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Mémoire (10402)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT58L256V36PS-6TR | 5.9800 |  | 32 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst ™ | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | SRAM - Standard | 3.135V ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x20.1) | télécharger | Non applicable | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 100 | 166 MHz | Volatil | 8mbitons | 3,5 ns | Sram | 256k x 36 | Parallèle | - | |||
| Mt58l256l18f1t-8.5ittr | 4.9900 | | 15 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst ™ | En gros | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | SRAM - Standard | 3.135V ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x20.1) | télécharger | Non applicable | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 500 | 100 MHz | Volatil | 4mbbitons | 8,5 ns | Sram | 256k x 18 | Parallèle | - | |||
| MT55L256L18P1T-7.5TR | 4.9100 | | 2 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | ZBT® | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | Sram - zbt | 3.135V ~ 3 465V | 100-TQFP (14x20.1) | télécharger | Non applicable | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 500 | 133 MHz | Volatil | 4mbbitons | 4.2 ns | Sram | 256k x 18 | Parallèle | - | |||
 | MT58L256L36PF-7.5 | 17.3600 | | 30 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst ™ | En gros | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 165-TBGA | SRAM - Standard | 3.135V ~ 3,6 V | 165-fbga (13x15) | télécharger | Non applicable | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | Volatil | 8mbitons | 4 ns | Sram | 256k x 36 | Parallèle | - | |||
| MT58L256L18P1T-7.5C | 4.8200 | | 3 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst ™ | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | SRAM - Standard | 3.135V ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x20.1) | télécharger | Non applicable | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | Volatil | 4mbbitons | 4 ns | Sram | 256k x 18 | Parallèle | - | |||
 | MT54W1MH18BF-5TR | 43.4700 | | 2 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | QDR ™ | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 165-TBGA | Sram - synchrone | 1,7 V ~ 1,9 V | 165-fbga (13x15) | télécharger | Non applicable | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 000 | 200 MHz | Volatil | 18mbitons | 450 PS | Sram | 1m x 18 | Hstl | - | |||
 | MT29AZ5A5CHGSQ-18AAT.87U | 13.9200 | | 8743 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tube | Actif | MT29AZ5 | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 557-MT29AZ5A5CHGSQ-18AAT.87U | 1440 | |||||||||||||||||
| MT29AZ5A5CMGWD-18AT.87C | - | | 9067 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tube | Obsolète | MT29AZ5 | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 557-MT29AZ5A5CMGWD-18AT.87C | OBSOLÈTE | 1440 | |||||||||||||||||
| MT29F2G08ABBGAM79A3WC1L | 2.6600 | | 6064 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | Mourir | MT29F2G08 | Flash - Nand | 1,7 V ~ 1,95 V | Mourir | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 557-MT29F2G08ABBGAM79A3WC1L | 1 | Non volatile | 2 gbit | Éclair | 256m x 8 | Parallèle | - | |||||
 | MT58L64L18CT-10 | 7.0500 | | 22 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Actif | télécharger | Non applicable | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | |||||||||||||||||
| MT58L64L36PT-6TR | 4.2600 | | 1 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst ™ | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | SRAM - Standard | 3.135V ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x20.1) | télécharger | Non applicable | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 500 | 166 MHz | Volatil | 2mbitons | 3,5 ns | Sram | 64k x 36 | Parallèle | - | |||
| Mt25ql128aba1ew7-0m02it | - | | 2178 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Tube | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-WDFN | MT25QL128 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-WPDFN (6x5) (MLP8) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 557-MT25QL128ABA1EW7-0M02IT | OBSOLÈTE | 2 940 | 133 MHz | Non volatile | 128mbitons | Éclair | 16m x 8 | Pimenter | 1,8 ms | ||||
 | MT40A2G4SA-075 C: E | - | | 5780 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tube | Obsolète | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 78-TFBGA | MT40A2G4 | Sdram - ddr4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 78-fbga (7,5x11) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 557-MT40A2G4SA-075C: E | OBSOLÈTE | 1 260 | 1,33 GHz | Volatil | 8 Gbit | 19 ns | Drachme | 2G x 4 | Parallèle | 15NS | |||
| Mt55l256l32ft-12it | 17.3600 | | 1 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | ZBT® | En gros | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | Sram - zbt | 3.135V ~ 3 465V | 100-TQFP (14x20.1) | télécharger | Non applicable | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 83 MHz | Volatil | 8mbitons | 9 ns | Sram | 256k x 32 | Parallèle | - | |||
| MT58L512L18PS-7.5TR | 10.2600 | | 1 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst ™ | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | SRAM - Standard | 3.135V ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x20.1) | télécharger | Non applicable | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 500 | 133 MHz | Volatil | 8mbitons | 4 ns | Sram | 512k x 18 | Parallèle | - | |||
| MT58L64L18DT-10TR | 7.0500 | | 1 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst ™ | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | SRAM - Standard | 3.135V ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x20.1) | télécharger | Non applicable | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 500 | 100 MHz | Volatil | 1mbit | 5 ns | Sram | 64k x 18 | Parallèle | - | |||
| MT58L64L18FT-8.5TR | 9.1100 | | 2 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst ™ | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | SRAM - Standard | 3.135V ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x20.1) | télécharger | Non applicable | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 500 | 100 MHz | Volatil | 1mbit | 8,5 ns | Sram | 64k x 18 | Parallèle | - | |||
| MT58L128L32P1T-7.5CTR | 4.7500 | | 3 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst ™ | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | SRAM - Standard | 3.135V ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x20.1) | télécharger | Non applicable | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 500 | 133 MHz | Volatil | 4mbbitons | 4 ns | Sram | 128k x 32 | Parallèle | - | |||
| MT58L64L32DT-7.5TR | 5.3200 | | 1 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst ™ | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | SRAM - Standard | 3.135V ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x20.1) | télécharger | Non applicable | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 500 | 133 MHz | Volatil | 2mbitons | 4 ns | Sram | 64k x 32 | Parallèle | - | |||
 | MT54V512H36EF-5 | 19.3000 | | 22 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | QDR ™ | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 165-TBGA | Sram - synchrone | 2,4 V ~ 2,6 V | 165-fbga (13x15) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 200 MHz | Volatil | 18mbitons | 2.2 ns | Sram | 512k x 36 | Hstl | - | |||
| MT29F4G01ABBFDM70A3WC1 | 3.5200 | | 2794 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | Mourir | MT29F4G01 | Flash - Nand (SLC) | 1,7 V ~ 1,95 V | Mourir | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 0000.00.0000 | 1 | Non volatile | 4 Gbit | Éclair | 4G x 1 | Pimenter | - | |||||
| MT53B128M32D1Z00NWC2 à | - | | 9693 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | MT53B128 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | - | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | MT53B128M32D1Z00NWC2AT | OBSOLÈTE | 1 | Volatil | 4 Gbit | Drachme | 128m x 32 | - | - | |||||
 | MTFC4GLGDQ-AIT A | 9.2611 | | 7047 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Acheter la Dernière | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 100 lbga | Mtfc4 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 100 lbga (14x18) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | MTFC4GLGDQ-AITA | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | Non volatile | 32 Gbit | Éclair | 4G x 8 | MMC | - | |||
| Mt25ql128abb1ese-0ut tr | 4.2442 | | 3925 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur) | MT25QL128 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-so | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 500 | 133 MHz | Non volatile | 128mbitons | Éclair | 16m x 8 | Pimenter | 1,8 ms | |||
| Mt25qu128abb1ese-0aut tr | 4.2442 | | 4077 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur) | MT25QU128 | Flash - ni | 1,7 V ~ 2V | 8-so | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | Mt25qu128abb1ese-0Auttr | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 500 | 166 MHz | Non volatile | 128mbitons | Éclair | 16m x 8 | Pimenter | 1,8 ms | ||
 | MT29F256G08CECEBJ4-37ITR: E TR | 22.0500 | | 8444 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 132-VBGA | MT29F256G08 | Flash - Nand (MLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 132-VBGA (12x18) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | MT29F256G08CECEBJ4-37ITR: ETR | 8542.32.0071 | 2 000 | 267 MHz | Non volatile | 256 GBIT | Éclair | 32g x 8 | Parallèle | - | |||
 | MT29F4G01ABBFD12-AAT: F Tr | 3.8498 | | 1901 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 24 TBGA | MT29F4G01 | Flash - Nand (SLC) | 1,7 V ~ 1,95 V | 24-T-PBGA (6x8) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | MT29F4G01ABBFD12-AAT: FTR | 8542.32.0071 | 2 000 | 83 MHz | Non volatile | 4 Gbit | Éclair | 4G x 1 | Pimenter | - | |||
| MT29F4G01ABBFD12-IT: F Tr | - | | 9437 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 24 TBGA | MT29F4G01 | Flash - Nand (SLC) | 1,7 V ~ 1,95 V | 24-T-PBGA (6x8) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | MT29F4G01ABBFD12-IT: FTR | OBSOLÈTE | 8542.32.0071 | 2 000 | 83 MHz | Non volatile | 4 Gbit | Éclair | 4G x 1 | Pimenter | - | |||
 | MT29F4G08ABBFAH4-AAT: F Tr | 3.8498 | | 3606 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 63-VFBGA | MT29F4G08 | Flash - Nand (SLC) | 1,7 V ~ 1,95 V | 63-VFBGA (9x11) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | MT29F4G08ABBFAH4-AAT: FTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2 000 | Non volatile | 4 Gbit | Éclair | 512m x 8 | Parallèle | - | |||
| MT29F512G08EBHAFJ4-3T: A TR | - | | 7205 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 132-VBGA | MT29F512G08 | Flash - Nand (TLC) | 2,5 V ~ 3,6 V | 132-VBGA (12x18) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | MT29F512G08EBHAFJ4-3T: ATR | OBSOLÈTE | 8542.32.0071 | 1 000 | 333 MHz | Non volatile | 512gbit | Éclair | 64g x 8 | Parallèle | - |
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