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Mémoire (5712)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IS62WV10248HBLL-45B2LI | 4.1520 |  | 1967 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFBGA | Sram - asynchrone | 2.2V ~ 3,6 V | 48-TFBGA (6x8) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS62WV10248HBLL-45B2LI | 480 | Volatil | 8mbitons | 45 ns | Sram | 1m x 8 | Parallèle | 45ns | |||
| IS46LQ32128A-062TBLA2-TR | - | | 7573 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Support de surface | 200-TFBGA | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 200-TFBGA (10x14,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS46LQ32128A-062TBLA2-TR | 2 500 | 1,6 GHz | Volatil | 4 Gbit | 3,5 ns | Drachme | 128m x 32 | Lvstl | 18n | ||
| IS43LR32800H-6BL-TR | 4.4761 | | 8721 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 90-TFBGA | SDRAM - LPDDR MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 90-TFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS43LR32800H-6BL-TR | 2 500 | 166 MHz | Volatil | 256mbitons | 5,5 ns | Drachme | 8m x 32 | LVCMOS | 15NS | ||
| IS43LR16160H-6BL | 4.8239 | | 2579 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 60-TFBGA | SDRAM - LPDDR MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 60-TFBGA (8x10) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS43LR16160H-6BL | 300 | 166 MHz | Volatil | 256mbitons | 5,5 ns | Drachme | 16m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
| IS66WVO16M8DALL-200BI-TR | 3.6017 | | 9281 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 24 TBGA | Psram (pseudo sram) | 1,7 V ~ 1,95 V | 24-TFBGA (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS66WVO16M8DALL-200BI-TR | 2 500 | 200 MHz | Volatil | 128mbitons | 5 ns | Psram | 16m x 8 | Spi - e / s octal | 35ns | ||
| IS46TR16640ED-125KBLA1 | 7.7520 | | 2473 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | En gros | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | Sdram - ddr3 | 1 425V ~ 1 575 V | 96-TWBGA (9x13) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS46TR16640ED-125KBLA1 | 190 | 800 MHz | Volatil | 1 gbit | 20 ns | Drachme | 64m x 16 | Sstl_15 | 15NS | ||
| IS43TR16512BL-107MBI-TR | 20.1229 | | 1825 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | Sdram - ddr3l | 1 283V ~ 1 45 V | 96-TWBGA (10x14) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS43TR16512BL-107MBI-TR | 2 000 | 933 MHz | Volatil | 8 Gbit | 20 ns | Drachme | 512m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
| IS46TR16640C-107MBLA2 | 4.2332 | | 7810 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | En gros | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | Sdram - ddr3 | 1 425V ~ 1 575 V | 96-TWBGA (9x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS46TR16640C-107MBLA2 | 190 | 933 MHz | Volatil | 1 gbit | 20 ns | Drachme | 64m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
| IS61WV6416EEBLL-10KLI-TR | 2.2324 | | 6620 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 44-BSOJ (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | Sram - asynchrone | 2,4 V ~ 3,6 V | 44-soj | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS61WV6416EEBLL-10KLI-TR | 800 | Volatil | 1mbit | 10 ns | Sram | 64k x 16 | Parallèle | 10ns | |||
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| IS43TR16512S2DL-107MBI-TR | 20.6150 | | 9096 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-LFBGA | Sdram - ddr3l | 1 283V ~ 1 45 V | 96-LWBGA (9x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS43TR16512S2DL-107MBI-TR | 1 500 | 933 MHz | Volatil | 8 Gbit | 20 ns | Drachme | 512m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
| IS66WVQ2M4DALL-200BI-TR | 2.0139 | | 2642 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 24 TBGA | Psram (pseudo sram) | 1,7 V ~ 1,95 V | 24-TFBGA (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS66WVQ2M4DALL-200BI-TR | 2 500 | 200 MHz | Volatil | 8mbitons | Psram | 2m x 4 | Spi - quad e / o | 40ns | ||
| IS62WVS5128FBLL-20NLI-TR | 3 5832 | | 9892 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Sram - synchrone | 2.2V ~ 3,6 V | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS62WVS5128FBLL-20NLI-TR | 3 000 | 20 MHz | Volatil | 4mbbitons | 25 ns | Sram | 512k x 8 | Spi - quad e / o, sdi | - | |
| IS43TR16128D-107MBL-TR | 4.2567 | | 2092 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | Sdram - ddr3 | 1 425V ~ 1 575 V | 96-TWBGA (9x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS43TR16128D-107MBL-TR | 1 500 | 933 MHz | Volatil | 2 gbit | 20 ns | Drachme | 128m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
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| IS46LQ16128A-062BLA2 | - | | 9902 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | En gros | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Support de surface | 200-WFBGA | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 200-VFBGA (10x14,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS46LQ16128A-062BLA2 | 136 | 1,6 GHz | Volatil | 2 gbit | 3,5 ns | Drachme | 128m x 16 | Lvstl | 18n | ||
| IS49NLS18160A-25WBLI | 30.5534 | | 2942 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 144-TFBGA | Rldram 2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 144-TWBGA (11x18,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS49NLS18160A-25WBLI | 104 | 400 MHz | Volatil | 288mbitons | 20 ns | Drachme | 16m x 18 | Hstl | - | |
| IS61WV102416FBLL-10B2LI-TR | 8.5785 | | 7042 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFBGA | Sram - asynchrone | 2,4 V ~ 3,6 V | 48-TFBGA (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS61WV102416FBLL-10B2LI-TR | 2 500 | Volatil | 16mbitons | 10 ns | Sram | 1m x 16 | Parallèle | 10ns | |||
| IS49NLC96400A-18WBLI | 57.2059 | | 1133 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 144-TFBGA | Rldram 2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 144-TWBGA (11x18,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS49NLC96400A-18WBLI | 104 | 533 MHz | Volatil | 576mbit | 15 ns | Drachme | 64m x 9 | Hstl | - | |
| IS43LR32320C-6BLI | 8.7116 | | 9083 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 90-TFBGA | SDRAM - LPDDR MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 90-TFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS43LR32320C-6BLI | 240 | 166 MHz | Volatil | 1 gbit | 5 ns | Drachme | 32m x 32 | Parallèle | 15NS | ||
| IS49NLS18320A-25EWBLI | 54.4856 | | 1222 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 144-TFBGA | Rldram 2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 144-TWBGA (11x18,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS49NLS18320A-25EWBLI | 104 | 400 MHz | Volatil | 576mbit | 15 ns | Drachme | 32m x 18 | Hstl | - | |
| IS43LR16128B-6BI-TR | 8.8844 | | 7546 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 60-TFBGA | SDRAM - LPDDR MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 60-TFBGA (8x10) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS43LR16128B-6BI-TR | 2 000 | 166 MHz | Volatil | 2 gbit | 5 ns | Drachme | 128m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
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| IS43TR85120B-125KBLI-TR | 7.7140 | | 9865 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 78-TFBGA | Sdram - ddr3 | 1 425V ~ 1 575 V | 78-TWBGA (8x10,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS43TR85120B-125KBI-TR | 2 000 | 800 MHz | Volatil | 4 Gbit | 20 ns | Drachme | 512m x 8 | Parallèle | 15NS | ||
| IS43QR85120B-083RBL | 9.8483 | | 1053 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | En gros | Actif | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 78-TFBGA | Sdram - ddr4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 78-TWBGA (10x14) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS43QR85120B-083RBL | 136 | 1,2 GHz | Volatil | 4 Gbit | 19 ns | Drachme | 512m x 8 | Coffre | 15NS | ||
| IS62WV102416FALT-55BLI | 8.0827 | | 5563 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFBGA | Sram - asynchrone | 1,65 V ~ 2,2 V | 48-TFBGA (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS62WV102416FALT-55BLI | 480 | Volatil | 16mbitons | 55 ns | Sram | 1m x 16 | Parallèle | 55ns | |||
| IS62WV51216HBLL-45BI-TR | 3.8489 | | 1258 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-VFBGA | Sram - asynchrone | 2.2V ~ 3,6 V | 48-VFBGA (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS62WV51216HBLL-45BI-TR | 2 500 | Volatil | 8mbitons | 45 ns | Sram | 512k x 16 | Parallèle | 45ns | |||
| IS46QR16512A-075VBLA1-TR | 19.5776 | | 8378 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | Sdram - ddr4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 96-TWBGA (10x14) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS46QR16512A-075VBLA1-TR | 2 000 | 1 333 GHz | Volatil | 8 Gbit | 18 ns | Drachme | 512m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
| IS43QR16512A-083TBI-TR | 17.2767 | | 6410 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | Sdram - ddr4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 96-TWBGA (10x14) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS43QR16512A-083TBI-TR | 2 000 | 1,2 GHz | Volatil | 8 Gbit | 18 ns | Drachme | 512m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
| IS66WVH32M8DBLL-100B1LI | 4.8440 | | 7449 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 24 TBGA | Psram (pseudo sram) | 2,7 V ~ 3,6 V | 24-TFBGA (6x8) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS66WVH32M8DBLL-100B1LI | 480 | 100 MHz | Volatil | 256mbitons | 40 ns | Psram | 32m x 8 | Parallèle | 40ns |
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