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Mémoire (10402)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Sic programmable | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT29F1HT08EMCBBJ4-37: B | - |  | 9498 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 132-VBGA | MT29F1HT08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 132-VBGA (12x18) | - | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 120 | 267 MHz | Non volatile | 1,5 tbit | Éclair | 192g x 8 | Parallèle | - | |||||
 | MT41K128M16JT-125 AUT: K TR | 5.9700 | | 1302 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | MT41K128M16 | Sdram - ddr3l | 1 283V ~ 1 45 V | 96-FBGA (8x14) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 2 000 | 800 MHz | Volatil | 2 gbit | 13,75 ns | Drachme | 128m x 16 | Parallèle | - | |||
 | MT53D1024M64D8NW-046 WT ES: D | - | | 7492 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 432-VFBGA | MT53D1024 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | 432-VFBGA (15x15) | - | 1 (illimité) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 190 | 2.133 GHz | Volatil | 64gbit | Drachme | 1g x 64 | - | - | ||||||
 | MT44K64M18RB-107E: A TR | 64.4550 | | 5837 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 168 TBGA | MT44K64M18 | Rldram 3 | 1,28 V ~ 1,42 V | 168-BGA (13,5x13,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 000 | 933 MHz | Volatil | 1 125 Gbit | 8 ns | Drachme | 64m x 18 | Parallèle | - | |||
| MT53D1G32D4NQ-062 WT ES: D | - | | 5694 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | MT53D1G32 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | - | 1 (illimité) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 360 | 1,6 GHz | Volatil | 32 Gbit | Drachme | 1g x 32 | - | - | |||||||||
 | N25Q128A13ESFA0F TR | - | | 5034 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | N25Q128A13 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 16-SO | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 108 MHz | Non volatile | 128mbitons | Éclair | 32m x 4 | Pimenter | 8 ms, 5 ms | ||||
 | Mt29f64g08cbabbwp-12it: b | - | | 9923 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | MT29F64G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-tsop i | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | 83 MHz | Non volatile | 64gbit | Éclair | 8g x 8 | Parallèle | - | ||||
 | Mt58l256l18f1t-8.5ittr | 4.9900 | | 15 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst ™ | En gros | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | SRAM - Standard | 3.135V ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x20.1) | télécharger | Non applicable | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 500 | 100 MHz | Volatil | 4mbbitons | 8,5 ns | Sram | 256k x 18 | Parallèle | - | ||||
| MT41K1G16DGA-125: A TR | - | | 3590 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | MT41K1G16 | Sdram - ddr3l | 1 283V ~ 1 45 V | 96-FBGA (9,5x14) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | EAR99 | 8542.32.0036 | 2 000 | 800 MHz | Volatil | 16 Gbit | 13,75 ns | Drachme | 1g x 16 | Parallèle | - | ||||
| EDB2432B4MA-1DIT-FD | - | | 2672 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 134-VFBGA | EDB2432 | Sdram - mobile lpddr2 | 1,14 V ~ 1,95 V | 134-VFBGA (10x11,5) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 2 100 | 533 MHz | Volatil | 2 gbit | Drachme | 64m x 32 | Parallèle | - | ||||
| MT40A512M16JY-083E AUT: B TR | - | | 9302 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | MT40A512M16 | Sdram - ddr4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 96-FBGA (8x14) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 2 000 | 1,2 GHz | Volatil | 8 Gbit | Drachme | 512m x 16 | Parallèle | - | ||||
 | M29W640GL70ZA6E | - | | 7784 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFBGA | M29W640 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-TFBGA (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 122 | Non volatile | 64mbitons | 70 ns | Éclair | 8m x 8, 4m x 16 | Parallèle | 70ns | ||||
| MT53E1536M64D8HJ-046 AAT: B | 92.1450 | | 3765 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Boîte | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C | Support de surface | 556-TFBGA | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | - | 556-WFBGA (12.4x12.4) | - | 557-MT53E1536M64D8HJ-046AAT: B | 1 | 2.133 GHz | Volatil | 96 Gbit | Drachme | 1,5 mx 64 | - | - | |||||||||
 | MT29C1G12MAACVAMD-5 IT TR | - | | 8326 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 130-VFBGA | MT29C1G12 | Flash - NAND, LPDRAM MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 130-VFBGA (8x9) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 200 MHz | Non volatile, volatile | 1gbit (nand), 512mbit (LPDRAM) | Flash, Bélier | 128m x 8 (NAND), 32m x 16 (LPDRAM) | Parallèle | - | |||||
 | EDB1316BDBH-1DAUT-FD | - | | 3529 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Support de surface | 134-VFBGA | EDB1316 | Sdram - mobile lpddr2 | 1,14 V ~ 1,95 V | 134-VFBGA (10x11,5) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0032 | 2 100 | 533 MHz | Volatil | 1 gbit | Drachme | 64m x 16 | Parallèle | - | ||||
| MT41K256M16HA-125 M: E | - | | 9957 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | MT41K256M16 | Sdram - ddr3l | 1 283V ~ 1 45 V | 96-FBGA (9x14) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 000 | 800 MHz | Volatil | 4 Gbit | 13,75 ns | Drachme | 256m x 16 | Parallèle | - | |||
 | M28W320FCB70ZB6E | - | | 1695 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 47-TFBGA | M28W320 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 47-TFBGA (6.39x6.37) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 380 | Non volatile | 32mbitons | 70 ns | Éclair | 2m x 16 | Parallèle | 70ns | ||||
 | MT40A256M16LY-062E IT: F | 9.1650 | | 6273 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | MT40A256M16 | Sdram - ddr4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 96-FBGA (7,5x13,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | MT40A256M16LY-062EIT: F | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 080 | 1,6 GHz | Volatil | 4 Gbit | 13,75 ns | Drachme | 256m x 16 | Parallèle | - | ||
| MT41K64M16TW-107 IT: J | - | | 8187 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | MT41K64M16 | Sdram - ddr3l | 1 283V ~ 1 45 V | 96-FBGA (8x14) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0032 | 1 368 | 933 MHz | Volatil | 1 gbit | 20 ns | Drachme | 64m x 16 | Parallèle | - | |||
| MTFC64GBCAQDQ-AAT ES TR | 29.4000 | | 9810 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | 557-mtfc64gbcaqdq-aatestr | 1 500 | ||||||||||||||||||||||
| Mt25ql128abb1ese-0ut tr | 4.2442 | | 3925 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur) | MT25QL128 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-so | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 500 | 133 MHz | Non volatile | 128mbitons | Éclair | 16m x 8 | Pimenter | 1,8 ms | ||||
 | Mtfc4glgdm-ait a tr | - | | 6962 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 153-TFBGA | Mtfc4 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 153-TFBGA (11,5x13) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | Mtfc4glgdm-aatatr | OBSOLÈTE | 8542.32.0071 | 2 000 | Non volatile | 32 Gbit | Éclair | 4G x 8 | MMC | - | ||||
 | MT29F8G08ABACAH4-S: C | - | | 2471 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 63-VFBGA | MT29F8G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 63-VFBGA (9x11) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 260 | Non volatile | 8 Gbit | Éclair | 1g x 8 | Parallèle | - | |||||
 | MT46H128M32L2KQ-48 WT: C | - | | 9972 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 168-WFBGA | MT46H128M32 | SDRAM - LPDDR MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 168-WFBGA (12x12) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 008 | 208 MHz | Volatil | 4 Gbit | 5 ns | Drachme | 128m x 32 | Parallèle | 14.4NS | |||
| JR28F032M29EWBB TR | - | | 4402 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | JR28F032M29 | Flash - ni | Non Vérifié | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-tsop i | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2 000 | Non volatile | 32mbitons | 70 ns | Éclair | 4m x 8, 2m x 16 | Parallèle | 70ns | ||||
 | Mtfc32gjded-3m wt | - | | 3571 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Plateau | Obsolète | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 169-VFBGA | Mtfc32g | Flash - Nand | 1,65 V ~ 3,6 V | 169-VFBGA (14x18) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8523.51.0000 | 980 | Non volatile | 256 GBIT | Éclair | 32g x 8 | MMC | - | |||||
| MT62F1G32D4DS-031 AAT: B | 32.5650 | | 2651 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Boîte | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C | Support de surface | 200-WFBGA | Sdram - mobile lpddr5 | 1,05 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | 557-MT62F1G32D4DS-031AAT: B | 1 | 3,2 GHz | Volatil | 32 Gbit | Drachme | 1g x 32 | Parallèle | - | |||||||||
 | N25Q032A13EF640F TR | - | | 9737 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-VDFN | N25Q032A13 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-VDFN (6x5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4 000 | 108 MHz | Non volatile | 32mbitons | Éclair | 8m x 4 | Pimenter | 8 ms, 5 ms | ||||
 | MT46V128M4BN-6: F Tr | - | | 5111 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 60-TFBGA | MT46V128M4 | Sdram - ddr | 2,3V ~ 2,7 V | 60-FBGA (10x12.5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 000 | 167 MHz | Volatil | 512mbitons | 700 PS | Drachme | 128m x 4 | Parallèle | 15NS | |||
 | MT44K32M18RB-125E IT: A TR | - | | 1956 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 168 TBGA | MT44K32M18 | Drachme | 1,28 V ~ 1,42 V | 168-BGA (13,5x13,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 000 | 800 MHz | Volatil | 576mbit | 10 ns | Drachme | 32m x 18 | Parallèle | - |
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