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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page |
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![]() | MT40A512M16LY-062E AT: E TR | - | ![]() | 8981 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | MT40A512M16 | Sdram - ddr4 | - | 96-FBGA (7,5x13,5) | - | 557-MT40A512M16LY-062EAT: ETR | OBSOLÈTE | 8542.32.0071 | 2 000 | 1,6 GHz | Non volatile | 8 Gbit | Drachme | 512m x 16 | - | - | |||||
MT40A512M16TD-062E AIT: R TR | - | ![]() | 4133 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | 96-TFBGA | 96-FBGA (7,5x13) | - | Atteindre non affecté | 557-MT40A512M16TD-062EAIT: RTR | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | MT29VZZZ7C8DQFSL-046 W.9J8 TR | - | ![]() | 5705 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | MT29VZZZ7 | - | 1 (illimité) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 000 | ||||||||||||||||||
![]() | MT53B768M32D4DT-062 AIT: B Tr | - | ![]() | 7203 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 200-VFBGA | MT53B768 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | 200-VFBGA (10x14,5) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 2 000 | 1,6 GHz | Volatil | 24gbit | Drachme | 768m x 32 | - | - | |||
![]() | MT29F1G08ABBFAH4-AAT: F | 2.9984 | ![]() | 3752 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 63-VFBGA | MT29F1G08 | Flash - Nand (SLC) | 1,7 V ~ 1,95 V | 63-VFBGA (9x11) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 557-MT29F1G08ABBFAH4-AAT: F | 8542.32.0071 | 210 | Non volatile | 1 gbit | 25 ns | Éclair | 128m x 8 | Parallèle | 25ns | |||
![]() | MT29F256G08CECABH6-10: A | - | ![]() | 6230 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 557-MT29F256G08CABH6-10: A | OBSOLÈTE | 1 000 | ||||||||||||||||||
![]() | MT58L256L32PS-7.5 | 8.9300 | ![]() | 9 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst ™ | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | MT58L256L32 | Sram - synchrone | 3.135V ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x20.1) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | Volatil | 8mbitons | 4 ns | Sram | 256k x 32 | Parallèle | - | ||
MT29C1G56MAACAAAMD-5 | - | ![]() | 9581 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 130-VFBGA | MT29C1G56 | Flash - NAND, LPDRAM MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 130-VFBGA (8x9) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 200 MHz | Non volatile, volatile | 1gbit (nand), 256mbit (lpdram) | Flash, Bélier | 64m x 16 (NAND), 16m x 16 (lpdram) | Parallèle | - | |||||
![]() | MT29F4T08EULCEM4-QJ: C TR | 121.0800 | ![]() | 8818 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | 557-MT29F4T08EULCEM4-QJ: CTR | 2 000 | |||||||||||||||||||||
![]() | JS28F320J3F75A | - | ![]() | 8112 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 56-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | JS28F320J3 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 56 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | Non volatile | 32mbitons | 75 ns | Éclair | 4m x 8, 2m x 16 | Parallèle | 75ns | |||
MT41K64M16TW-107 AUT: J | 4.9009 | ![]() | 2414 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | En gros | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | MT41K64M16 | Sdram - ddr3l | 1 283V ~ 1 45 V | 96-FBGA (8x14) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0032 | 1 368 | 933 MHz | Volatil | 1 gbit | 20 ns | Drachme | 64m x 16 | Parallèle | - | |||
![]() | MT58L128L36F1T-8.5C | 5.2200 | ![]() | 19 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst ™ | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | SRAM - Standard | 3.135V ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x20.1) | télécharger | Non applicable | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | Volatil | 4mbbitons | 8,5 ns | Sram | 128k x 36 | Parallèle | - | |||
![]() | MT62F2G64D8EK-023 WT: C TR | 90.4650 | ![]() | 4584 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -25 ° C ~ 85 ° C | Support de surface | 441-TFBGA | Sdram - mobile lpddr5 | 1,05 V | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-MT62F2G64D8EK-023WT: CTR | 2 000 | 4.266 GHz | Volatil | 128 GBIT | Drachme | 2G x 64 | Parallèle | - | ||||||||
![]() | MT28EW512ABA1LPC-1SIT TR | - | ![]() | 7948 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 64 LBGA | MT28EW512 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 64 LBGA (11x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2 000 | Non volatile | 512mbitons | 95 ns | Éclair | 64m x 8, 32m x 16 | Parallèle | 60ns | ||||
![]() | Mt25qu128abb1ese-0aut tr | 4.2442 | ![]() | 4077 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur) | MT25QU128 | Flash - ni | 1,7 V ~ 2V | 8-so | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | Mt25qu128abb1ese-0Auttr | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 500 | 166 MHz | Non volatile | 128mbitons | Éclair | 16m x 8 | Pimenter | 1,8 ms | ||
![]() | M58LT128KSB8ZA6E | - | ![]() | 8359 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 64 TBGA | M58LT128 | Flash - ni | 1,7 V ~ 2V | 64-TBGA (10x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 136 | 52 MHz | Non volatile | 128mbitons | 85 ns | Éclair | 8m x 16 | Parallèle | 85ns | |||
MT48LC8M16A2F4-75: G TR | - | ![]() | 2016 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 54-VFBGA | MT48LC8M16A2 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-VFBGA (8x8) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 1 000 | 133 MHz | Volatil | 128mbitons | 5.4 ns | Drachme | 8m x 16 | Parallèle | 15NS | |||
![]() | MT29F2T08EELCHD4-QC: C | 41.9550 | ![]() | 2267 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | - | 557-MT29F2T08EELCHD4-QC: C | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | M36L0R7050T4ZSPE | - | ![]() | 3900 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | M36L0R7050 | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 560 | |||||||||||||||||
![]() | MT29F8T08EWLKEM5-ITF: K TR | 257.4000 | ![]() | 4452 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | 557-MT29F8T08EWLKEM5-ITF: KTR | 2 000 | |||||||||||||||||||||
MT29F16G08ABABAWP: B TR | - | ![]() | 4285 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | MT29F16G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-tsop i | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 16 Gbit | Éclair | 2G x 8 | Parallèle | - | ||||||
![]() | MT29F1T208EGHBBG1-3RES: B TR | - | ![]() | 9922 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 272-VFBGA | MT29F1T208 | Flash - Nand | 2,5 V ~ 3,6 V | 272-VBGA (14x18) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 333 MHz | Non volatile | 1,125 tbit | Éclair | 144g x 8 | Parallèle | - | |||
MT40A2G8NEA-062E: R TR | 21.7650 | ![]() | 4628 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 78-TFBGA | MT40A2G8 | Sdram - ddr4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 78-fbga (7,5x11) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 557-MT40A2G8NEA-062E: RTR | 2 000 | 1,6 GHz | Volatil | 16 Gbit | 13,75 ns | Drachme | 2G x 8 | Parallèle | 15NS | ||||
![]() | M29W800DT70N1 | - | ![]() | 7726 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | M29W800 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-tsop i | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 96 | Non volatile | 8mbitons | 70 ns | Éclair | 1m x 8, 512k x 16 | Parallèle | 70ns | |||
![]() | MT40A1G16KH-062E AUT: E TR | 24.0300 | ![]() | 8754 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | Sdram - ddr4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 96-FBGA (9x13) | télécharger | 557-MT40A1G16KH-062EAUT: ETR | 3 000 | 1,6 GHz | Volatil | 16 Gbit | 19 ns | Drachme | 1g x 16 | Coffre | 15NS | |||||||
MT47H256M4CF-3 IT: H | - | ![]() | 1788 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Abandonné à sic | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 60-TFBGA | MT47H256M4 | Sdram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 60-fbga (8x10) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0032 | 1 000 | 333 MHz | Volatil | 1 gbit | 450 PS | Drachme | 256m x 4 | Parallèle | 15NS | |||
![]() | M25p20-vmn6pba | - | ![]() | 7898 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tube | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | M25P20 | Flash - ni | 2,3V ~ 3,6 V | 8-so | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | EAR99 | 8542.32.0071 | 2 000 | 75 MHz | Non volatile | 2mbitons | Éclair | 256k x 8 | Pimenter | 15 ms, 5 ms | ||||
![]() | MT29C4G48MAYBBAHK-48 AIT TR | - | ![]() | 4252 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 137-VFBGA | MT29C4G48 | Flash - NAND, LPDRAM MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 137-VFBGA (13x10,5) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 208 MHz | Non volatile, volatile | 4gbit (nand), 2gbit (lpdram) | Flash, Bélier | 512m x 8 (NAND), 64m x 32 (LPDRAM) | Parallèle | - | |||
![]() | MT53B256M16D1Z00MWC1 | 10.4800 | ![]() | 5744 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | - | 557-MT53B256M16D1Z00MWC1S | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | MT62F1G64D4EK-026 WT: C | 68.0400 | ![]() | 1652 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | - | 557-MT62F1G64D4EK-026WT: C | 1 |
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