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Mémoire (5712)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	ECCN	HTSUS	Norme de package	Fréquence d'Horloge	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page
IS39LV040-70VCE	-	RFQ	7245	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	32-TFSOP (0 488 ", 12,40 mm de grand)	IS39LV040	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	32-VSOP	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0071	208		Non volatile	4mbbitons	70 ns	Éclair	512k x 8	Parallèle	70ns
IS39LV512-70JCE	-	RFQ	2106	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	32 LCC (J-LEAD)	IS39LV512	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	32-PLCC (11.43x13.97)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0071	32		Non volatile	512kbit	70 ns	Éclair	64k x 8	Parallèle	70ns
IS41C16105C-50KLI-TR	-	RFQ	9114	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	42-BSOJ (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS41C16105	Dram - FP	4,5 V ~ 5,5 V	42-soj	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0002	1 000		Volatil	16mbitons	25 ns	Drachme	1m x 16	Parallèle	-
IS41C16105C-50TLI	-	RFQ	9208	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)	IS41C16105	Dram - FP	4,5 V ~ 5,5 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0002	117		Volatil	16mbitons	25 ns	Drachme	1m x 16	Parallèle	-
IS41C16256C-35TLI	-	RFQ	7225	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	44 TSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur), 40 leads	IS41C16256	DRAM - EDO	4,5 V ~ 5,5 V	40 TSOP	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0002	135		Volatil	4mbbitons	18 ns	Drachme	256k x 16	Parallèle	-
IS41LV16100C-50KLI	-	RFQ	9865	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	42-BSOJ (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS41LV16100	DRAM - EDO	3V ~ 3,6 V	42-soj	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0002	16		Volatil	16mbitons	25 ns	Drachme	1m x 16	Parallèle	-
IS41LV16100C-50KLI-TR	-	RFQ	9629	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	42-BSOJ (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS41LV16100	DRAM - EDO	3V ~ 3,6 V	42-soj	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0002	1 000		Volatil	16mbitons	25 ns	Drachme	1m x 16	Parallèle	-
IS42RM16800G-75BLI	-	RFQ	4213	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54-TFBGA	IS42RM16800	Sdram - mobile	2.3V ~ 3V	54-TFBGA (8x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0002	348	133 MHz	Volatil	128mbitons	6 ns	Drachme	8m x 16	Parallèle	-
IS42RM32160C-75BI-TR	-	RFQ	1102	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	90-LFBGA	IS42RM32160	Sdram - mobile	2.3V ~ 3V	90-WBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0028	2 500	133 MHz	Volatil	512mbitons	5.4 ns	Drachme	16m x 32	Parallèle	-
IS42RM32400G-75BI-TR	-	RFQ	2249	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	90-TFBGA	IS42RM32400	Sdram - mobile	2.3V ~ 3V	90-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0002	2 500	133 MHz	Volatil	128mbitons	6 ns	Drachme	4m x 32	Parallèle	-
IS42RM32800D-75BI-TR	-	RFQ	5387	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	90-TFBGA	IS42RM32800	Sdram - mobile	2.3V ~ 3V	90-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0024	2 500	133 MHz	Volatil	256mbitons	5.4 ns	Drachme	8m x 32	Parallèle	-
IS42S16100F-6TL	-	RFQ	2492	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	50 TSOP (0 400 ", 10,16 mm de grandeur)	IS42S16100	Sdram	3V ~ 3,6 V	50-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0002	117	166 MHz	Volatil	16mbitons	5,5 ns	Drachme	1m x 16	Parallèle	-
IS42S16160D-75ETL	-	RFQ	4639	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)	IS42S16160	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0024	108	133 MHz	Volatil	256mbitons	5,5 ns	Drachme	16m x 16	Parallèle	-
IS42S16160D-75ETLI	-	RFQ	5482	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)	IS42S16160	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0024	108	133 MHz	Volatil	256mbitons	5,5 ns	Drachme	16m x 16	Parallèle	-
IS42S16160G-6BL-TR	3.5682	RFQ	8069	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Pas de designs les nouveaux	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	54-TFBGA	IS42S16160	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TFBGA (8x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0024	2 500	166 MHz	Volatil	256mbitons	5.4 ns	Drachme	16m x 16	Parallèle	-
IS42S16160G-6TLI	7.5262	RFQ	3507	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Pas de designs les nouveaux	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)	IS42S16160	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0024	108	166 MHz	Volatil	256mbitons	5.4 ns	Drachme	16m x 16	Parallèle	-
IS42S16160G-7BL	3.7930	RFQ	9215	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Pas de designs les nouveaux	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	54-TFBGA	IS42S16160	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TFBGA (8x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0024	348	143 MHz	Volatil	256mbitons	5.4 ns	Drachme	16m x 16	Parallèle	-
IS42S16160G-7BLI	4.0820	RFQ	4450	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Pas de designs les nouveaux	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54-TFBGA	IS42S16160	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TFBGA (8x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0024	348	143 MHz	Volatil	256mbitons	5.4 ns	Drachme	16m x 16	Parallèle	-
IS42S16320B-6BL-TR	-	RFQ	1223	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	54-TFBGA	IS42S16320	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-WBGA (11x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0028	2 000	166 MHz	Volatil	512mbitons	5.4 ns	Drachme	32m x 16	Parallèle	-
IS42S16320B-6TL	-	RFQ	2870	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)	IS42S16320	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0028	108	166 MHz	Volatil	512mbitons	5.4 ns	Drachme	32m x 16	Parallèle	-
IS42S16320B-6TLI	-	RFQ	5904	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)	IS42S16320	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0028	108	166 MHz	Volatil	512mbitons	5.4 ns	Drachme	32m x 16	Parallèle	-
IS42S16320B-6TL-TR	-	RFQ	3951	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)	IS42S16320	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0028	1 500	166 MHz	Volatil	512mbitons	5.4 ns	Drachme	32m x 16	Parallèle	-
IS62C5128BL-45TLI	-	RFQ	2405	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	32-SOIC (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS62C5128	Sram - asynchrone	4,5 V ~ 5,5 V	32-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	3A991B2A	8542.32.0041	117		Volatil	4mbbitons	45 ns	Sram	512k x 8	Parallèle	45ns
IS62WV10248DBLL-55TLI-TR	-	RFQ	6132	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS62WV10248	Sram - asynchrone	2,4 V ~ 3,6 V	44-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	3A991B2A	8542.32.0041	1 000		Volatil	8mbitons	55 ns	Sram	1m x 8	Parallèle	55ns
IS62WV12816DBLL-45BI-TR	-	RFQ	6107	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFBGA	IS62WV12816	Sram - asynchrone	2,5 V ~ 3,6 V	48-TFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	3A991B2A	8542.32.0041	2 500		Volatil	2mbitons	45 ns	Sram	128k x 16	Parallèle	45ns
IS62WV1288DBLL-45QLI-TR	-	RFQ	4917	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	32-SOIC (0 445 ", 11,30 mm de grandeur)	IS62WV1288	Sram - asynchrone	2,3V ~ 3,6 V	32-SOP	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0041	1 000		Volatil	1mbit	45 ns	Sram	128k x 8	Parallèle	45ns
IS62WV5128DBLL-45BLI	-	RFQ	4147	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	36-TFBGA	IS62WV5128	Sram - asynchrone	2,3V ~ 3,6 V	36-TFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	3A991B2A	8542.32.0041	480		Volatil	4mbbitons	45 ns	Sram	512k x 8	Parallèle	45ns
IS63WV1288DBLL-10HLI	1.8062	RFQ	7731	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	32-TFSOP (0 465 ", 11,80 mm de grand)	IS63WV1288	Sram - asynchrone	2,4 V ~ 3,6 V	32-tsop i	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0041	234		Volatil	1mbit	10 ns	Sram	128k x 8	Parallèle	10ns
IS64LF12832EC-7.5TQLA3-TR	9.9825	RFQ	5203	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP	IS64LF12832	Sram - synchrone, d.	3.135V ~ 3 465V	100 LQFP (14x20)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	3A991B2A	8542.32.0041	800	117 MHz	Volatil	4mbbitons	7,5 ns	Sram	128k x 32	Parallèle	-
IS64LF12836EC-7.5B3LA3	11.4523	RFQ	6890	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Support de surface	165-TBGA	IS64LF12836	Sram - synchrone, d.	3.135V ~ 3 465V	165-TFBGA (13x15)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	3A991B2A	8542.32.0041	144	117 MHz	Volatil	4,5 Mbit	7,5 ns	Sram	128k x 36	Parallèle	-

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Volume de RFQ moyen quotidien
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Unité de produit standard
2800+
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Mémoire (5712)

2000+

30 000 000

2800+

15 000 m2

15 000 m²