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Mémoire (5712)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	ECCN	HTSUS	Norme de package	Fréquence d'Horloge	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page
IS42S32200L-6BL-TR	3.8792	RFQ	4919	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	90-TFBGA	IS42S32200	Sdram	3V ~ 3,6 V	90-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0002	2 500	166 MHz	Volatil	64mbitons	5.4 ns	Drachme	2m x 32	Parallèle	-
IS42S32400F-6BL-TR	4.6129	RFQ	1205	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	90-TFBGA	IS42S32400	Sdram	3V ~ 3,6 V	90-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0002	2 500	166 MHz	Volatil	128mbitons	5.4 ns	Drachme	4m x 32	Parallèle	-
IS42S32400F-7BI-TR	5.5500	RFQ	7019	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	90-TFBGA	IS42S32400	Sdram	3V ~ 3,6 V	90-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0002	2 500	143 MHz	Volatil	128mbitons	5.4 ns	Drachme	4m x 32	Parallèle	-
IS42S32400F-7TLI-TR	4.9078	RFQ	7067	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	86-TFSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS42S32400	Sdram	3V ~ 3,6 V	86-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0002	1 500	143 MHz	Volatil	128mbitons	5.4 ns	Drachme	4m x 32	Parallèle	-
IS42S32800G-6BI	-	RFQ	8937	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	90-TFBGA	IS42S32800	Sdram	3V ~ 3,6 V	90-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0024	240	166 MHz	Volatil	256mbitons	5.4 ns	Drachme	8m x 32	Parallèle	-
IS42S32800G-6BL-TR	6.7200	RFQ	1482	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Pas de designs les nouveaux	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	90-TFBGA	IS42S32800	Sdram	3V ~ 3,6 V	90-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0024	2 500	166 MHz	Volatil	256mbitons	5.4 ns	Drachme	8m x 32	Parallèle	-
IS42S32800G-7BL-TR	6.3600	RFQ	5229	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Pas de designs les nouveaux	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	90-TFBGA	IS42S32800	Sdram	3V ~ 3,6 V	90-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0024	2 500	143 MHz	Volatil	256mbitons	5.4 ns	Drachme	8m x 32	Parallèle	-
IS42S81600F-6TLI	2.9441	RFQ	6688	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)	IS42S81600	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0002	108	166 MHz	Volatil	128mbitons	5.4 ns	Drachme	16m x 8	Parallèle	-
IS42S81600F-6TLI-TR	2.6967	RFQ	8511	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)	IS42S81600	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0002	1 500	166 MHz	Volatil	128mbitons	5.4 ns	Drachme	16m x 8	Parallèle	-
IS42S81600F-7TL	2.3748	RFQ	5227	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)	IS42S81600	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0002	108	143 MHz	Volatil	128mbitons	5.4 ns	Drachme	16m x 8	Parallèle	-
IS42S81600F-7TLI	2.6467	RFQ	5052	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)	IS42S81600	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0002	108	143 MHz	Volatil	128mbitons	5.4 ns	Drachme	16m x 8	Parallèle	-
IS42S83200G-6TLI-TR	6.5463	RFQ	6384	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Pas de designs les nouveaux	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)	IS42S83200	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0024	1 500	166 MHz	Volatil	256mbitons	5.4 ns	Drachme	32m x 8	Parallèle	-
IS42S83200G-7TLI-TR	6.1201	RFQ	1355	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Pas de designs les nouveaux	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)	IS42S83200	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0024	1 500	143 MHz	Volatil	256mbitons	5.4 ns	Drachme	32m x 8	Parallèle	-
IS42S86400B-7TLI	-	RFQ	5783	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)	IS42S86400	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0028	108	143 MHz	Volatil	512mbitons	5.4 ns	Drachme	64m x 8	Parallèle	-
IS42SM16160K-6BLI	5.9929	RFQ	1805	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54-TFBGA	IS42SM16160	Sdram - mobile	2,7 V ~ 3,6 V	54-TFBGA (8x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0024	348	166 MHz	Volatil	256mbitons	5,5 ns	Drachme	16m x 16	Parallèle	-
IS42SM16400K-75BLI	-	RFQ	3092	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54-TFBGA	IS42SM16400	Sdram - mobile	3V ~ 3,6 V	54-TFBGA (8x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0002	348	133 MHz	Volatil	64mbitons	6 ns	Drachme	4m x 16	Parallèle	-
IS42SM16800G-75BLI	-	RFQ	2094	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54-TFBGA	IS42SM16800	Sdram - mobile	2,7 V ~ 3,6 V	54-TFBGA (8x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0002	348	133 MHz	Volatil	128mbitons	6 ns	Drachme	8m x 16	Parallèle	-
IS42SM32160E-75BI-TR	10.0200	RFQ	6316	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	90-TFBGA	IS42SM32160	Sdram - mobile	2,7 V ~ 3,6 V	90-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0028	2 500	133 MHz	Volatil	512mbitons	6 ns	Drachme	16m x 32	Parallèle	-
IS42SM32160E-75BL-TR	9.1200	RFQ	8155	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	90-TFBGA	IS42SM32160	Sdram - mobile	2,7 V ~ 3,6 V	90-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0028	2 500	133 MHz	Volatil	512mbitons	6 ns	Drachme	16m x 32	Parallèle	-
IS42SM32200K-6BI-TR	-	RFQ	4910	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	90-TFBGA	IS42SM32200	Sdram - mobile	2,7 V ~ 3,6 V	90-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0002	2 500	166 MHz	Volatil	64mbitons	5,5 ns	Drachme	2m x 32	Parallèle	-
IS42SM32800E-75BLI	-	RFQ	1887	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	90-TFBGA	IS42SM32800	Sdram - mobile	2,7 V ~ 3,6 V	90-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0024	240	133 MHz	Volatil	256mbitons	6 ns	Drachme	8m x 32	Parallèle	-
IS42VM16160E-6BI-TR	-	RFQ	5681	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54-TFBGA	IS42VM16160	Sdram - mobile	1,7 V ~ 1,95 V	54-TFBGA (8x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0024	2 500	166 MHz	Volatil	256mbitons	5,5 ns	Drachme	16m x 16	Parallèle	-
IS42VM16400K-75BLI	-	RFQ	6228	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54-TFBGA	IS42VM16400	Sdram - mobile	1,7 V ~ 1,95 V	54-TFBGA (8x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0002	348	133 MHz	Volatil	64mbitons	6 ns	Drachme	4m x 16	Parallèle	-
IS42VM16800G-6BI-TR	-	RFQ	9058	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54-TFBGA	IS42VM16800	Sdram - mobile	1,7 V ~ 1,95 V	54-TFBGA (8x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0002	2 500	166 MHz	Volatil	128mbitons	5,5 ns	Drachme	8m x 16	Parallèle	-
IS42VM16800G-75BI-TR	-	RFQ	9783	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54-TFBGA	IS42VM16800	Sdram - mobile	1,7 V ~ 1,95 V	54-TFBGA (8x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0002	2 500	133 MHz	Volatil	128mbitons	6 ns	Drachme	8m x 16	Parallèle	-
IS42VM32160D-75BLI	-	RFQ	6278	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	90-TFBGA	IS42VM32160	Sdram - mobile	1,7 V ~ 1,95 V	90-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0028	240	133 MHz	Volatil	512mbitons	6 ns	Drachme	16m x 32	Parallèle	-
IS42VM32160D-75BI-TR	-	RFQ	3245	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	90-TFBGA	IS42VM32160	Sdram - mobile	1,7 V ~ 1,95 V	90-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0028	2 500	133 MHz	Volatil	512mbitons	6 ns	Drachme	16m x 32	Parallèle	-
IS43DR16160A-25EBL	-	RFQ	4593	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	84-TFBGA	IS43DR16160	Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	84-TWBGA (8x12,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0024	209	400 MHz	Volatil	256mbitons	400 ns	Drachme	16m x 16	Parallèle	15NS
IS43DR16160A-3DBL	-	RFQ	2452	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	84-TFBGA	IS43DR16160	Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	84-TWBGA (8x12,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0024	209	333 MHz	Volatil	256mbitons	450 PS	Drachme	16m x 16	Parallèle	15NS
IS45S16400J-7TLA2	4.4051	RFQ	5450	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)	IS45S16400	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0002	108	143 MHz	Volatil	64mbitons	5.4 ns	Drachme	4m x 16	Parallèle	-

2000+
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Unité de produit standard
2800+
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Mémoire (5712)

2000+

30 000 000

2800+

15 000 m2

15 000 m²