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Mémoire (10402)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Mt25ql128aba1esf-0sit tr | - |  | 6427 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | MT25QL128 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 16-SO | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 133 MHz | Non volatile | 128mbitons | Éclair | 16m x 8 | Pimenter | 8 ms, 2,8 ms | |||
 | MT35XU256ABA1G12-0UT TR | 7.3500 | | 9957 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | XCCELA ™ - MT35X | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C | Support de surface | 24 TBGA | MT35XU256 | Flash - ni | 1,7 V ~ 2V | 24-T-PBGA (6x8) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | MT35XU256ABA1G12-0AUTTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2 500 | 200 MHz | Non volatile | 256mbitons | Éclair | 32m x 8 | Bus xccela | - | ||
 | MT40A1G16RC-062E: B | - | | 8406 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | MT40A1G16 | Sdram - ddr4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 96-FBGA (10x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 360 | 1,6 GHz | Volatil | 16 Gbit | 19 ns | Drachme | 1g x 16 | Parallèle | 15NS | |||
| M58LT256KSB8ZA6E | - | | 9302 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 64 TBGA | M58LT256 | Flash - ni | 1,7 V ~ 2V | 64-TBGA (10x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 136 | 52 MHz | Non volatile | 256mbitons | 85 ns | Éclair | 16m x 16 | Parallèle | 85ns | |||
 | MT55L256L32FT-12 | 8.9300 | | 7 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | ZBT® | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | Sram - zbt | 3.135V ~ 3 465V | 100-TQFP (14x20.1) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 83 MHz | Volatil | 8mbitons | 9 ns | Sram | 256k x 32 | Parallèle | - | |||
 | MT53E512M32D1ZW-046 WT: B TR | 13.2750 | | 2178 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -25 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 200-TFBGA | MT53E512 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1 06 V ~ 1,17 V | 200-TFBGA (10x14,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 557-MT53E512M32D1ZW-046WT: BTR | 2 000 | 2.133 GHz | Volatil | 16 Gbit | 3,5 ns | Drachme | 512m x 32 | Parallèle | 18n | |||
| MT53E128M16D1Z19MWC1 | 10.3800 | | 7120 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | - | 557-MT53E128M16D1Z19MWC1 | 1 | |||||||||||||||||||||
| MT40A1G16KD-062E IT: E | - | | 6136 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | MT40A1G16 | Sdram - ddr4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 96-FBGA (9x13) | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 557-MT40A1G16KD-062EIT: E | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 1,6 GHz | Volatil | 16 Gbit | 19 ns | Drachme | 1g x 16 | Parallèle | 15NS | ||
| MTFC128GASAONS-AIT | 67.0200 | | 5169 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q104 | Boîte | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 153-TFBGA | Flash - Nand (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 153-TFBGA (11,5x13) | - | 557-MTFC128GASAONS-AIT | 1 | 52 MHz | Non volatile | 1 tbit | Éclair | 128g x 8 | UFS2.1 | - | ||||||||
| MT62F2G64D8EK-023 AUT: C | 145.4250 | | 8853 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | - | 557-MT62F2G64D8EK-023AUT: C | 1 | |||||||||||||||||||||
 | M28W320FCT70ZB6E | - | | 1031 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 47-TFBGA | M28W320 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 47-TFBGA (6.39x6.37) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 380 | Non volatile | 32mbitons | 70 ns | Éclair | 2m x 16 | Parallèle | 70ns | |||
| MTFC256GAVATTC-AIT TR | 82.2150 | | 2803 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | 557-MTFC256GAVATTC-AITTR | 2 000 | |||||||||||||||||||||
 | MT40A2G8NEA-062E: J Tr | - | | 1208 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 78-TFBGA | MT40A2G8 | Sdram - ddr4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 78-fbga (7,5x11) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 557-MT40A2G8NEA-062E: JTR | OBSOLÈTE | 2 000 | 1,6 GHz | Volatil | 16 Gbit | 19 ns | Drachme | 2G x 8 | Parallèle | 15NS | |||
| 1787 tr | 59.8650 | | 8903 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | 557-1787tr | 2 000 | |||||||||||||||||||||
| MT53D1536M64D8EG-046 WT: A | - | | 6779 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 557-MT53D1536M64D8EG-046WT: A | OBSOLÈTE | 1 360 | ||||||||||||||||||
| MT29F4T08EQLCEG8-R: C | 121.0800 | | 6867 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | - | 557-MT29F4T08EQLCEG8-R: C | 1 | |||||||||||||||||||||
| MT53B384M64D4NK-053 WT: B | - | | 5939 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 366-WFBGA | MT53B384 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | 366-WFBGA (15x15) | - | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 190 | 1 866 GHz | Volatil | 24gbit | Drachme | 384m x 64 | - | - | |||||
| MT66R7072A10AB5ZZW.ZCA | - | | 5424 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 121-WFBGA | MT66R7072 | PCM - LPDDR2, MCP - LPDDR2 | 1,14 V ~ 1,95 V | 121-VFBGA (11x10) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 000 | 166 MHz | Non volatile | 1gbit (PCM), 512mbit (MCP) | Bélier | 128m x 8 (PCM), 64m x 8 (MCP) | Parallèle | - | ||||
| MT53D1024M32D4BD-046 WT: D TR | - | | 9130 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | MT53D1024 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | - | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 557-MT53D1024M32D4BD-046WT: DTR | 2 000 | 2.133 GHz | Volatil | 32 Gbit | Drachme | 1g x 32 | - | - | ||||
| MT42L16M32D1HE-18 AUT: E TR | 7.6800 | | 6201 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | 557-MT42L16M32D1HE-18AUT: ETR | 2 500 | |||||||||||||||||||||
 | MT53E128M16D1DS-046 WT: A | - | | 3795 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | MT53E128 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | MT53E128M16D1DS-046WT: A | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 360 | 2.133 GHz | Volatil | 2 gbit | Drachme | 128m x 16 | - | - | ||||||
| MT62F1G32D2DS-023 IT: C TR | 25.1400 | | 2118 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | 557-MT62F1G32D2DS-023IT: CTR | 2 000 | |||||||||||||||||||||
| MT62F4G32D8DV-023 IT: B Tr | 99.5250 | | 6240 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C | - | - | Sdram - mobile lpddr5 | - | - | - | 557-MT62F4G32D8DV-023IT: BTR | 2 000 | 4.266 GHz | Volatil | 128 GBIT | Drachme | 4G x 32 | Parallèle | - | ||||||||
| M28W640HCT70N6E | - | | 4516 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | M28W640 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 48 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | Non volatile | 64mbitons | 70 ns | Éclair | 4m x 16 | Parallèle | 70ns | |||
| Mt53e4dadt-dc tr | 22.5000 | | 4253 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | MT53E4 | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 557-MT53E4DADT-DCTR | 2 000 | ||||||||||||||||||
 | MT49H32M18CSJ-18: B | - | | 5486 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 144-TFBGA | MT49H32M18 | Drachme | 1,7 V ~ 1,9 V | 144-fbga (18,5x11) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0028 | 1 120 | 533 MHz | Volatil | 576mbit | 15 ns | Drachme | 32m x 18 | Parallèle | - | ||
| MT41K512M16V91AWC1 | - | | 1917 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | MT41K512M16 | Sdram - ddr3l | 1 283V ~ 1 45 V | - | 1 (illimité) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 | Volatil | 8 Gbit | Drachme | 512m x 16 | Parallèle | ||||||||||
 | Nand16gw3d2bn6e | - | | 1217 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | NAND16G | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 48 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | -Nand16gw3d2bn6e | 3A991B1A | 8542.32.0051 | 96 | Non volatile | 16 Gbit | 25 ns | Éclair | 2G x 8 | Parallèle | 25ns | ||
| MT29F1T08EELKEJ4-ITF: K | 36,9000 | | 1779 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | - | 557-MT29F1T08EELKEJ4-ITF: K | 1 | |||||||||||||||||||||
| EDFA232A2PD-GD-FD | - | | 6334 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | EDFA232 | Sdram - mobile lpddr3 | 1,14 V ~ 1,95 V | - | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 680 | 800 MHz | Volatil | 16 Gbit | Drachme | 512m x 32 | Parallèle | - |
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