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Mémoire (5712)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Fréquence d'Horloge	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page
IS61QDB42M36A-300M3L	74.4172	RFQ	4815	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	165 LBGA	IS61QDB42	Sram - synchrone, quad	1,71 V ~ 1,89 V	165-LFBGA (15x17)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	105	300 MHz	Volatil	72mbitons	8.4 ns	Sram	2m x 36	Parallèle	-
IS61QDP2B22M36A-333M3L	100.1770	RFQ	1049	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	165 LBGA	IS61QDP2	Sram - synchrone, quadp	1,71 V ~ 1,89 V	165-LFBGA (15x17)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	105	333 MHz	Volatil	72mbitons	8.4 ns	Sram	2m x 36	Parallèle	-
IS61QDP2B41M18A-400M3L	44.1540	RFQ	9576	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	165 LBGA	IS61QDP2	Sram - synchrone, quadp	1,71 V ~ 1,89 V	165-LFBGA (15x17)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	105	400 MHz	Volatil	18mbitons	8.4 ns	Sram	1m x 18	Parallèle	-
IS61QDPB21M18A-333M3L	44.1540	RFQ	5649	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	165 LBGA	IS61QDPB21	Sram - synchrone, quadp	1,71 V ~ 1,89 V	165-LFBGA (15x17)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	105	333 MHz	Volatil	18mbitons	8.4 ns	Sram	1m x 18	Parallèle	-
IS43DR82560B-3DBLI	-	RFQ	5894	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	60-TFBGA	IS43DR82560	Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	60-TWBGA (10,5x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	Q8667869	EAR99	8542.32.0036	100	333 MHz	Volatil	2 gbit	450 PS	Drachme	256m x 8	Parallèle	15NS
Is61lps102418b-200tqli	17.2425	RFQ	4475	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP	IS61LPS102418	Sram - synchrone, d.	3.135V ~ 3 465V	100 LQFP (14x20)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	72	200 MHz	Volatil	18mbitons	3 ns	Sram	1m x 18	Parallèle	-
IS61LPS204818B-200B3L	89.7750	RFQ	2839	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	165-TBGA	IS61LPS204818	Sram - synchrone, d.	3.135V ~ 3 465V	165-TFBGA (13x15)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	144	200 MHz	Volatil	36mbitons	3.1 ns	Sram	2m x 18	Parallèle	-
IS61VVPS204818B-166B3LI	139.9172	RFQ	1135	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	165-TBGA	IS61VVPS204818	Sram - synchrone, d.	1,71 V ~ 1,89 V	165-TFBGA (13x15)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	144	166 MHz	Volatil	36mbitons	3,8 ns	Sram	2m x 18	Parallèle	-
IS61WV25616EDBLL-10BI-TR	3.0281	RFQ	8859	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFBGA	IS61WV25616	Sram - asynchrone	2,4 V ~ 3,6 V	48-TFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	2 500		Volatil	4mbbitons	10 ns	Sram	256k x 16	Parallèle	10ns
IS62WV20488EBLL-55BLI	-	RFQ	3791	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFBGA	IS62WV20488	Sram - asynchrone	2.2V ~ 3,6 V	48-TFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	480		Volatil	16mbitons	55 ns	Sram	2m x 8	Parallèle	55ns
IS43TR85120AL-125KBLI-TR	-	RFQ	2630	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	78-TFBGA	IS43TR85120	Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	78-TWBGA (9x10,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 500	800 MHz	Volatil	4 Gbit	20 ns	Drachme	512m x 8	Parallèle	15NS
IS42VM16160K-75BLI	6.6300	RFQ	5	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54-TFBGA	IS42VM16160	Sdram - mobile	1,7 V ~ 1,95 V	54-TFBGA (8x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-1313	EAR99	8542.32.0024	348	133 MHz	Volatil	256mbitons	6 ns	Drachme	16m x 16	Parallèle	-
IS25LQ040B-JNLE	-	RFQ	2320	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	En gros	Obsolète	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	IS25LQ040	Flash - ni	2,3V ~ 3,6 V	8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-1316	EAR99	8542.32.0071	100	104 MHz	Non volatile	4mbbitons		Éclair	512k x 8	Spi - quad e / o	800 µs
IS25LQ020B-JBLE	-	RFQ	8405	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur)	IS25LQ020	Flash - ni	2,3V ~ 3,6 V	8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-1317	EAR99	8542.32.0071	90	104 MHz	Non volatile	2mbitons		Éclair	256k x 8	Spi - quad e / o	800 µs
IS25LQ010B-JBLE	-	RFQ	9127	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur)	IS25LQ010	Flash - ni	2,3V ~ 3,6 V	8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-1320	EAR99	8542.32.0071	90	104 MHz	Non volatile	1mbit		Éclair	128k x 8	Spi - quad e / o	800 µs
IS25LQ025B-JKLE	-	RFQ	4200	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	En gros	Obsolète	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-WDFN	IS25LQ025	Flash - ni	2,3V ~ 3,6 V	8-wson (6x5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-1327	EAR99	8542.32.0071	570	104 MHz	Non volatile	256kbit		Éclair	32k x 8	Spi - quad e / o	800 µs
IS25LQ025B-JNLE	-	RFQ	8020	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	En gros	Obsolète	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	IS25LQ025	Flash - ni	2,3V ~ 3,6 V	8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-1328	EAR99	8542.32.0071	100	104 MHz	Non volatile	256kbit		Éclair	32k x 8	Spi - quad e / o	800 µs
IS25LQ016B-JNLE	-	RFQ	3764	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	En gros	Obsolète	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	IS25LQ016	Flash - ni	2,3V ~ 3,6 V	8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-1334	EAR99	8542.32.0071	100	104 MHz	Non volatile	16mbitons		Éclair	2m x 8	Spi - quad e / o	1 ms
IS61NVP51236B-2000TTQLI-TR	14.2500	RFQ	3178	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP	IS61NVP51236	Sram - synchrone, d.	2 375V ~ 2 625V	100 LQFP (14x20)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	800	200 MHz	Volatil	18mbitons	3 ns	Sram	512k x 36	Parallèle	-
IS61LF102418B-7.5TQ	-	RFQ	6357	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP	IS61LF102418	Sram - synchrone, d.	3.135V ~ 3 465V	100 LQFP (14x20)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	72	117 MHz	Volatil	18mbitons	7,5 ns	Sram	1m x 18	Parallèle	-
IS61NLP102418B-200B3LI	20.7400	RFQ	9334	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	165-TBGA	IS61NLP102418	Sram - synchrone, d.	3.135V ~ 3 465V	165-TFBGA (13x15)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	144	200 MHz	Volatil	18mbitons	3 ns	Sram	1m x 18	Parallèle	-
IS61NLP51236B-200TTQLI	17.2425	RFQ	9873	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP	IS61NLP51236	Sram - synchrone, d.	3.135V ~ 3 465V	100 LQFP (14x20)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	72	200 MHz	Volatil	18mbitons	3 ns	Sram	512k x 36	Parallèle	-
IS43LD16640A-25BL	-	RFQ	9054	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Abandonné à sic	0 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	134-TFBGA	IS43LD16640	Sdram - mobile lpddr2	1,14 V ~ 1,95 V	134-TFBGA (10x11,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-1354	EAR99	8542.32.0002	171	400 MHz	Volatil	1 gbit		Drachme	64m x 16	Parallèle	15NS
IS43LD16640A-25BLI	-	RFQ	8049	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	134-TFBGA	IS43LD16640	Sdram - mobile lpddr2	1,14 V ~ 1,95 V	134-TFBGA (10x11,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-1355	EAR99	8542.32.0002	171	400 MHz	Volatil	1 gbit		Drachme	64m x 16	Parallèle	15NS
IS43LD32320A-25BLI	-	RFQ	7042	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	134-TFBGA	IS43LD32320	Sdram - mobile lpddr2	1,14 V ~ 1,95 V	134-TFBGA (10x11,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-1357	EAR99	8542.32.0002	171	400 MHz	Volatil	1 gbit		Drachme	32m x 32	Parallèle	15NS
IS43LD16640A-3BL	-	RFQ	3028	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Abandonné à sic	0 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	134-TFBGA	IS43LD16640	Sdram - mobile lpddr2	1,14 V ~ 1,95 V	134-TFBGA (10x11,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0032	171	333 MHz	Volatil	1 gbit		Drachme	64m x 16	Parallèle	15NS
IS43LD16640A-3BI-TR	-	RFQ	9846	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	134-TFBGA	IS43LD16640	Sdram - mobile lpddr2	1,14 V ~ 1,95 V	134-TFBGA (10x11,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0032	1 200	333 MHz	Volatil	1 gbit		Drachme	64m x 16	Parallèle	15NS
IS43LD32320A-3BL	-	RFQ	2035	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Abandonné à sic	0 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	134-TFBGA	IS43LD32320	Sdram - mobile lpddr2	1,14 V ~ 1,95 V	134-TFBGA (10x11,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0032	171	333 MHz	Volatil	1 gbit		Drachme	32m x 32	Parallèle	15NS
IS25LQ025B-JBLE-TR	-	RFQ	9013	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur)	IS25LQ025	Flash - ni	2,3V ~ 3,6 V	8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	2 000	104 MHz	Non volatile	256kbit		Éclair	32k x 8	Spi - quad e / o	800 µs
IS25LQ025B-JKLE-TR	-	RFQ	2338	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-WDFN	IS25LQ025	Flash - ni	2,3V ~ 3,6 V	8-wson (6x5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	4 500	104 MHz	Non volatile	256kbit		Éclair	32k x 8	Spi - quad e / o	800 µs

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