLC)		2,5 V ~ 3,6 V	152-VBGA (14x18)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000	83 MHz	Non volatile	256 GBIT		Éclair	32g x 8	Parallèle	-
MT53E768M32D4DT-046 AAT: E	29.2650	RFQ	4217	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)	Support de surface	200-VFBGA	MT53E768	SDRAM - MOBILE LPDDR4		1,1 V	200-VFBGA (10x14,5)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	MT53E768M32D4DT-046AAT: E	EAR99	8542.32.0036	1 360	2.133 GHz	Volatil	24gbit		Drachme	768m x 32	-	-
MT29F8G08ABACAH4-S: C	-	RFQ	2471	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	63-VFBGA	MT29F8G08	Flash - Nand		2,7 V ~ 3,6 V	63-VFBGA (9x11)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 260		Non volatile	8 Gbit		Éclair	1g x 8	Parallèle	-
M29F200BT70N6E	-	RFQ	6556	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	M29F200	Flash - ni		4,5 V ~ 5,5 V	48 TSOP	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	96		Non volatile	2mbitons	70 ns	Éclair	256k x 8, 128k x 16	Parallèle	70ns
Mt25ql256aba8esf-0sit tr	6.4700	RFQ	11	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur)	MT25QL256	Flash - ni		2,7 V ~ 3,6 V	16-SO	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000	133 MHz	Non volatile	256mbitons		Éclair	32m x 8	Pimenter	8 ms, 2,8 ms
MT29F128G08CFAABWP-12: A TR	-	RFQ	8149	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	MT29F128G08	Flash - Nand		2,7 V ~ 3,6 V	48-tsop i	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			3A991B1A	8542.32.0071	1 000	83 MHz	Non volatile	128 GBIT		Éclair	16g x 8	Parallèle	-
MT48H8M16LFB4-6 IT: K TR	-	RFQ	8553	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54-VFBGA	MT48H8M16	SDRAM - LPSDR MOBILE		1,7 V ~ 1,95 V	54-VFBGA (8x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	1 000	166 MHz	Volatil	128mbitons	5 ns	Drachme	8m x 16	Parallèle	15NS
N25Q032A13EF640F TR	-	RFQ	9737	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-VDFN	N25Q032A13	Flash - ni		2,7 V ~ 3,6 V	8-VDFN (6x5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	4 000	108 MHz	Non volatile	32mbitons		Éclair	8m x 4	Pimenter	8 ms, 5 ms
JR28F032M29EWBB TR	-	RFQ	4402	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	JR28F032M29	Flash - ni	Non Vérifié	2,7 V ~ 3,6 V	48-tsop i	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			3A991B1A	8542.32.0071	2 000		Non volatile	32mbitons	70 ns	Éclair	4m x 8, 2m x 16	Parallèle	70ns
Mt41k2g4trf-107: e tr	-	RFQ	2947	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	78-TFBGA	MT41K2G4	Sdram - ddr3l		1 283V ~ 1 45 V	78-FBGA (9,5x11,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			EAR99	8542.32.0036	1 000	933 MHz	Volatil	8 Gbit	20 ns	Drachme	2G x 4	Parallèle	-
MT44K32M18RB-125E IT: A TR	-	RFQ	1956	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	168 TBGA	MT44K32M18	Drachme		1,28 V ~ 1,42 V	168-BGA (13,5x13,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	1 000	800 MHz	Volatil	576mbit	10 ns	Drachme	32m x 18	Parallèle	-
MT46V128M4BN-6: F Tr	-	RFQ	5111	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	60-TFBGA	MT46V128M4	Sdram - ddr		2,3V ~ 2,7 V	60-FBGA (10x12.5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	1 000	167 MHz	Volatil	512mbitons	700 PS	Drachme	128m x 4	Parallèle	15NS
Mt25ql128abb1ese-0ut tr	4.2442	RFQ	3925	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur)	MT25QL128	Flash - ni		2,7 V ~ 3,6 V	8-so	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 500	133 MHz	Non volatile	128mbitons		Éclair	16m x 8	Pimenter	1,8 ms
MT29F4T08EULEEM4-M: E	85.7850	RFQ	8880	Micron Technology Inc.	-	Boîte	Actif						Non Vérifié			-				557-MT29F4T08EULEEM4-M: E			1
MT40A512M8RH-083E AAT: B	-	RFQ	3000	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)	Support de surface	78-TFBGA	MT40A512M8	Sdram - ddr4		1,14 V ~ 1,26 V	78-fbga (9x10,5)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 260	1,2 GHz	Volatil	4 Gbit		Drachme	512m x 8	Parallèle	-
MT46H128M32L2KQ-48 WT: C	-	RFQ	9972	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-25 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	168-WFBGA	MT46H128M32	SDRAM - LPDDR MOBILE		1,7 V ~ 1,95 V	168-WFBGA (12x12)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 008	208 MHz	Volatil	4 Gbit	5 ns	Drachme	128m x 32	Parallèle	14.4NS
MT62F1G32D4DS-031 AAT: B	32.5650	RFQ	2651	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Boîte	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C	Support de surface	200-WFBGA		Sdram - mobile lpddr5		1,05 V	200-WFBGA (10x14,5)	-				557-MT62F1G32D4DS-031AAT: B			1	3,2 GHz	Volatil	32 Gbit		Drachme	1g x 32	Parallèle	-
MT41K256M16TW-107 V: P	-	RFQ	4914	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA	MT41K256M16	Sdram - ddr3l		1 283V ~ 1 45 V	96-FBGA (9x14)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 368	933 MHz	Volatil	4 Gbit	20 ns	Drachme	256m x 16	Parallèle	-
NAND04GW3C2BN6E	-	RFQ	6688	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	Nand04g	Flash - Nand		2,7 V ~ 3,6 V	48 TSOP	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	-Nand04gw3c2bn6e	3A991B1A	8542.32.0071	576		Non volatile	4 Gbit	25 ns	Éclair	512m x 8	Parallèle	25ns
MT53E384M32D2DS-053 AIT: E TR	10.7700	RFQ	3771	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	200-WFBGA	MT53E384	SDRAM - MOBILE LPDDR4		1,1 V	200-WFBGA (10x14,5)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	MT53E384M32D2DS-053AIT: ETR	EAR99	8542.32.0036	2 000	1 866 GHz	Volatil	12gbit		Drachme	384m x 32	-	-
MT53B1DATG-DC	-	RFQ	6798	Micron Technology Inc.	-	Boîte	Obsolète					SDRAM - MOBILE LPDDR4				-		1 (illimité)			OBSOLÈTE	0000.00.0000	960		Volatil			Drachme
Mt48v4m32lfb5-8 It: g tr	-	RFQ	6103	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	90-VFBGA	MT48V4M32	SDRAM - LPSDR MOBILE		2,3V ~ 2,7 V	90-VFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	2 (1 AN)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	1 000	125 MHz	Volatil	128mbitons	7 ns	Drachme	4m x 32	Parallèle	15NS

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
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Mémoire (10402)

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