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Mémoire (5712)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Fréquence d'Horloge	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page
IS61NVF25672-7.5B1I-TR	-	RFQ	9927	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	209-BGA	IS61NVF25672	Sram - synchrone, d.	2 375V ~ 2 625V	209-LFBGA (14x22)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	1 000	117 MHz	Volatil	18mbitons	7,5 ns	Sram	256k x 72	Parallèle	-
IS43R16320D-6TL-TR	5.1123	RFQ	6886	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Pas de designs les nouveaux	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS43R16320	Sdram - ddr	2,3V ~ 2,7 V	66-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	1 500	166 MHz	Volatil	512mbitons	700 PS	Drachme	32m x 16	Parallèle	15NS
IS45S16400J-6CTLA1-TR	4.0367	RFQ	2654	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)	IS45S16400	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	1 500	166 MHz	Volatil	64mbitons	5.4 ns	Drachme	4m x 16	Parallèle	-
IS42S16320B-7TL-TR	-	RFQ	5583	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)	IS42S16320	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	1 500	143 MHz	Volatil	512mbitons	5.4 ns	Drachme	32m x 16	Parallèle	-
IS25WP016-JNLE	-	RFQ	1949	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	IS25WP016	Flash - ni	1,65 V ~ 1,95 V	8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	100	133 MHz	Non volatile	16mbitons		Éclair	2m x 8	Spi - quad e / o, qpi	800 µs
IS42S32160C-75BL	-	RFQ	3625	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	90-LFBGA	IS42S32160	Sdram	3V ~ 3,6 V	90-WBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	240	133 MHz	Volatil	512mbitons	6 ns	Drachme	16m x 32	Parallèle	-
IS49RL18320-093EBL	-	RFQ	3278	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	168 LBGA	IS49RL18320	Drachme	1,28 V ~ 1,42 V	168-FBGA (13,5x13,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0032	119	1 066 GHz	Volatil	576mbit	8 ns	Drachme	32m x 18	Parallèle	-
IS43R16320E-6TLI-TR	6.3636	RFQ	4004	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Pas de designs les nouveaux	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS43R16320	Sdram - ddr	2,3V ~ 2,7 V	66-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	1 500	166 MHz	Volatil	512mbitons	700 PS	Drachme	32m x 16	Parallèle	15NS
IS34ML01G081-TLI	5.1000	RFQ	549	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	IS34ML01	Flash - Nand (SLC)	2,7 V ~ 3,6 V	48 TSOP	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-1630	3A991B1A	8542.32.0071	96		Non volatile	1 gbit	25 ns	Éclair	128m x 8	Parallèle	25ns
IS43LD32640B-25BI-TR	10.5750	RFQ	8150	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Acheter la Dernière	-40 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	134-TFBGA	IS43LD32640	SDRAM - MOBILE LPDDR2-S4	1,14 V ~ 1,95 V	134-TFBGA (10x11,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	2 000	400 MHz	Volatil	2 gbit		Drachme	64m x 32	Parallèle	15NS
IS42S32800D-75ETLI-TR	-	RFQ	4245	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	86-TFSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS42S32800	Sdram	3V ~ 3,6 V	86-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	1 500	133 MHz	Volatil	256mbitons	5,5 ns	Drachme	8m x 32	Parallèle	-
IS43TR85120AL-125KBLI-TR	-	RFQ	2630	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	78-TFBGA	IS43TR85120	Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	78-TWBGA (9x10,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 500	800 MHz	Volatil	4 Gbit	20 ns	Drachme	512m x 8	Parallèle	15NS
IS61LF51236A-7.5TQLI	-	RFQ	9599	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP	IS61LF51236	Sram - synchrone, d.	3.135V ~ 3,6 V	100 LQFP (14x20)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	72	117 MHz	Volatil	18mbitons	7,5 ns	Sram	512k x 36	Parallèle	-
IS64LF25636A-7.5B3LA3	23.2447	RFQ	8562	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Support de surface	165-TBGA	IS64LF25636	Sram - synchrone, d.	3.135V ~ 3 465V	165-TFBGA (13x15)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	144	117 MHz	Volatil	9mbitons	7,5 ns	Sram	256k x 36	Parallèle	-
IS61VVF409618B-7.5TQL-TR	125.3000	RFQ	3230	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP	IS61VVF409618	Sram - synchrone, d.	1,71 V ~ 1,89 V	100 LQFP (14x20)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	800	117 MHz	Volatil	72mbitons	7,5 ns	Sram	4m x 18	Parallèle	-
IS66WV51216BLL-55BLI	-	RFQ	1690	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFBGA	IS66WV51216	Psram (pseudo sram)	2,5 V ~ 3,6 V	48-TFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	312		Volatil	8mbitons	55 ns	Psram	512k x 16	Parallèle	55ns
IS41C16257C-35TLI	-	RFQ	6981	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	44 TSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur), 40 leads	IS41C16257	Dram - FP	4,5 V ~ 5,5 V	40 TSOP	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	135		Volatil	4mbbitons	18 ns	Drachme	256k x 16	Parallèle	-
IS62WV25616DALL-55TI -TR	-	RFQ	9934	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS62WV25616	Sram - asynchrone	1,65 V ~ 2,2 V	44-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	1		Volatil	4mbbitons	55 ns	Sram	256k x 16	Parallèle	55ns
Is61nvp51236b-200tqli	17.2425	RFQ	3182	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP	IS61NVP51236	Sram - synchrone, d.	2 375V ~ 2 625V	100 LQFP (14x20)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	72	200 MHz	Volatil	18mbitons	3 ns	Sram	512k x 36	Parallèle	-
IS49NLS96400-25BLI	-	RFQ	4044	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	144-TFBGA	IS49NLS96400	Rldram 2	1,7 V ~ 1,9 V	144-FCBGA (11x18,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0032	104	400 MHz	Volatil	576mbit	20 ns	Drachme	64m x 9	Parallèle	-
IS21TF32G-JCI-TR	35.8500	RFQ	4833	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	153-VFBGA	IS21TF32G	Flash - Nand (TLC)	2,7 V ~ 3,6 V	153-VFBGA (11,5x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-IS21TF32G-JCI-TR	3A991B1A	8542.32.0071	2 000	200 MHz	Non volatile	256 GBIT		Éclair	32g x 8	MMC	-
IS46DR16320C-25DBLA1-T-T-TR	7.2600	RFQ	3841	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Pas de designs les nouveaux	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	84-TFBGA	IS46DR16320	Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	84-TWBGA (8x12,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	2 500	400 MHz	Volatil	512mbitons	400 PS	Drachme	32m x 16	Parallèle	15NS
IS25LQ080-JNLE	-	RFQ	1604	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	En gros	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	IS25LQ080	Flash - ni	2,3V ~ 3,6 V	8-SOIC	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	100	104 MHz	Non volatile	8mbitons		Éclair	1m x 8	Spi - quad e / o	1 ms
IS45S16320F-7TLA1	12.9316	RFQ	4894	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)	IS45S16320	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	108	143 MHz	Volatil	512mbitons	5.4 ns	Drachme	32m x 16	Parallèle	-
IS61NVF25672-6.5B1I	-	RFQ	3918	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	209-BGA	IS61NVF25672	Sram - synchrone, d.	2 375V ~ 2 625V	209-LFBGA (14x22)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	84	133 MHz	Volatil	18mbitons	6.5 ns	Sram	256k x 72	Parallèle	-
IS43TR16128D-107MBLI	5.1550	RFQ	2070	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA	IS43TR16128	Sdram - ddr3	1 425V ~ 1 575 V	96-TWBGA (9x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-1719	EAR99	8542.32.0036	190	933 MHz	Volatil	2 gbit	20 ns	Drachme	128m x 16	Parallèle	15NS
IS49NLC96400-25BLI	-	RFQ	1412	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	144-TFBGA	IS49NLC96400	Rldram 2	1,7 V ~ 1,9 V	144-FCBGA (11x18,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0032	104	400 MHz	Volatil	576mbit	20 ns	Drachme	64m x 9	Parallèle	-
IS61C6416AL-12KI	-	RFQ	5807	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	44-BSOJ (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS61C6416	Sram - asynchrone	4,5 V ~ 5,5 V	44-soj	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2B	8542.32.0041	16		Volatil	1mbit	12 ns	Sram	64k x 16	Parallèle	12ns
IS62WV25616DALL-55TLI-TR	-	RFQ	5771	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS62WV25616	Sram - asynchrone	1,65 V ~ 2,2 V	44-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	1		Volatil	4mbbitons	55 ns	Sram	256k x 16	Parallèle	55ns
IS61NLF51236-7.5TQI-TR	-	RFQ	8543	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP	IS61NLF51236	Sram - synchrone, d.	3.135V ~ 3 465V	100 LQFP (14x20)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	800	117 MHz	Volatil	18mbitons	7,5 ns	Sram	512k x 36	Parallèle	-

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