SIC
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Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Technologie Tension - alimentation Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Fréquence d'Horloge Type de Mémoire Taille de la Mémoire Heure d'accès Format de Mémoire Organisation de Mémoire Interface de Mémoire Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page
IS46LD32640C-18BLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LD32640C-18BLA2 -
RFQ
ECAD 6906 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Actif -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Support de surface 134-TFBGA SDRAM - MOBILE LPDDR2-S4 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V 134-TFBGA (10x11,5) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 706-IS46LD32640C-18BLA2 1 533 MHz Volatil 2 gbit 5,5 ns Drachme 64m x 32 HSUL_12 15NS
IS21ES04G-JQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS21ES04G-JQLI -
RFQ
ECAD 4520 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Abandonné à sic -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 100 lbga IS21ES04 Flash - Nand (MLC) 2,7 V ~ 3,6 V 100-LFBGA (14x18) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 706-IS21ES04G-JQLI 3A991B1A 8542.32.0071 98 200 MHz Non volatile 32 Gbit Éclair 4G x 8 EMMC -
IS29GL128-70SLET ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS29GL128-70SLET 7.8000
RFQ
ECAD 5 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Actif -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Support de surface 56-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) IS29GL128 Flash - ni 2,7 V ~ 3,6 V 56-tsop I télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 706-IS29GL128-70SLET 3A991B1A 8542.32.0071 96 Non volatile 128mbitons 70 ns Éclair 16m x 8 Parallèle 200 µs
IS29GL256-70DLEB ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Is29gl256-70dleb 6.9600
RFQ
ECAD 263 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Actif -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Support de surface 64 LBGA IS29GL256 Flash - ni 2,7 V ~ 3,6 V 64-LFBGA (9x9) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 706-IS29GL256-70DEBB 3A991B1A 8542.32.0071 260 Non volatile 256mbitons 70 ns Éclair 32m x 8 Parallèle 200 µs
IS43LD32128A-25BPLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD32128A-25BPLI -
RFQ
ECAD 7721 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C (TC) Support de surface 168-VFBGA IS43LD32128 SDRAM - MOBILE LPDDR2-S4 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V 168-VFBGA (12x12) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 706-IS43LD32128A-25BPLI EAR99 8542.32.0036 100 400 MHz Volatil 4 Gbit Drachme 128m x 32 Parallèle 15NS
IS26KS512S-DPBLI00 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS26KS512S-DPBLI00 -
RFQ
ECAD 7827 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 24-VBGA IS26KS512 Flash - ni 1,7 V ~ 1,95 V 24-VFBGA (6x8) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 706-IS26KS512S-DPBLI00 3A991B1A 8542.32.0071 338 166 MHz Non volatile 512mbitons 96 ns Éclair 64m x 8 Parallèle -
IS43TR81024B-125KBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR81024B-125KBLI 28.7000
RFQ
ECAD 96 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Actif -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Support de surface 78-TFBGA IS43TR81024 Sdram - ddr3 1 425V ~ 1 575 V 78-TWBGA (10x14) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 706-IS43TR81024B-125KBLI EAR99 8542.32.0036 136 800 MHz Volatil 8 Gbit 20 ns Drachme 1g x 8 Parallèle 15NS
IS21ES32G-JQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS21ES32G-JQLI -
RFQ
ECAD 4915 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Abandonné à sic -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 100 lbga IS21ES32 Flash - Nand (MLC) 2,7 V ~ 3,3 V 100-LFBGA (14x18) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 706-IS21ES32G-JQLI 3A991B1A 8542.32.0071 98 200 MHz Non volatile 256 GBIT Éclair 32g x 8 EMMC -
IS25LP128F-JBLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP128F-JBLA3 3.1700
RFQ
ECAD 9 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc Automobile, AEC-Q100 Tube Actif -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Support de surface 8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur) IS25LP128 Flash - ni 2,3V ~ 3,6 V 8-SOIC télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 706-IS25LP128F-JBLA3 3A991B1A 8542.32.0071 90 166 MHz Non volatile 128mbitons Éclair 16m x 8 Spi - quad e / o, qpi, dtr 800 µs
IS29GL128-70SLEB ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS29GL128-70SLEB 6.3300
RFQ
ECAD 3 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Actif -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Support de surface 56-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) IS29GL128 Flash - ni 2,7 V ~ 3,6 V 56-tsop I télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 706-IS29GL128-70SLEB 3A991B1A 8542.32.0071 96 Non volatile 128mbitons 70 ns Éclair 16m x 8 Parallèle 200 µs
IS21ES32G-JCLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS21ES32G-JCLI -
RFQ
ECAD 9123 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Abandonné à sic -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 153-VFBGA IS21ES32 Flash - Nand (MLC) 2,7 V ~ 3,6 V 153-VFBGA (11,5x13) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 706-IS21ES32G-JCLI 3A991B1A 8542.32.0071 152 200 MHz Non volatile 256 GBIT Éclair 32g x 8 EMMC -
IS21ES16G-JQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS21ES16G-JQLI -
RFQ
ECAD 9866 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Abandonné à sic -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 100 lbga IS21ES16 Flash - Nand (MLC) 2,7 V ~ 3,6 V 100-LFBGA (14x18) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 706-IS21ES16G-JQLI 3A991B1A 8542.32.0071 98 200 MHz Non volatile 128 GBIT Éclair 16g x 8 EMMC -
IS25LP032D-JBLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP032D-JBLA3 1.7900
RFQ
ECAD 4 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc Automobile, AEC-Q100 Plateau Actif -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Support de surface 8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur) IS25LP032 Flash - ni 2,3V ~ 3,6 V 8-SOIC télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 706-IS25LP032D-JBLA3 3A991B1A 8542.32.0071 90 133 MHz Non volatile 32mbitons Éclair 4m x 8 Spi - quad e / o, qpi, dtr 800 µs
IS43TR81024BL-125KBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR81024BL-125KBLI 28.7000
RFQ
ECAD 2 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Actif -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Support de surface 78-TFBGA IS43TR81024 Sdram - ddr3l 1 283V ~ 1 45 V 78-TWBGA (10x14) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 706-IS43TR81024BL-125KBLI EAR99 8542.32.0036 136 800 MHz Volatil 8 Gbit 20 ns Drachme 1g x 8 Parallèle 15NS
IS26KS128S-DPBLI00 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS26KS128S-DPBLI00 7.0300
RFQ
ECAD 8220 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 24-VBGA IS26KS128 Flash - ni 1,7 V ~ 1,95 V 24-VFBGA (6x8) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 706-IS26KS128S-DPBLI00 3A991B2A 8542.32.0071 338 166 MHz Non volatile 128mbitons 96 ns Éclair 16m x 8 Parallèle -
IS43TR16640CL-125JBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16640CL-125JBL 3.6500
RFQ
ECAD 1 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Actif 0 ° C ~ 85 ° C (TC) Support de surface 96-TFBGA IS43TR16640 Sdram - ddr3l 1 283V ~ 1 45 V 96-TWBGA (9x13) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 706-IS43TR16640CL-125JBL EAR99 8542.32.0032 190 800 MHz Volatil 1 gbit 20 ns Drachme 64m x 16 Parallèle 15NS
IS43TR82560D-125KBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR82560D-125KBLI 4.8403
RFQ
ECAD 7160 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Actif -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Support de surface 78-TFBGA IS43TR82560 Sdram - ddr3 1 425V ~ 1 575 V 78-TWBGA (8x10,5) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 706-IS43TR82560D-125KBLI EAR99 8542.32.0036 242 800 MHz Volatil 2 gbit 20 ns Drachme 256m x 8 Parallèle 15NS
IS25WQ020-JULE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WQ020-JULE-T-T-T- -
RFQ
ECAD 4204 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - En gros Actif -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Support de surface Pad Exposé 8-UFDFN IS25WQ020 Flash - ni 1,65 V ~ 1,95 V 8-USON (2x3) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee 2156-IS25WQ020-JULE-TR EAR99 8542.32.0071 1 104 MHz Non volatile 2mbitons Éclair 256k x 8 Spi - quad e / o 1 ms
IS25WQ040-JULE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WQ040-JULE-T-T-TR 0,2500
RFQ
ECAD 6 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - En gros Actif -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Support de surface Pad Exposé 8-UFDFN IS25WQ040 Flash - ni 1,65 V ~ 1,95 V 8-USON (2x3) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee EAR99 8542.32.0071 1 104 MHz Non volatile 4mbbitons Éclair 512k x 8 Spi - quad e / o 1 ms
IS25LQ040B-JULE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ040B-JULE-T-T-TR -
RFQ
ECAD 4804 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc Automobile, AEC-Q100 En gros Actif -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Support de surface Pad Exposé 8-UFDFN Flash - Ni (SLC) 2,3V ~ 3,6 V 8-USON (2x3) télécharger EAR99 8542.32.0071 1 104 MHz Non volatile 4mbbitons 8 ns Éclair 512k x 8 Spi - quad e / o 25 µs, 800 µs
IS43TR16128DL-107MBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128DL-107MBLI 6.6300
RFQ
ECAD 1 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Actif -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Support de surface 96-TFBGA IS43TR16128 Sdram - ddr3l 1 283V ~ 1 45 V 96-TWBGA (9x13) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 706-1723 EAR99 8542.32.0036 190 933 MHz Volatil 2 gbit 20 ns Drachme 128m x 16 Parallèle 15NS
IS43TR16128DL-125KBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128DL-125KBL 4.6100
RFQ
ECAD 3 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Actif 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Support de surface 96-TFBGA IS43TR16128 Sdram - ddr3l 1 283V ~ 1 45 V 96-TWBGA (9x13) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 706-1724 EAR99 8542.32.0036 190 800 MHz Volatil 2 gbit 20 ns Drachme 128m x 16 Parallèle 15NS
IS43QR16256B-083RBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43QR16256B-083RBL 12.0800
RFQ
ECAD 1 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Actif 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Support de surface 96-BGA IS43QR16256 Sdram - ddr4 1,14 V ~ 1,26 V 96-BGA télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 706-1733 EAR99 8542.32.0036 198 1,2 GHz Volatil 4 Gbit Drachme 256m x 16 Parallèle 15NS
IS43TR16256A-093NBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16256A-093NBI-TR -
RFQ
ECAD 2123 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc Automobile, AEC-Q100 Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Support de surface 96-TFBGA IS43TR16256 Sdram - ddr3 1 425V ~ 1 575 V 96-TWBGA (9x13) - Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 706-IS43TR16256A-093NBI-TR EAR99 8542.32.0036 1 500 1 066 GHz Volatil 4 Gbit 20 ns Drachme 256m x 16 Parallèle 15NS
IS43TR16256BL-125KBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16256BL-125KBLI-TR 7.8554
RFQ
ECAD 8955 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc Automobile, AEC-Q100 Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Support de surface 96-TFBGA IS43TR16256 Sdram - ddr3l 1 283V ~ 1 45 V 96-TWBGA (9x13) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 706-IS43TR16256BL-125KBLI-TR EAR99 8542.32.0036 1 500 800 MHz Volatil 4 Gbit 20 ns Drachme 256m x 16 Parallèle 15NS
IS43TR16128D-125KBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128D-125KBL-TR 3.3306
RFQ
ECAD 7590 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc Automobile, AEC-Q100 Ruban Adhésif (tr) Actif 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Support de surface 96-TFBGA IS43TR16128 Sdram - ddr3 1 425V ~ 1 575 V 96-TWBGA (9x13) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 706-IS43TR16128D-125KBL-TR EAR99 8542.32.0036 1 500 800 MHz Volatil 2 gbit 20 ns Drachme 128m x 16 Parallèle 15NS
IS43TR16128BL-107MBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128BL-107MBI-TR -
RFQ
ECAD 8196 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc Automobile, AEC-Q100 Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Support de surface 96-TFBGA IS43TR16128 Sdram - ddr3l 1 283V ~ 1 45 V 96-TWBGA (9x13) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 706-IS43TR16128BL-107MBI-TR EAR99 8542.32.0036 1 500 933 MHz Volatil 2 gbit 20 ns Drachme 128m x 16 Parallèle 15NS
IS46TR16256B-125KBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16256B-125KBLA2 9.6817
RFQ
ECAD 8818 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc Automobile, AEC-Q100 Plateau Actif -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Support de surface 96-TFBGA IS46TR16256 Sdram - ddr3 1 425V ~ 1 575 V 96-TWBGA (9x13) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 706-IS46TR16256B-125KBLA2 EAR99 8542.32.0036 190 800 MHz Volatil 4 Gbit 20 ns Drachme 256m x 16 Parallèle 15NS
IS46TR16256BL-125KBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16256BL-125KBLA1-T-T-TR 7.8141
RFQ
ECAD 7393 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc Automobile, AEC-Q100 Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Support de surface 96-TFBGA IS46TR16256 Sdram - ddr3l 1 283V ~ 1 45 V 96-TWBGA (9x13) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 706-IS46TR16256BL-125KBLA1-TR EAR99 8542.32.0036 1 500 800 MHz Volatil 4 Gbit 20 ns Drachme 256m x 16 Parallèle 15NS
IS43TR16128B-093NBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128B-093NBL-TR -
RFQ
ECAD 4315 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc Automobile, AEC-Q100 Ruban Adhésif (tr) Obsolète 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Support de surface 96-TFBGA IS43TR16128 Sdram - ddr3 1 425V ~ 1 575 V 96-TWBGA (9x13) - Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 706-IS43TR16128B-093NBL-TR EAR99 8542.32.0036 1 500 1 066 GHz Volatil 2 gbit 20 ns Drachme 128m x 16 Parallèle 15NS
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